• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 2002.12a
• /
• pp.172-173
• /
• 2002

스핀전자소자 연구 분야의 가장 큰 관심은 전하와 스핀의 자유도를 동시에 고려하여 메모리 및 논리용 트랜지스터를 구현하려는데 있다. 스핀 분극 된 전자를 자성금속으로부터 상자성 및 절연체를 이용하여 또 다른 자성체 및 반도체, 초전도체에 주입하는 일 (Spin injection)에 관한 연구가 일부 진행되어 왔다. 두 개의 자성 금속 사이에 Au등의 상자성 금속을 끼워 넣는 구조로 한쪽의 자성금속을 스핀 소스로 사용하여 상자성 금속에 스핀을 주입하고 다른 쪽의 자성금속으로 주입된 스핀을 검출하는 스핀 스위치 저장소자로서의 양극 스핀 트랜지스터 (bipolar spin transistor)를 많은 연구소에서 제조 연구하였다. (중략)

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
• /
• v.50 no.5
• /
• pp.199-207
• /
• 2013

Spin images representing efficiently surface features of 3D mesh models have been used to detect facial landmark points. However, at a certain point, different normal direction can lead to quite different spin images. Moreover, since 3D points are projected to the 2D (${\alpha}-{\beta}$) space during spin image generation, surface features cannot be described clearly. In this paper, we present a method to detect 3D facial landmark using improved spin images by partitioning the search area with respect to angle. By generating sub-spin images for angular partitioned 3D spaces, more unique features describing corresponding surfaces can be obtained, and improve the performance of landmark detection. In order to generate spin images robust to inaccurate surface normal direction, we utilize on averaging surface normal with its neighboring normal vectors. The experimental results show that the proposed method increases the accuracy in landmark detection by about 34% over a conventional method.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 2002.12a
• /
• pp.56-57
• /
• 2002

반도체를 이용한 스핀트로닉스(spintronics) 기술은 Spin LED, Spin FET 그리고 Spin RTD 등과 같은 차세대 신개념 소자에 응용될 수 있다는 점에서 상당한 각광을 받고 있다[1]. 이 중에서 강자성체의 박막을 사용하여 스핀 분극된 전자를 주입(inject)하고 반도체 내에 스핀 분극된 전자를 이동(transport)시킨 다음, 강자성체의 박막으로 이러한 스핀을 검출(detect) 할 수 있는 기술이 개발된다면 앞으로 새로운 분야의 가능성이 열릴 수 있다고 기대할 수 있다[2,3]. (중략)

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.21 no.2
• /
• pp.67-76
• /
• 2011

Semiconductor spintronics is an emerging interdisciplinary technology based on the electron spin degree of freedom, combining the magnetic materials and semiconductors. The spin transistor represents a novel semiconductor device, in which the electron spin is injected, manipulated, and detected, and thereby a memory function and data processing function are enabled in one device. Particularly, the spin transistor based on Silicon, the mainstream semiconductor, might have a significant impact on information technology. This review introduces the major progresses of Silicon spintronics in recent years, and describes the technical issues for the future.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.16 no.2
• /
• pp.121-129
• /
• 2006

The diffusion theory for spin injection from magnetic layer into nonmagnetic layer was reviewed. Basic equations were derived and applied to a ferromagnet/semiconductor/ferromagnet system. The spin polarization and magnetoresistance were calculated. The reason for difficulty in detecting spin injection with magnetoresistance was explained, and a possible solution was discussed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.396-396
• /
• 2010

최근에 자구벽 이동을 이용한 race track memory, 혹은 나노자성체의 자구 동역학 등에 대한 관심이 집중되고 있다. 용량은 하드디스크의 크기를 가지며 속도는 SRAM, 집적도는 DRAM에 필적하는 새로운 메모리의 실현은 지금까지 이용되는 대부분의 메모리를 대체할 가능성이 있다. 이러한 메모리의 개발에 가장 기본이 되는 측정기술은 나노크기의 자성 구조체에서 자구 혹은 자구벽 이동을 측정하는 기술로써 현재 국내에서 자성 나노구조의 자화방향과 더불어 topography를 동시에 측정할 수 있는 장치는 본 SEMPA가 유일하다. SEMPA는 기존에 사용되어지던 SEM(전자 현미경) 에서 알 수 있는 나노 구조의 형상이외에 전자의 스핀방향을 검출함으로써 형상과 스핀의 결함된 imaging 을 할 수 있다. 일반적으로 기존의 SEM의 경우 고 에너지빔의 전자빔을 주사시키고 이때 발생되는 이차 전자의 수를 2차원상의 영역에 따라 달라지는 비로 mapping 을 하게 된다. 이때 전자의 수뿐만 아니라 이들의 스핀편향(spin polarization) 을 측정할 수 있다면 형상뿐만 아니라 표면에서의 스핀상태를 동시에 측정 할 수 있게 된다. 본 발표에서는 이 방법을 이용하여 나노구조체의 자구측정 결과를 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.11a
• /
• pp.357-357
• /
• 2008

Spin injection experiment is conducted in epitaxially grown Fe/GaAs hybrid structure. For the formation of Schottky tunnel barrier between Fe and GaAs layers, highly n-doped GaAs layers are grown after n-doped channel layer. A non-local measurement, a voltage measurement probes do not contain a charge current path, is used for detecting only the chemical potential differences by the spin transport. As a result, the dips that are nicely matched with antiparallel region are obtained.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2009.10a
• /
• pp.553-554
• /
• 2009

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.16 no.3
• /
• pp.157-162
• /
• 2006

In this study, a high sensitive giant magnetoresistance-spin valve (GMR-SV) bio-sensing device with high linearity and very low hysteresis was fabricated by photolithography and ion beam deposition sputtering system. Detection of the Fe-hemoglobin inside in a red blood and magnetic nanoparticles using the GMR-SV bio-sensing device was investigated. Here a human's red blood includes hemoglobin, and the nanoparticles are the Co-ferrite magnetic particles coated with a shell of amorphous silica which the average size of the water-soluble bare cobalt nanoparticles was about 9 nm with total size of about 50 nm. When 1 mA sensing current was applied to the current electrode in the patterned active GMR-SV devices with areas of $5x10{\mu}m^2 $ and $2x6{\mu}m^2 $, the output signals of the GMRSV sensor were about 100 mV and 14 mV, respectively. In addition, the maximum sensitivity of the fabricated GMR-SV sensor was about $0.1{\sim}0.8%/Oe$. The magnitude of output voltage signals was obtained from four-probe magnetoresistive measured system, and the picture of real-time motion images was monitored by an optical microscope. Even one drop of human blood and nanopartices in distilled water were found to be enough for detecting and analyzing their signals clearly.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.148-149
• /
• 2006