An in-line wet etch/cleaning system was established for the research and development in wet etch process as a formation of electrode such as metal or transparent conductive oxide layer. A reverse moving system was equipped in the in-line wet etch/cleaning system for the alternating motion of glass substrate in a wet etch bath of the system. Therefore, it was possible for the glass substrate to be moved back and forth and it was possible to reduce the size of the system by using the reversing moving system. For the effect of the alternating motion of substrate on the etch rate in the in-line wet etch bath, indium tin oxide(ITO) patterns were obtained through wet etch process in the in-line system in which the substrate was moved back and forth. From the CD(critical dimension) skews resulted from the ADI CD and ACI CD of the ITO patterns, it was concluded that the alternating motion of glass substrate are possible to be applied to the mass production of wet etch process.
The objectives of this study are to measure the ball recovery rate of cleaning apparatus for plate heat exchanger. Ceramic ball is used for plate heat exchanger cleaning. The main components of cleaning apparatus are comprised of ball collector, ball trap, ejector, pump and plate heat exchanger. The ball recovery rate are obtained with change in recovery time and velocity of water. The results show that the ball recovery rate is slightly increased with increase in the recovery time and the velocity of water over 0.4 m/s in the straight flow. In the case of reverse flow, the ball recovery rate more increased than straight flow. The maximum ball recovery rate of the straight flow and reverse flow reach 83.97% and 86.61%, respectively, when the velocity and cleaning time are 0.5 m/s and 15min.
Objectives: Cetylpyridinium chloride CPC-based mouthwashes are well known to have no harmful ingredients in the mouth and can be used for a long time. The purpose of this study was to evaluate the effect of using CPC-based mouthwashes to suppress the biofilm formation and antibiotics for handling orthodontic appliances. Methods: To measure the antibacterial effect, Streptococcus mutans (S. mutans) cultured orthodontic appliances were precipitated in Gargreen and Polident for 5 minutes, incubated at 37℃ for 24 hours(h). In order to measure the biofilm removal effect, the degree of biofilm formation on the orthodontic appliances was stained with a methylene blue and the difference before and after was compared using image J software program (NIH Image J; NIH, Bethesda, MD). Results: The viability of S. mutans according to the concentration showed that Gargreen and Polident inhibited colony formation compared to the control, respectively (p<0.01). The degree of biofilm formation was significantly higher in the control, however both Gargreen and Polident significantly reduced it compared to the before and after condition on removable orthodontic appliances (p<0.01). Conclusions: This study suggests that the use of Gargreen, a cetylpyridinium chloride based oral cleaning cleanser, could be replaced by Polident for antibacterial effect and biofilm formation on removable orthodontic appliances.
This paper describes a hybrid cleaning method of silicon wafer combining nano-bubble and ultrasound to remove sub-micron particles and contaminants with minimal damage to the wafer surface. In the megasonic cleaning process of semiconductor manufacturing, the cavitation induced by ultrasound can oscillate and collapse violently often with re-entrant jet formation leading to surface damage. The smaller size of cavitation bubbles leads to more stable oscillations with more thermal and viscous damping, thus to less erosive surface cleaning. In this study, ultrasonic energy was applied to the wafer surface in the DI water to excite nano-bubbles at resonance to remove contaminant particles from the surface. A patented nano-bubble generator was developed for the generation of nano-bubbles with concentration of 1×109 bubbles/ml and nominal nano-bubble diameter of 150 nm. Ultrasonic nano-bubble technology improved a contaminant removal efficiency more than 97% for artificial nano-sized particles of alumina and Latex with significant reduction in cleaning time without damage to the wafer surface.
반도체 산업에서, 웨이퍼가 오염되는 불량률 원인의 70%는 웨이퍼 자체의 대전이다. 본 논문은 기존의 고전압을 이용한 코로나 방전식의 송풍형 정전기 제거장치를 개발하였다. 이 시스템은 방전 침 세정 기능을 자동으로 구현하여 균형하게 이온을 방출하도록 하였고, 이온 방출 상태를 감지하여 최적의 이온량을 조절하도록 하였으며, Zigbee 통신모듈을 이용하여 전 시스템을 모니터링하도록 하였다.
대기압 플라즈마는 기존의 저압 플라즈마에 비해 제작이 간단하고 조작이 간편하기 때문에 응용 가능 분야가 넓다는 장점이 있지만 다양한 외부 요인으로 인한 안정성의 문제로 저압 플라즈마의 모든 응용범위를 대신하기에는 문제점이 있다. 현재 이 문제점을 해결하기 위한 연구가 활발히 진행 중에 있으며, 기판 및 유리 세정, Bio-medical, 물질 합성 등 다양한 분야에 대한 응용 연구도 진행 중에 있다. 본 연구에서는 본 연구실에서 자체 개발한 전원 장치를 이용하여 대기압 플라즈마를 발생 시켰으며, He, Ar Gas를 이용하여 PDMS 기판과 유리 기판에 표면 처리 한 후 친수성 비교 분석 실험을 실시하였다. Optical Emission Spectroscopy(OES)장치와 ICCD camera를 이용하여 플라즈마 진단과 특성 분석을 실시하였으며 Computer Numerical Control (CNC) x-y-z 3축 stage를 이용하여 플라즈마 발생을 제어함으로서 재현성을 높은 플라즈마 표면 처리 연구를 진행 하였다.
분리막 기술은 탁월한 처리효율뿐 아니라 안정적으로 용수를 생산할 수 있는 장점이 있기 때문에 용수의 생산을 전통적인 수처리 (Conventional water treatment) 공정에서 역삼투 공정(Reverse Osmosis) 및 나노여과 (Nanofiltration)와 같은 분리막 기술을 활용하는 공정으로 변환하는 추세에 있다. 그러나 분리막 공정은 항상 막오염 현상이 문제점으로 지목되고 있기 때문에 막오염 제어 기술의 확보가 시급한 실정이다. 따라서 본 연구에서는 화학물질의 사용에 따른 2차 환경오염 문제가 발생하는 화학약품이나 물리적인 세정이 아닌 고전압 임펄스 (HVI, High Voltage Impulse) 장치를 이용하여 막오염의 근본적인 문제를 제어하려 한다.
원자력이용시설에서 발생한 작은 크기의 금속 조각들을 효과적으로 제염하는 스마트 장치를 개발하였다. 이 장치는 자성연마재를 포함한 영역의 자속밀도를 연속적으로 변화시키는 방법과 초음파를 이용하는 다중 제염장치이다. 한편, 제염 효율을 높이기 위해 제염 장치가 제염 대상 전체에 작용하도록 장치들의 구성을 수정하였다. 개발된 장치들의 최적 작동조건을 도출하여 샘플로 선정한 소형의 금속방사성페기물에 대하여 자기장과 초음파제염을 각각 15분간 실시하였다. 그 결과 제염계수의 범위는18~56으로 크게 향상되었으며 제염 후 모든 샘플은 백그라운드(BKG)값 이하로 확인되었다.
반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 표면에 성장한 자연산화막을 제거하기 위해 일반적으로 습식 세정 기술이 이용되어 왔다. 하지만 소자의 최소 선폭(design rule)이 nano급으로 고집적화 됨에 따라 contact hole 바닥의 자연산화막을 깨끗이 제거하는데 있어서 그 한계를 나타나고 있다. 이에 대한 효과적인 대안 공정으로 가스 건식 세정 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 한 번에 50매 이상의 웨이퍼를 처리함으로써 생산성 측면에서 월등한 배치식 설비에서 원거리 플라즈마(remote plasma) 장치에서 2.450Hz의 마이크로웨이브(${\mu}$-wave)에 의해 형성시킨 수소라디칼과 $NF_3$ 가스를 이용하여 실리콘에 결함을 주지 않고 자연산화막을 선택적으로 제거하는 공정에 대해 고찰하였다. AFM을 이용한 표면분석, TEM을 이용한 물성분석, 그리고 ToF-SIMS 및 XPS를 이용한 화학 분석을 습식 및 건식 세정을 비교 평가한 결과, 건식 세정 공정이 실리콘 표면에 결함을 주지 않고 자연산화막을 제거 할 수 있음을 확인하였다. 산화막$(SiO_2)$, 질화막$(Si_3N_4)$, 그리고 다결정 실리콘(Poly-Si) 등의 각 막질별 식각 특성을 고찰하였으며, $NH_3$의 캐리어 가스인 $N_2$의 주입량을 조절함으로써 수소라디칼 형성 효율의 개선이 가능하였으며, 이로부터 게이트와 소스/드레인 사이를 절연하기 위해 이용되는 질화막의 식각 선택비를 2배 정도 개선할 수 있었다. nano급 소자에 실장하여 평가한 결과에서 불산(HF)에 의한 습식 세정 방식에 비하여 약 $20{\sim}50%$ 정도의 contact 저항 감소 효과가 있음이 확인되었다.두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기법에 의해서 개선되었다. 답이 없는 문제, 문제 만들기, 일반화가 가능한 문제 등으로 보고, 수학적 창의성 중 특히 확산적 사고에 초점을 맞추어 개방형 문제가 확
본 연구는 국내에서 다량 취급되고 있는 암모니아 및 톨루엔을 흄 상태로 노출시킨 후 흡수/흡착방법을 달리한 이동형 스크러버를 이용해 각 유해화학물질의 제거효율을 비교 분석하였다. 이동형 스크러버는 기 개발된 장치를 개선하여 와류 세정에 의한 흡수, 유입풍속 조절의 장점을 살리고, 활성탄 및 카본필터를 통한 기체상 유해화학물질의 흡착방법 도입을 통해 단점을 보완하였다. 개선된 장치는 기초성능평가를 통해 적정 제어풍속이 검증되었고, 5% 암모니아수 용액을 흄 상태로 노출시켜 후드 흡입부, 송풍기 배출부 및 세정기가 정상 작동함을 확인하였다. 흡수/흡착방법에 따른 암모니아 제거효율은 90분 경과 후 C${\geq}$PCA>SWA 순으로 가장 우수한 SWA 군의 노출 농도별 제거 효율은 시간이 경과할수록 노출 농도와 무관하게 배출 농도는 증가되었고, 세정액의 pH는 산성에서 염기성으로 변화되었다. 또한, 시간 경과에 따른 노출 농도 별 세정액의 pH 변화와 배출구 농도 변화 사이에 0.9429~0.9491 수준의 정의 상관관계를 나타내었다. 흡착방법에 따른 톨루엔의 제거 효율은 초기 10분 경과 후 배출구농도에서 C>CMA${\geq}$GCA 순을 나타내다 90분 경과까지 일정한 농도로 유지되었다. 가장 우수한 GCA 군의 노출 농도별 제거 효율은 초기 10분 경과 시 노출 농도에 비례하여 배출 농도가 높은 경향이었다. 이와 같은 결과를 통해 개선된 이동형 스크러버는 중화반응에 의해 산성 또는 염기성 유해 화학물질의 제거 뿐 아니라, 활성탄 등의 흡착기능 개선을 통해 VOCs 제거에도 효과적이었다. 하지만, 실제 현장에서 활용이 가능하도록 세정액 pH를 지속적으로 유지하여 연속적으로 흡수 제거할 수 있는 방법과 노출되는 화학물질 농도와 흡착제의 관계에서 파괴점, 포화점, 흡착속도 등의 물리적인 요소가 추가적인 연구를 통해 도출되어야 할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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