• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.235-236
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• 2014

인듐 주석 산화물 박막을 In/Sn (2, 5 wt.%) 합금 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 증착하였다. 기판온도는 상온에서 증착하였으며, 증착 중 DC 파워는 70W부터 120W 까지 10W 단위로 증가시켜 증착하였다. 증착 된 박막을 대기중에서 후 열처리를 각 6, 12 시간 진행하여 전기적 특성을 평가하였으며 평가 장비는 Hall-effect measurements system을 사용하였다. ITO (Indium Tin Oxide) 박막의 비저항은 합금의 Sn 조성별로 다르게 나타났다. Sn 5wt.% 타겟을 이용한 경우에는 DC 파워 90W를 기준으로 더 낮은 파워에서는 열처리에 따라 비저항이 증가하였고, 더 높은 파워에서는 열처리를 한 경우 비저항이 더 낮게 나타났다. 이러한 결과가 나온 이유는, DC 파워가 높은 경우 스퍼터링 공정 중 발생하는 고 에너지 입자 충돌에 의해 산소가 re-sputtering되어 산소가 부족한 박막이 형성되기 때문인 것으로 판단된다. Sn 2 wt.% 타겟의 경우에는 큰 차이를 나타내지 않았으며, 이러한 원인은 Sn 함량이 적기 때문에 산소 공급으로 인해 결정성이 향상되더라도 활성화 Sn의 양이 적기 때문에 나타나는 현상으로 판단된다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.52 no.10
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• pp.436-440
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• 2003

The (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$)Ti $O_3$(SCT) thin films were deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/ $SiO_2$/Si) using RF sputtering method according to the deposition condition. The optimum conditions of RF power and Ar/ $O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about 18.75[$\AA$/min] at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.102 in A/B ratio). The capacitance characteristics had a stable value within $\pm$4[%]. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in SCT thin films were observed above 200[kHz]. SCT thin films used in this study showed the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency.ncy.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.5 no.4 s.17
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• pp.5-9
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• 2006

The SCT thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method with Sr/Ca ratio. The maximum grain of thin films is obtained by ratio of Ca at 15 mol%. The dielectric constant was increased with increasing the ratio of Ca, while it was decreased if the ratio of Ca exceeded over 15 mol%. The dielectric constant changes almost linearly in temperature ranges of $-80{\sim}+90$. All SCT thin films used in this study show the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 200 kHz. The current-voltage characteristics of SCT thin films showed the increasing leakage current as the measuring temperature increases.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1997.11a
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• pp.189-193
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• 1997

(S $r_{0.85}$/C $a_{0.15}$)Ti $O_3$(SCT) thin films at various deposition temperature and rf power were grown by rf magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/ $SiO_2$/Si). The crystallinity of the films increases with increasing deposition temperature. SCT thin film is depend on the surface morphology and crystallinity of Pt films for bottom electrode. Dielectric constant of (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$)Ti $O_3$ thin films deposited on Si wafer substrate are larger with the increase of deposition temperature and gain size.in size.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.198-199
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• 2011

본 연구에서는 99.99% Mg을 증착금속으로 하여 DC 스퍼터링법으로 Al, Zn 중간층의 삽입유무에 따라 Mg막을 제작하였다. 또한 제작과정 중 진공도의 조건에 따라 변화하는 기판상의 증착 Mg 입자와 잔존 Ar 가스의 상대적인 함량비가 막의 결정구조학적 결정배향성과 표면 몰포로지의 형성에 영향을 주는 관계를 열에너지에 의한 표면확산 이동도 관점 뿐만 아니라 흡착 인히비션 및 흡장 효과도 분석-검토하였다. 그리고 Mg막의 물성관계의 해석은 Zn, Al등의 중간층 유무에 따라 구분 해석함으로써 이들의 몰포로지와 결정배향성의 차이가 내식성에 미치는 영향에 대해서 비교 및 평가하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1996.11a
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• pp.206-208
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• 1996

Thin films of magnesium oxide(MgO) were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering method. The characteristics of MgO thin films were analyzed as a function of various deposition conditions such as substrate temperature, substrate self-bias, input power and pressure. As the substrate temperature and bias voltage were increased, the grain size of MgO thin film increased. XRD peaks of (111) and (222) direction became dominant, as the substrate bias voltage increases and temperature decreases.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.91-91
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• 2008

다양한 증착 조건에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 플라스틱 기판위에 $SnO_2$가 5, 7, 10wt% 도핑된 고밀도 ITO타겟으로 증착한 ITO박막의 기계적, 전기적 특성을 연구하였다. $SnO_2$가 7wt% 도핑된 ITO타겟으로 증착한 박막에서 $3.19{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항 값을 관찰할 수 있었고, 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.93-94
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• 2007

DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 전도성이 다른 타겟을 사용하여 non-alkali glass 기판위에 실온에서 ITO 박막을 증착하였다. 전도성 향상 타겟을 사용하여 증착한 ITO 박막의 경우, 최저 비저항은 2.9 ${\times}$ $10^{-4}{\Omega}cm$로 산소첨가량 0.5%에서 얻어졌다. 이것은 타겟 표면의 노듈에 의하여 발생하여 박막물성을 저하시키는 마이크로 아킹의 감소 및 플라즈마 임피던스의 감소에 의한 방전 안정성의 증가에 기인한다고 생각된다. 한편 AFM에 의한 박막표면의 관찰결과, 산소첨가량에 따라 박막표면의 거칠기는 증가하는 것으로 나타났다. 이결과는 산소의 증가에 따른 박막의 부분적인 결정화에 기인한다고 생각되어진다. 그러나 XRD 관찰 결과 산소첨가에 따른 박막의 미세구조의 변화는 확인 할 수 없었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.99-100
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• 2007

마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 플라스틱 기판위에 IZO(Indium Zinc Oxide) 박막을 증착하였다. 저전압 방전을 위하여 RF 중첩형 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하였으며, 인가 power에 따른 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성과 굽힘에 대한 신뢰성을 평가하였다. 플라스틱 기판이 변형되지 않도록 $90\;^{\circ}C$ 이하의 범위에서 기판온도와 산소분압을 변화하여 $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm의 비저항, 95 % 이상의 가시광 투과도를 가지는 IZO 박막을 증착할 수 있었다. 또한 본 연구에서 비가열의 플라스틱기판 위에 증착한 IZO 투명전극을 이용하여 유연성 OLED를 제작하였으며, 제작된 소자의 특성은 13.7 %의 최대양자 효율과 32.7 lm/W의 전력효율을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.41-41
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• 2007

타겟-모재간 거리를 변수로 하여 마그네트론 스퍼터링법에 의해 CrN 박막을 합성하고 미세구조 및 물성을 평가하였다. 타겟-모재간 거리 85mm 및 180mm에서 CrN 박막을 합성하였으며, 합성된 코팅막의 내식 특성을 평가하기 위해 양극분극시험을 수행하였다. 타겟-모재간 거리 변화에 따른 미세구조 변화를 관찰하기 위해 주사전자현미경을 이용하여 박막의 파단면 조직을 관찰하였으며, XRD 분석을 통해 상천이 거동을 관찰하고 이를 물성 결과와 비교 분석하였다.