• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.26 no.2
• /
• pp.50-54
• /
• 2016

We analyzed the angular dependence of ferromagnetic resonance linewidth in exchange coupled CoFe/MnIr bilayers. The maximum and minimum linewidth was observed in the easy and hard direction of unidirectional anisotropy by exchange coupling, respectively, and it was well agreed with the angular dependence of exchange bias field. The maximum linewidth was due to the twist of CoFe magnetization near CoFe/MnIr interface from direction of pinned MnIr spin to direction of applied magnetic field. While, minimum linewidth more higher than that of CoFe was related to rotatable anisotropy field, and explained by easy axis distribution of MnIr grains.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.29 no.2
• /
• pp.80-87
• /
• 1985

Radiation damage in a single crystal of ammonium sulfate caused by ${\gamma}$-irradiation at room temperature has given rise to several paramagnetic centers. Electron spin resonance (ESR) spectra of crystal are obtained with the X-band EPR spectrometer at room temperature. An intense and isotropic peak of Gaussian shape at g = 2.0036 is assigned to $SO_3^-$, which shows power saturation effects. Angular dependence of spectra is studied for the rotations about three mutually perpendicular axes a, b and c. The g-values are obtained from the relative distances between isotropic peak of $SO_3^-$ and anisotropic peak of the species. Principal $g^-$values and direction cosines were calculated by diagonalizing the 3${\times}$3 matrix whose elements are the $g^-$values for each species. From the analysis of characteristic principal $g^-$values and direction cosines for ammonium sulfate single crystal, anisotropic peaks corresponding to $SO_4^-,\;SO_2^-$ and defect structure corresponding to electron excess type are identified.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.177.1-177.1
• /
• 2014

단일벽 탄소나노튜브(single-wall carbon nanotube)와 그래핀(graphene)과 같은 저차원 구조의 탄소물질은 우수한 기계적, 전기적, 열적 광학적 특성으로 인해 투명하고 유연한 차세대 전자소자로의 응용(투명전극, 투명트랜지스터, 투명센서 등)을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 단일벽 탄소나노튜브와 단일층 그래핀을 이용한 하이브리드 박막을 제작하여 투명전극(transparent electrode)과 전계효과 트랜지스터(field effect transistors)로의 응용 가능성을 연구하였다. 하이브리드 박막의 제작은 간단한 방법으로 단일벽 탄소나노튜브가 스핀 코팅된 구리 호일 위에 열 화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)을 통해 제작 하였다. 제작 과정 중 탄소나노튜브의 스핀코팅 조건을 최적화하여 하이브리드 박막에서 탄소나노 튜브의 밀도와 정렬을 제어하였으며 하이브리드 박막 제작 후 스핀 코팅 방향에 따른 박막의 저항을 측정하여 단일벽 탄소나노튜브의 코팅 방향에 따라 박막의 저항이 달라지는 모습을 확인할 수 있었다. 하이브리드 박막의 투명전극 특성을 확인 한 결과 $300{\Omega}/sq$의 면저항에 96.4%의 우수한 투과도를 보이는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 하이브리드 박막은 CVD 그래핀과 비교하여 향상된 와 on-state current를 보이는 것을 확인 할 수 있었다. 우리는 단일벽 탄소나노튜와 단일층 그래핀으로 이루어진 하이브리드 박막이 앞으로의 투명하고 유연한 소자제작 연구에 있어 새로운 투명 전극 및, 트랜지스터 제작 방법을 제시 할 수 있을 것이다.

• Journal of radiological science and technology
• /
• v.33 no.1
• /
• pp.45-50
• /
• 2010

In this study, we compared the clinical usefulness of SPAIR (Spectral Adiabatic Inversion Recovery) and STIR (Short TI Inversion Recovery) to evaluate the fat tissues precisely. The images of brain axial (n = 20), lumber spine sagittal (n = 20), hip joint coronal (n = 17) and knee joint (n = 25) were obtained by turbo spin echo T2 weighted method on 3T magnetic resonance image. The signal intensity (SI) values were measured using region of interest in fat, muscle tissue, and background noise. The inhomogeneity values were measured using the standard deviation (SD) value divided by the mean values. SD signifies the amount of error which is similar to the imaging heterogeneity. In brain axial images, the SPAIR showed more superior SI and inhomogeneity results than the STIR. In spine, hip and knee images, STIR showed more excellent SI results, but poor inhomogeneity than the SPAIR.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.17 no.5
• /
• pp.210-214
• /
• 2007

Recent years have seen a rapid development of spintronics. One of the major achievements of this field is the understanding of spin dependent process in various physical systems, for example, metallic multilayers showing the giant magnetoresistance (GMR). Today devices based on the GMR are revolutionizing electronic data storage. In this paper, we review recent developments in the research on GMR of low dimensional structures. We describe the magnetoresistance properties of magnetic multilayers, multilayered nanowires and nonopillars, etc.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.19 no.1
• /
• pp.22-27
• /
• 2009

Reduction of the critical current density ($J_c$) for STT magnetization switching is most important issue of magnetic tunnel junctions (MTJs) based MRAM. This report describes how to decrease the Jc and will introduce the recent research progresses of STT-MRAM devices with material engineering and structural improvement, respectively.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.11 no.1
• /
• pp.21-25
• /
• 2001

$\alpha$-Fe$_2$O$_3$ thin films were prepared on Si substrate by a pulsed laser deposition system and characterized by X-ray and Mossbauer spectroscopy. The appropriate conditions of pulsation was the power of 5.128 W/cm2 at on oxygen pressure of 0.1 Torr at a substrate temperature of 30$0^{\circ}C$. After that the film was heated at 80$0^{\circ}C$ for 1 day. The particles shape deposited on the film was ellipsoidal and the average length and width were 200~300 nm, 70~150 am respectively. The crystal structure was conformed to be of corundums symmetry with the hexagonal unit cell having a lattice constant of u = 5.03$\pm$0.05 $\AA$, c = 13.735$\pm$0.05 $\AA$. The average angles between the atomic spin and the magnetic hyperfine field of Fe ion were 38$^{\circ}$and 48$^{\circ}$ at above and blow the Morin transition temperature respectively. The Morin transition was found to occur at the temperature ranges from 200 K to room temperature and atomic spin direction was assumed to change from 48$^{\circ}$ to 80$^{\circ}$in respect to the c-axis.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.11 no.5
• /
• pp.211-216
• /
• 2001

Top synthetic spin valves wi th structure Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe(Pl)/Ru/CoFe(P2)/FeMn/Ta on Si (100) substrate with SiO$_2$ of 1500 were prepared by dc magnetron sputtering system. We have changed only the thickness of the free layer and the thickness difference (Pl-P2) in the two ferromagnetic layers separated by Ru, and investigated the effect of magnetic film thickness on the GMR properties and the interlayer coupling field in a spin valve with a synthetic antiferromagnet. As thickness difference of pinned layer was decreased from +25 to -25 , MR ratio was decreased gradually. However, there was a dip zone indicating a big change of MR ratio around Pl = P2, which can be due to the large canting of pinned layers. The modified Neel model was suggested for the top synthetic spin valve to explain the interlayer coupling field according to the thickness change of ferromagnetic layers. The interlayer coupling field was decreased due to the magnetostatic coupling (orange peel coupling) as suggested by model. However, the interlayer coupling field was not explained at the dip zone by the modified Neel model. The deviation of modified Neel model at the dip zone could be due to the largely canting of the pinned layers as well, which depends on different thickness in synthetic antiferromagnetic structure.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.237-237
• /
• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[1], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.236-236
• /
• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[l], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.