Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2008.05a
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pp.925-928
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2008
With basis of the development of information communication techniques in recent year, the digital processing techniquy also has been growed fast. The digital processing technique have used signals - speech and image processing- for processing of transmission and analysis. After we get and save the signals. Effective signal processing techniques have varied filters and typical digital filters are FIR filter and IIR filter. The FIR digital filter is more secure because phase response characteristics have linear phase. But, FIR digital filters have a problem to product the Gibbs phenomenon generating around a discontinuous point. A propose of filer is to remove the problem. Therefore, in this paper I was proposed a method using FIR digital filter applied a modified window function and the method was compared with conventional methods.
최근 개개인 건강에 대한 관심이 증가하고 사물인터넷이 발달함에 따라 웨어러블 헬스케어 분야 시장이 급속도로 성장하고 있다. 특히 인체에서 발생하는 신호를 실시간으로 감지하고 모니터링 할 수 있는 웨어러블 센서의 중요도가 늘어나고 있으며 특히 맥박에 의한 혈관 변화처럼 미세한 인체의 변형 신호나 체온, 외부의 온도 등에 의해 발생하는 신호를 감지할 수 있는 고감도 스트레인 센서와 온도 센서에 대한 관심이 증가하고 있다. 하지만 현재 사용되고 있는 웨어러블 센서들은 몇 가지의 한계점을 가지고 있으며 상용화되기에 부족한 문제가 있었다. 본고에서는 이와 같은 기존 웨어러블 센서의 문제를 해결할 수 있는 소재로 각광받고 있는 나노 입자 기반 웨어러블 센서에 대하여 다루고자 한다. 나노 입자를 사용한 웨어러블센서는 간단한 방법으로 고감도를 확보할 수 있고 용액 공정을 통해 저가로 생산이 가능하기 때문에 웨어러블 센서 소재로서 적합하다. 여기서는 나노 입자의 기본적 특성과 나노 입자 기반 스트레인 센서 및 온도 센서 동향을 소개한다. 차세대 헬스케어 분야의 선두 주자가 되기 위해서는 나노 소재를 기반으로 한 웨어러블 센서의 개발과 연구가 중요하다.
Shin, Ho Yong;Hong, Su Min;Kim, Jong Ho;Jeong, Dae Yong;Im, Jong In
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.23
no.6
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pp.265-271
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2013
Czochralski (CZ) growth process is one of the most important techniques for growing high quality sapphire single crystal for LED application. In this study, the inductively-heated CZ growth processes for the sapphire crystal of 300 mm length have been analyzed numerically using finite element method. The hot zone structures were modified with the crucible geometry change and the additional insulation layer installed above the crucible. The results show that the solid-liquid interface height decreased from about 80 mm at initial stage to 40 mm after mid-stage due to achieve the growth speed balance. Also the optimal input power of the modified system was similar with the original one due to the compensation effects of the crucible geometry and additional insulation. The crystal temperature grown by the modified CZ grower was increased about 10 K than the original one. Therefore the sapphire crystal of 300 mm height was grown successfully.
The research has been carried out to optimize a recombinant S. cerevisine fermentation process for the production of an anticoagulant hirudin. The structural gene coding for hirudin was combined with the GAL10 promoter for controlled expression, the MFal signal sequence for hirudin secretion, and the GAL7 terminator for transcriptional termination. Growth medium composition and environmental conditions were optimized for maximizing cell growth and final hirudin concentration. The optimized conditions included yeast extract 40g/$\ell$, casamino acid 5g/$\ell$, g1ucose 20g/$\ell$, galactose 30g/$\ell$, DO 50% and temperature $30^{\circ}C$. These conditions yielded the specific cell growth rate of $0.13hr^{-1}$, the final cell density of 30g cell/$\ell$ and the final hirudin concentration of 64mg/$\ell$ in the batch fermentation with a 2.5$\ell$ jar fermentor.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.236.2-236.2
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2014
세계 반도체 시장은 컴퓨터 기능이 더해진 모바일 기기의 수요가 증가함에 따라 메모리반도체의 시장규모가 최근 빠른 속도로 증가했다. 특히 모바일 기기에서 저장장치 역할을 하는 비휘발성 반도체인 NAND Flash Memory는 스마트폰 및 태블릿PC 등 휴대용 기기의 수요 증가, SSD (Solid State Drive)를 탑재한 PC의 수요 확대, 서버용 SSD시장의 활성화 등으로 연평균 18.9%의 성장을 보이고 있다. 이러한 경제적인 배경 속에서 NAND Flash 미세공정 기술의 마지막 단계로 여겨지는 1Xnm 공정이 개발되었다. 그러나 1Xnm Flash Memory의 생산은 새로운 제조설비 구축과 차세대 공정 기술의 적용으로 제조비용이 상승하는 단점이 있다. 이에 따라 제조공정기술을 미세화하지 않고 기존의 수평적 셀구조에서 수직적 셀구조로 설계 구조를 다양화하는 기술이 대두되고 있는데 이 중 Flash Memory의 대용량화와 수명 향상을 동시에 추구할 수 있는 3D NAND 기술이 주목을 받게 되면서 공정기술의 변화도 함께 대두되고 있다. 3D NAND 기술은 기존라인에서 전환하는데 드는 비용이 크지 않으며, 노광장비의 중요도가 축소되는 반면, 증착(Chemical Vapor Deposition) 및 식각공정(Etching)의 기술적 난이도와 스텝수가 증가한다. 이 중 V-NAND 3D 기술에서 사용하는 박막증착 공정의 경우 산화막과 질화막을 번갈아 증착하여 30layer 이상을 하나의 챔버 내에서 연속으로 증착한다. 다층막 증착 공정이 비정상적으로 진행되었을 경우, V-NAND Flash Memory를 제조하기 위한 후속공정에 영향을 미쳐 웨이퍼를 폐기해야 하는 손실을 초래할 수 있다. 본 연구에서는 V-NAND 다층막 증착공정 중에 다층막의 두께를 가상 계측하는 알고리즘을 개발하고자 하였다. 증착공정이 진행될수록 박막의 두께는 증가하여 커패시터 관점에서 변화가 생겨 RF 신호의 진폭과 위상의 변화가 생긴다는 점을 착안하여 증착 공정 중 PECVD 장비 RF matcher와 heater에서 RF 신호의 진폭과 위상을 실시간으로 측정하여 데이터를 수집하고, 박막의 두께와의 상관성을 분석하였다. 이 연구 결과를 토대로 V-NAND Flash memory 제조 품질향상 및 웨이퍼 손실 최소화를 실현하여 제조 시스템을 효율적으로 운영할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
With the financial crisis from USA had negative impacts on the real economy, base metals price on LME was downward in 4 quarter of 2008. Following the deepest global downturn in recent history, economic growth solidified and broadened to advanced countries and simultaneously the price of base metal on LME showed a rising curve over 2009. There are three factors supported an upward tendency of base metal's price. The First factor is the US economy recovery, the second factor is the weak dollar, the third factor is the chinese base metal demand. Among the factors, the last one is a major factor. Therefore, this study analyze the factor of the movement of price of base metal with linear regression analysis. The result of analysis show that the chinese GDP growth has effect on the recent upward base metal price. Despite the result, the upward movement is difficult to be sustained without the full recovery of advanced economies.
The growth characteristics on the MgO thin films prepared by the e-beam evaporation method have been investigated. We observed the film of preferred orientation and surface morphology with various parameters such as substrate temperature, deposition rate on Si(100) and slide glass respectively. Consequently, it was shown that MgO(111) preferred orientation films can be obtained as the deposition rate was increased on Si(100) substrate. MgO(220) peak was found as the substrate temperature was increased. Whereas, in case of slide glass the orientation is changed from (200) to (111) by substrate temperature. Also we investigated the relationship between the film characteristics and the orientation of MgO thin films.
CTI[1]의 응용 영역 중에서 인터넷 폰이 최근 뜨거운 관심의 대상으로 떠오르고 있다. 인터넷을 이용한 음성전달 기술은 인터넷의 성장 보급과 더불어 나날이발전 하고 있는데, 이러한 음성전달기술을 이용해 개발된 소프트 웨어를 통칭해서 인터넷 폰이라고 부르고 있다. 이러한 변화 속에서 비용의 절감과 비디오 전화, 영상회의와 같은 응용에 적용할 수 있는, 본 개발은 One Encoder One Decoder 지원의 VoIP(Voice over Internet Protocol) Phone에 관한 것으로, 특히 압축하여 인터넷 망에 접속시켜 사용할 수 있는 PC 장착형 One Board 형태의 시스템을 구현하였다. 이 Board에 사용 된 칩셋은 국내 회사인 C&S Technology 사의SEAGUL723이며, PC인터페이스는 PCI(Peripheral Component Interconnect) 버스 방식을 이용하였다. 주요 연구내용에 있어서 하드웨어 부분은 내선제어모듈,PCI 모듈, 칩셋을 이용한 음성신호처리 모듈, Board제어 모듈 등이 있으며, 소프트 웨어 설계 부분에 있어서는 하드웨어 구동을 위한 시스템 드라이브, Application과 인터넷 상의 VoIP 통신을 위한 소프트웨어, 사용자를 위한 User Interface 소프트 웨어 등이 있다.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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1999.10c
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pp.241-243
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1999
인터넷이 급속도로 성장함에 따라 대형화된 망을 효과적으로 운용하기 위해서는 망 상태를 정확하게 파악하는 일이 매우 중요하다. 망 상태를 파악하기 위한 한 방법으로 능동적 측정 방법을 이용한 종단간 성능 측정 방법이 있다. 본 연구에서는 지금까지 능동적 측정 인자로 사용되던 양방향 인자들의 문제점들을 보완한 새로운 측정 대상인 단방향 인자들을 측정하기 위한 측정 도구를 구현하였다. 단방향 측정에서는 무엇보다 측정 대상인 종단간의 시간 동기화가 가장 중요하다. 본 연구에서는 GPS 위성 신호를 이용하여 정확한 시간 동기화를 하였으며, 실제 망에 적용하여 단방향 인자들을 측정한 결과를 분석하였다.
On this study, the fatigue crack propagation of super duplex stainless steel is investigated in conditions of various volume fraction of austenite phase by changing heat treatment temperature. And we analysed acoustic emission signals during the fatigue test by time-frequency analysis methods. As the temperature of heat treatment increased, volume fraction of austenite decreased and coarse grain was obtained. The specimen heat treated at $1200^{\circ}C$ had longer fatigue life and slower rate of crack growth. As a result of time-frequency analyze of acoustic emission signals during fatigue test, main frequency was $200{\sim}300kHz$ having no correlation with heat treatment and crack length, and 500kHz was obtained by dimple and separate of inclusion
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[게시일 2004년 10월 1일]
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