• 전자공학회논문지
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• 제53권1호
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• pp.36-42
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• 2016

다중 셀 기반의 저장장치 특히, TLC 낸드 플래시는 낮은 가격을 무기로 SSD에 채용되고 있다. 그러나 TLC는 기존의 MLC대비 느린 성능과 내구성으로 인해 일부 블록(Block)을 SLC 영역으로 할당하여, 버퍼로 사용함으로써 성능을 개선하는 구조를 발전시켜 왔다. 본 논문에서는 SLC 버퍼 성능을 보다 향상시키기 위하여 SLC 블록에 대해 페이지 덮어쓰기 기능을 도입하였다. 이를 통해, 제한된 회수 이내에서 지움 동작 없이 데이터 갱신을 가능하도록 했다. 특히, 기존의 SLC 버퍼 영역이 채워지는 경우 유효 페이지를 TLC 블록으로 이동 복사하고, 해당 블록을 지워야 하는데, 제안된 방법을 통해 유효 페이지 복사 및 지움 동작을 50% 이상 줄일 수 있었다. 시뮬레이션 평가 결과 기존의 SLC 버퍼 대비 버퍼 덮어 쓰기를 통해 2배의 쓰기 성능 개선을 달성 하였다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제32권4호
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• pp.177-185
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• 2005

최근 휴대용 정보기기의 사용이 급증함에 따라 NAND형 플래시메모리를 시스템의 보조기억장치로 사용하는 사례가 급증하고 있다. 하지만, 전통적인 보조기억장치인 하드디스크에 비해 NAND형 플래시메모리는 단위 공간당 비용이 수십배 가량 높아 저장 공간의 효율적인 관리가 필요하다 저장 공간을 효율적으로 사용하게 하는 대표적인 방법으로 데이타 압축 기법이 있다. 하지만, NAND형 플래시메모리에서는 압축 기법의 적용이 쉽지 않다. 이는 NAND형 플래시메모리가 페이지 단위 입출력만을 지원하여 압축 데이타가 플래시 페이지보다 작은 경우 내부 단편화 현상을 발생시켜 압축의 이득을 심각하게 감쇄시키기 때문이다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 작은 크기의 압축 데이타를 쓰기 버퍼를 통해 그룹화한 후 하나의 플래시 페이지에 저장하는 플래시 압축 계충을 설계하고 성능을 평가한다. 성능평가 결과 제안하는 플래시 압축 계층은 플래시메모리의 저장 공간을 $40\%$ 이상 확장하며 쓰기 대역폭을 크게 개선함을 확인할 수 있었다.

• 한국과학교육학회지
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• 제30권6호
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• pp.836-849
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• 2010

본 연구에서는 수업 평가와 수업 동영상을 활용한 반성 저널쓰기를 통해 예비교사들의 수업 수행 능력이 어떻게 변화하는지를 알아보았다. 6명의 예비 과학교사들의 수업을 촬영하고, 각 수업을 평가하였으며, 이들이 작성한 수업 동영상, 반성 저널, 인터뷰, 수업 자료, 수업 평가 등을 수집하였다. 수업 평가 기준은 한국교육과정평가원에서 제시한 과학과 수업 평가 기준의 평가 요소 중 16개를 사용하였다. 연구 결과, 예비교사들은 대부분의 수업 평가 요소에서 수업시연 차시를 거듭할수록 수업 수행 능력이 향상되었다. '과학에서의 연계성 짓기'는 첫 수업에서 예비교사들이 가장 낮은 수행 능력을 보인 수업 요소로 차시를 거듭해도 크게 평가가 향상되지 않았으며, 실제 수업에선 생략되는 경우가 많았다. '유의미한 학습프로그램 설계하기'요소의 향상이 가장 적게 나타났으며, 예비교사들의 수업 수행 능력은 각 수업 평가 요소 별로 개인별 차이가 크게 나타났다. 예비교사들은 교육 실습 초기에 과학 수업에서 '과학개념의 이해'가 가장 중요하다고 생각했으나, 후반기에는 상호작용과 존중, 학생 행동 관리하기 등의 중요성을 인식하는 생각의 변화를 보여주었다. 예비교사들은 수업 평가와 동영상을 통한 반성 저널의 작성이 수업 준비와 개선에 도움이 된다고 인식하고 있었으며, 수업 수행 능력의 향상이 예비교사들의 교사로서의 진로 지향에 영향을 주는 것으로 나타났다.

• 한국수학교육학회지시리즈A:수학교육
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• 제43권2호
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• pp.163-175
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• 2004

We believe new assessment strategies and practices need to be developed that will enable teachers and others to assess students' performance in a manner that reflect the 7th Korean curriculum reform vision for school mathematics. This research was conducted to develop the assessment tasks based on the current literatures such as National Council of Teachers of Mathematics (1999) and Korea Institute of Curriculum & Evaluation(KICE, 2002, 2003) in quadratic functions of the secondary school and to find the effect of these tasks by classifying students' responses. The research instrument were composed of three criteria, the previous knowledge, the application of quadratic functions, and the general properties in functions. The research data were collected from 32 high school students in a suburb of Seoul and sorted by their similarities and differences in mathematical understanding. Through the research, we could know more than ever before about how the students learned mathematics and about how to improve teachers' mathematical instruction.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제14권7호
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• pp.713-717
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• 2008

최근 플래시 메모리 용량이 증가함에 따라 대용량의 데이타를 빠르게 검색하기 위한 효율적인 인덱싱 방법의 필요성이 증가하였다. 플래시 메모리는 기존 저장매체와 다른 여러 가지 하드웨어적인 특성이 있다. 특히, 쓰기 연산과 소거 연산은 비용이 매우 크고, 덮어쓰기 연산이 불가능하다. 본 논문에서는 플래시 메모리에 저장되는 데이타에 대해여 발생하는 잦은 쓰기 연산을 감소시켜 다양한 연산을 효율적으로 처리하는 인덱스 구조를 제안한다. 본 논문에서는 성능 평가를 통해 제안하는 인덱싱 방법의 우수성을 보인다.

• 정보교육학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.141-151
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• 2003

본 연구는 초등학교 저학년 아동들의 국어 읽기 능력의 신장 및 문자 해독 능력을 배양하기 위한 입문기 문자 지도용 멀티미디어 프로그램을 설계 및 구현하는 데 그 목적이 있다. 이에 따라 본 연구에서는 기본 음절표 및 쓰기 시범 자료와 표준 발음을 포함한 학습 내용으로 재구성하여 입문기 문자 지도에서 요구되는 반복 연습 및 개별 학습의 기회를 제공하여 아동들이 자신감을 가지고 접근할 수 있는 멀티미디어 프로그램을 개발하고자 하였다. 본 프로그램은 낱자 공부, 낱말 공부, 바르게 쓰기 등의 기본 학습 내용과 동화 읽기, 쉼터 등의 심화 학습 내용 및 숨은 그림 찾기, 낱자 끌어다 놓기, 배운 것 알아보기 등의 평가 내용으로 구성되어 있으며, 실제 교육 현장에서의 활용 가능성 및 기대 효과를 제시하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.196-197
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• 2010

NAND형 charge trap flash (CTF) non-volatile memory (NVM) 소자가 30nm node 이하로 고집적화 되면서, 기존의 SONOS형 CTF NVM의 tunnel barrier로 쓰이는 SiO2는 direct tunneling과 stress induced leakage current (SILC)등의 효과로 인해 data retention의 감소 등 물리적인 한계에 이르렀다. 이에 따라 개선된 retention과 빠른 쓰기/지우기 속도를 만족시키기 위해서 tunnel barrier engineering (TBE)가 제안되었다. TBE NVM은 tunnel layer의 전위장벽을 엔지니어드함으로써 낮은 전압에서 전계의 민감도를 향상 시켜 동일한 두께의 단일 SiO2 터널베리어 보다 빠른 쓰기/지우기 속도를 확보할 수 있다. 또한 최근에 각광받는 high-k 물질을 TBE NVM에 적용시키는 연구가 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Si3N4와 HfAlO (HfO2 : Al2O3 = 1:3)을 적층시켜 staggered의 새로운 구조의 tunnel barrier Capacitor를 제작하여 전기적 특성을 후속 열처리 온도와 방법에 따라 평가하였다. 실험은 n-type Si (100) wafer를 RCA 클리닝 실시한 후 Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)를 이용하여 Si3N4 3 nm 증착 후, Atomic layer deposition (ALD)를 이용하여 HfAlO를 3 nm 증착하였다. 게이트 전극은 e-beam evaporation을 이용하여 Al를 150 nm 증착하였다. 후속 열처리는 수소가 2% 함유된 질소 분위기에서 $300^{\circ}C$와 $450^{\circ}C$에서 Forming gas annealing (FGA) 실시하였고 질소 분위기에서 $600^{\circ}C{\sim}1000^{\circ}C$까지 Rapid thermal annealing (RTA)을 각각 실시하였다. 전기적 특성 분석은 후속 열처리 공정의 온도와 열처리 방법에 따라 Current-voltage와 Capacitance-voltage 특성을 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.633-633
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• 2013

직접쓰기 기술은 재료의 낭비가 적고, 생산가격의 절감, 빠른 공정속도 및 유독물질 발생 없이 친환경적인 공정이 가능하여 디스플레이 및 인쇄전자 산업 등 다양한 분야에서 적용이 가능한 기술로 평가 받고 있다. 특히 EHD (Electro-Hydro-Dynamics) 기술을 이용한 잉크젯 방식의 경우 기존의 직접쓰기 기술에서는 어려운 고해상도의 패터닝이 가능하고 다양한 특성의 잉크에 적용 가능하다는 장점을 지니고 있어 크게 각광받고 있다. 본 연구는 내경 $60{\mu}m$, 외경 100 ${\mu}m$인 지르코니아 재질의 세라믹 노즐을 사용하여 EHD 잉크젯에서의 인가전압과 기판속도 변화에 의한 토출 현상을 연구하였다. BM 잉크를 이용하여 전압을 1.7~2.25 kV 증가하여 토출 시 구현된 라인의 선폭은 22~38 ${\um}m$까지 커졌고, AMO 잉크를 이용하여 기판속도를 25~500 mm/s 증가시켜 토출 시 구현된 라인의 선폭은 $91{\sim}21{\mu}m$로 줄어들며 라인의 두께는 400~110 nm얇아지는 것을 확인하였다. 이처럼 노즐에 인가되는 전압과 기판 속도에 따라 토출의 양상이 달라지므로 이를 적절히 조합하면 안정적으로 원하는 토출을 구현할 수 있다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2010년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.37 No.1(B)
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• pp.368-373
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• 2010

플래시 메모리의 집적도가 높아지고 가격이 저렴해 짐에 따라 낸드 플래시 기반의 SSD의 사용이 확산 되고 있다. 플래시 메모리 기반 SSD는 기존의 하드디스크와 비교하여 여러 가지 장점을 가지지만 덮어 쓰기가 불가능한 특성상 쓰기 공간 확보를 위해 가비지 컬렉션이 수행되어야 하는 단점을 가진다. 이러한 단점을 개선하기 위해 다양한 연구들이 제안되었다. 이 중, 운영체제의 페이지 캐시에 대한 연구가 상반된 주장을 보이고 있는 점[11, 12, 13]에 착안하여 실험을 통해 이를 재확인하였다. 실험 결과, 큰 용량의 페이지 캐시가 SSD를 스토리지로 갖는 시스템에서 파일 입출력 성능을 크게 향상시키는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.219-219
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• 2010

기존의 플로팅 타입의 메모리는 소자의 소형화에 따른 인접 셀 간의 커플링 현상과 전계에 따른 누설전류의 증가 등과 같은 문제가 발생한다. 이에 대한 해결책으로서 전하 저장 층을 폴리실리콘에서 유전체를 사용하는 SONOS 형태의 메모리와 NFGM (Nano-Floating Gate Memory)연구가 되고 있다. 그러나 높은 구동 전압, 느린 쓰기/지우기 속도 그리고 10년의 전하보존에 대한 리텐션 특성을 만족을 시키지 못하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결 하고자 터널베리어를 엔지니어링 하는 TBM (Tunnel Barrier Engineering Memory) 기술에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. TBM 기술은 터널 층을 매우 얇은 다층의 유전체를 사용하여 전계에 따른 터널베리어의 민감도를 증가시킴으로써 빠른 쓰기/지우기 동작이 가능하며, 10년의 전하 보존 특성을 만족 시킬 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 기술이다. 또한 고유전율 물질을 터널층으로 이용하면 메모리 특성을 향상 시킬 수가 있다. 일반적으로 TBM 기술에는 VARIOT 구조와 CRESTED 구조로 나눠지는데 본 연구에서는 두 구조의 장점을 가지는 Staggered tunnel barrier 구조를 $Si_3N_4$와 HfAlO을 이용하여 디자인 하였다. 이때 HfO2와 Al2O3의 조성비는 3:1의 조성을 갖는다. $Si_3N_4$와 HfAlO을 각각 3 nm로 적층하여 리세스(Recess) 구조의 트랜지스터를 제작하여 차세대 비휘발성 메모리로써의 가능성을 알아보았다.