The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.11
no.2
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pp.225-229
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2011
In this study, capacitive type pressure sensors based on low temperature co-fired ceramics (LTCC) technology for environmental monitoring were demonstrated. The LTCC is one of promising technology than is based one since it has many advantages (e.g., low cost production, high manufacturing yields and easy realizing 3D structure etc.) for sensor application. Especially, it has good mechanical and chemical properties for robust environmental application. The 3D LTCC diaphragm with thickness of 400 ${\mu}m$ were fabricated by laminating 4 green sheets using commercial powder (NEG, MLS 22C). To evaluate the sensing properties of the different cavity areas, two types of diaphragm which had different cavity areas with 25, 49 $mm^2$ respectively, were fabricated. To realize capacitive type pressure sensor, the Au top electrode was fabricated using thermal evaporator and the bottome electrode was compressed using aluminium foil. The sensing properties of the fabricated sensors showed linear characteristic under different pressure (0~30 psi) using pressure measurement system.
Kim, Kwan-Soo;Yoon, Sang-Ok;Shim, Sang-Heung;Park, Jong-Guk
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.20
no.1
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pp.19-24
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2007
The effects of $B_2O_3-SiO_2-R(R;CaO,\;BaO,\;ZnO,\;Bi_2O_3)$ borosilicate glass system on the sintering behavior and microwave dielectric properties of ceramic/glass composites were investigated as functions of modifier, glass addition ($30{\sim}50\;vol%$) and sintering temperature ($500{\sim}900^{\circ}C$ for 2 hrs). The addition of 50 and 45 vol% glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. Sintering characteristics of the composites were well described in terms of modifier. Borosilicate glass enhanced the reaction with $Al_{2}O_{3}$ to form pores, second phases and liquid phases, which was responsible to component of modifier. Dielectric constant (${\varepsilon}_{r},\;Q{\times}f_{o}$) and temperature coefficient of resonant frequency (${\tau}_{f}$) of the composite with 50 and 45 vol% glass contents($B_{2}O_{3}:SiO_{2}:R=25:10:65$) demonstrated A-CaBS(7.8, 2,560 GHz, -81ppm/$^{\circ}C$), A-BaBs(5.8, 3.130 GHz, -64 ppm/$^{\circ}C$), A-ZnBS(5.7, 17,800 GHz, -21 ppm/$^{\circ}C$), A-BiBs(45 vol% glass in total)(8.3, 2,700 GHz, -45 ppm/$^{\circ}C$) which is applicable to substrate requiring an low dielectric properties.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.26
no.8
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pp.1172-1182
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2002
In the present study a general criterion for local thermal equilibrium is presented in terms of parameters of engineering importance which include the Darcy number, the effective Prandtl number of fluid, and the Reynolds number. For this, an order of magnitude analysis is performed for the case when the effect of convection heat transfer is dominant in a porous structure. The criterion proposed in this study is more general than the previous criterion suggested by Carbonell and Whitaker, because the latter is applicable only when conduction is the dominant heat transfer mode in a porous medium while the former can be applied even when convection heat transfer prevails. In order to check the validity of the proposed criterion for local thermal equilibrium, the forced convection phenomena in a porous medium with a microchanneled structure subject to an impinging jet are studied using a similarity transformation. The proposed criterion is also validated with the existing experimental and numerical results for convection heat transfer in various porous materials that include some of the parameters used in the criterion such as a microchannel heat sink with a parallel flow, a packed bed, a cellular ceramic, and a sintered metal. It is shown that the criterion presented in this work well-predicts the validity of the assumption of local thermal equilibrium in a porous medium.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.33-55
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2016
PVD(Physical Vapour Deposition)코팅은 70년대 미국의 Multi-arc이란 기업에 의해 질화물계나 탄화물계 피막 증착이 가능한 아크이온플레팅(Arc Ion Plating) 기술이 산업에 소개되어, 주로 내마모나 내구성을 요구하는 금형, 절삭공구, 산업용 부품 분야 등에 적용되면서 꾸준한 성장세를 거듭해 왔다. 최근 들어 PVD기술은 그 수요의 급증과 더불어 보다 진화된 형태의 코팅장치 및 코팅피막들이 산업에 소개 되고 있다. 먼저 절삭가공분야에는 new composition, nano composite, multi-element composition, multi-layer, SML(Self Modification Layer)등의 코팅피막들이 단독 또는 조합된 형태로 개발되어 철계 소재를 대상으로 고경도 소재의 고속가공, 저경도~중경도 소재의 중속~고속 광범위영역에서 동시 절삭을 가능케 하였고, 비철.비금속 소재 절삭용으로 종전의 가스방식의 DLC(a-C:H)코팅을 훨씬 능가하는 ta-C Plus(Ultra super DLC) 코팅이 개발되어 고 Si함량의 Al-Si계 합금, Cu-W계, 고 섬유 CFRP, CFRM 및 반소결 상태의 세라믹 소재들을 황삭에서 정삭까지 단일 공정으로 절삭이 가능한 고성능 공구들이 개발보급되고 있다. 금속 성형분야에는 고장력 강판을 냉간에서 성형 가능한 Lubricative multi-layer coating, 열간 또는 고온에서 성형이 가능한 functional multi layer과 이형성이 더한층 개선된 dimpled(or embossed) functional multi layer 코팅들이 개발되어 산업현장에 빠르게 확산되고 있다. PVD 코팅의 또 다른 주요 적용분야로 의료분야를 들 수 있는데, 이는 코팅의 대다수가 고경도의 생체친화적인 특성을 가진데 착안되었으며, 흔히 현대성 질환이라 일컫는 과민성 체질, 과체중 및 허약체질 환자의 증가와 각종 재해 및 사고의 증가 및 인간 수명 증가에 따른 인공적인 시술의 요구증가에 편승하여 이 분야의 시장 또한 가파르게 성장하고 있다. 또한 대량으로 양산 적용단계에 접어든 자동차 핵심부품들을 비롯해서 각종 산업용, 방산용 기계 부품에도 성능 향상, 내구성 향상, 환경친화성 등 다양한 목적으로 확대 적용되고 있는 사례들을 본 발표를 통해 간략하게나마 소개하고자 한다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.6
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pp.454-457
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2010
The influence of CuO addition on what of the $(Ba,Sr)TiO_3$ ceramics was studied. The sintering temperature of $(Ba,Sr)TiO_3$ ceramics was lowered by the addition of CuO additives. The 1 - 5 wt% CuO were selected and employed as the sintering aids. Low-Temperature Co-fired Ceramic technologies are popular technologies used in the manufacture of microwave devices. In this study, crystalline and electrical properties of CuO doped $(Ba,Sr)TiO_3$ ceramics were investigated to determine the low temperature sintering properties. The addition of CuO to $(Ba,Sr)TiO_3$ lowered the sintering temperature from $1350^{\circ}C$ to $1150^{\circ}C$. The dependence of the sintering temperature shrinkage rate and mechanism of CuO doped $(Ba,Sr)TiO_3$ ceramics are investigated and discussed. Also, the crystalline structure of CuO - doped $(Ba,Sr)TiO_3$ ceramics is discussed by the X-ray diffraction (XRD) method.
The composites were fabricated by adding 0, 15, 20, 25[vol.%] Zirconium Diboride(hereafter, $ZrB_2$) powders as a second phase to Silicon Carbide(hereafter, SiC) matrix. The physical, mechanical and electrical properties of electroconductive SiC ceramic composites by spark plasma sintering(hereafter, SPS) were examined. Reactions between $\beta$-SiC and $ZrB_2$ were not observed in the XRD analysis The relative density of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ composites are 90.97[%], 74.62[%], 77.99[%] and 72.61[%] respectively. The XRD phase analysis of the electroconductive SiC ceramic composites reveals high of SiC and $ZrB_2$ and low of ZrO2 phase. The electrical resistivity of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ composites are $4.57{\times}10^{-1}$, $2.13{\times}10^{-1}$, $1.53{\times}10^{-1}$ and $6.37{\times}10^{-2}[{\Omega}{\cdot}cm]$ at room temperature, respectively. The electrical resistivity of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ are Negative Temperature Coefficient Resistance(hereafter, NTCR) in temperature ranges from 25[$^{\circ}C$] to 100[$^{\circ}C$]. It is convinced that SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ composite by SPS can be applied for heater above 1000[$^{\circ}C$].
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.561-565
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2002
The effects of sintering additives such as $Bi_2O_3$ and $V_2O_5$ on the microwave dielectric and sintering properties of (Zn, Mg)$TiO_3$ system were investigated. Highly dense samples were obtained for $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ at the sintering temperature range of $870{\sim}900^{\circ}C$ with $Bi_2O_3$ and $V_2O_5$ additions of <1wt.%, respectively. The microwave dielectric properties of $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ with 0.45 wt.% $Bi_2O_3$ and 0.55 wt.% $V_2O_5$ sintered at $900^{\circ}C$ were as follows: $Q{\times}f_o$=56,800 GHz, ${\varepsilon}_r$=22, and ${\tau}_f=-53ppm/^{\circ}C$. In order to improve temperature coefficient of resonant frequency, $TiO_2$ was added to the above system. The optimum amount of $TiO_2$ was 15 mol.% when sintered at $870^{\circ}C$, at which we could obtain following results: $Q{\times}f_o$ = 32,800 GHz, ${\varepsilon}_r$ = 26, and $\tau_f=0ppm/^{\circ}C$.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.3
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pp.463-470
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1996
Ceramic membrane consisting of an ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ support and Fe doped $TiO_{2}$ top layer was prepared by the sol-gel method. The supported Fe doped $TiO_{2}$ top layer was made by dip coating the support in a mixed sol. The microstructure of the composite membranes was studied by SEM after calcination at $550~850^{\circ}C$. After sintering at $650^{\circ}C$ for 1 hr., the average particle diameter of the Fe doped $TiO_{2}$ top layer was ~40 nm. The supported Fe doped $TiO_{2}$ composite membranes exhibited much higher heat resistance than the $TiO_{2}$ membrane. The Fe doped $TiO_{2}$ composite membrane retained a crack-free microstructure and narrow particle size distribution even after calcination up to $650^{\circ}C$.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.14
no.1
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pp.191-196
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2010
Aluminum doped zinc oxide (AZO) films have been prepared on Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron sputtering method. A powder target instead of a conventional sintered ceramic target was used in order to improve the utilization efficiency of the target and reduce the cost of the film deposition process. The influence of sputter pressure on the structural, electrical, and optical properties of AZO films were studied. The AZO films had hexagonal wurtzite structure with a preferred c-axis orientation, regardless of sputter pressure and target types. The crystallinity and degree of orientation was increased by increasing the sputter pressure. For higher sputtering pressures, a reduction of the resistivity was observed due to a increase on the mobility and the carrier concentration. The lowest resistivity of $6.5{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$ and the average transmittance of 80% can be obtained for films deposited at 15 mTorr.
Kim, Beom-Jong;Kim, Mi-Han;Lee, Woo-Sung;Park, Jong-Chul;Lee, Hwak-Joo;Nahm, Sahn
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.772-775
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2004
본 논문에서는 $B_2O_3$ 첨가가 Ba$(Mg_{1/3}Ta_{2/3})O_3$ (BMT)의 유전특성 및 미세구조의 변화에 미치는 영향에 대해 연구하였다 $B_2O_3$가 소량 첨가되었을 때는 결정립의 성장을 야기하여 치밀한 미세구조를 보였지만, 다량이 첨가된 경우 비정상 결정립 성장을 야기하여 치밀화가 떨어지는 미세구조를 보임과 동시에 $Ba_3Ta_5O_{15}$의 2차상을 형성했다. 이는 소량의 $B_2O_3$ 첨가가 유전특성의 향상을 가져왔지만, 다량의 첨가는 오히려 특성의 악화를 가져온 결과의 원인이라 생각된다. 0.5mol%의 $B_2O_3$를 첨가하여 $1500^{\circ}C$에서 6시간 소결한 경우 ${{\varepsilon}_r}=24$, $Q{\times}f=210,000GHz$의 유전 특성 값과 $4.74ppm/^{\circ}C$의 $T_{cf}$ 값을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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