A zwitterionic surfactant shows not only detergency but also softening effect since it shows characteristics of a nonionic or an anionic surfactant above an isoelectric point, while showing characteristics of a cationic surfactant below an isoelectric point. Therefore, a zwitterionic surfactant can serve as a dual function surfactant by a single molecule through the interconversion of cleaning and softening effects depending on pH of the aqueous solution. In this study, the dual function characteristics of an amine oxide zwitterionic surfactant were investigated by measuring the zeta potential and the isoelectric point using quartz crystal microbalance (QCM). In addition, the physical properties of an amine oxide surfactant such as critical micelle concentration, surface tension, interfacial tension, contact angle and viscosity were measured and phase behavior study was also performed. The isoelectric point of an amine oxide surfactant determined by zeta potential measurement was near 7.35 and that obtained by QCM experiment was about 7.4, where both results were found to be close to the value reported in the literature.
한국은 급격한 고령화가 진행 중에 있다. 세계적으로도 유례가 없는 급격한 고령화에 노인시설 및 병원에서 생활하는 고령자의 수 역시 증가하고 있는 추세이다. 시설이나 병원에서 고령자의 샤워수발은 수발자에게는 매우 힘든 노동이 되고 있다. 따라서 본 연구에서는 샤워 수발자의 불편함을 해소할 수 있는 와상형 자동 샤워링 시스템을 개발하는 것을 연구목적으로 한다. 와상형 자동 샤워링 시스템을 개발하기 위하여 본 연구에서는 기존 국외제품의 노즐위치 문제점을 분석하고, 수발자의 수발행위가 최적화될 수 있는 최적노즐위치 구현을 위한 샤워링 테스트, 샤워링시뮬레이션 등을 사용하여 최적노즐위치를 구현하였다. 또한 적은 노즐 수로 넓은 범위를 효과적으로 세정할 수 있는 스윙노즐을 개발하여 시제품에 적용하였다. 샤워링 테스트의 노즐위치 최적화결과를 샤워링 시뮬레이션에 적용하여 노즐위치 및 분사각의 최적화를 수행하였고, 이를 실제 시제품 설계에 적용하였다. 본 연구에서는 와상형 샤워링 시스템의 개발에 있어 사용자의 수발부담을 경감할 수 있는 가장 중요한 설계요소를 노즐위치 및 분사각으로 정의하고, 노즐위치 및 분사각도의 최적화를 중심으로 와상형 자동샤워링 시스템 개발 연구를 수행하였다. 본 연구의 사용자 중심 제품개발과정은 앞으로 다양한 고령친화제품을 개발하는데 있어 수발자의 부담을 감소시키고, 고령사용자의 자립생활을 지원하는데 있어 적용 가능할 것으로 사료된다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.11
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pp.15-19
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2007
This paper reports the effects of Ar ion beam surface treatment on a $SiO_2$ dielectric layer in organic thin film transistors. We compared the electrical properties of pentacene-based OTFTs, treated by $O_2$ plasma or Ar ion beam treatments and characterized the states of the surface of the dielectric by using atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. For the sample which received $O_2$ plasma treatment, the mobility increased significantly but the on/off current ratio was found very low. The Ar ion beam-treated sample showed a very high on/off current ratio as well as a moderately improved mobility. XPS data taken from the dielectric surfaces after each of treatments exhibit that the ratio of between Si-O bonds and O-Si-O bonds was much higher in the $O_2$ plasma treated surface than in the Ar ion beam treated surface. We believe that our surface treatment using an inert gas, Ar, carried out an effective surface cleaning while keeping surface damage very low, and also the improved device performances was achieved as a consequence of improved surface condition.
This study was attempted to investigate variation of the bacterial flora in waste water treatment of fish meat paste plant by batch and continuous culture. The results of the experiment are as follows : 1. The removal rate of BOD in waste water treatment by activated sludge of continuous culture was above $90\%$. 2. In the process of nitric acidification of protein waste water, $NH_4-N\;and\;NO_2-N$ increased untill the lapse of 48 hours from culture, but $NO_3-N$ showed little change. 3. In activated sludge obtained from acclimation by batch culture for 10 days, bacteria good in capacity of nitric acidification were not appeared. 4. Among 120 strains of isolated bacteria, the most predominantly appeared bacterial flora were Enterobacteriaceae ($28\%$) and Pseudomonas spp. ($25\%$), In the latter term of aeration during which ammonia originates in abundance, Pseudomonas spp. was decreased but Enterobarteriaceae was increased. 5. Fifty percent of the isolated strains were able to grow in $0\%,\;3\%$ NaCl and $75\%$ artificial sea water, Therefore, it is suggested that sea water can be used as dilution water instead of tap water during the treatment of waste water.
A magnetic fluid separation technology was confirmed to be very effective to remove the suspended solids from contaminated water. We have surveyed on the effects of operating variables on the characteristics of suspended solids(SS) removal investigated through the test runs using magnetic powder. Magnetic flocculation here formed by adsorbing fine magnetites on the surface of suspended solid was observed. The strength of magnet was of significance in determining the SS removal efficiency.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.29
no.1C
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pp.119-128
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2004
In this paper, a low-power 8-point DCT structure is proposed using add and shift operations. Proposed structure adopts 4 cycles for complete 8-point DCT in order to minimize size of hardware and to enable high-speed processing. In the structure, hardware for the first cycle can be shared in the next 3 cycles since all columns in the DCT coefficient matrix are common except sign. Conventional DCT structures implemented with only add and shift operation use CSD(Canonic Signed Digit) form coefficients to reduce the number of adders. To reduce the number of adders further, we propose a new structure using common sub-expression sharing techniques. With this techniques, the proposed 8-point DCT structure achieves 19.5% adder reduction comparison to the conventional structure using only CSD coefficient form.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.214.1-214.1
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2013
Tetra-ethoxysilane (TEOS)은 일반적으로 저온 게이트 산화막의 원료 널리 이용되고 있으나 as-deposited 상태에서는 필수적으로 생성된 높은 계면밀도와 고정전하를 제거하기 위하여 수소계면처리, forming gas annealing 등 후처리 공정을 필수적으로 거처야만 한다. 즉 후처리 공정 없이도 일정수준의 계면밀도와 고정전하를 갖을 수 있는 출발물질이 제안되면 산업적 의미를 갖을 것이다. 본 연구에서는 TEOS를 대체할 수 있는 후보재료로써 Tetra-iso-propoxysilane (T-iso-POS)을 제안하였다. T-iso-POS는 iso 구조의 3차원적 특수 구조를 가지므로 더 쉽게 분해 될 수 있어 탄소의 결합을 억제 할 수 있다고 사료된다. 용량 결합형 PECVD (13.56 MHz) 장비를 이용하여 RCA 세정을 실시 한 p-Si (100) 기판위에 TEOS 혹은 T-iso-POS (2 sccm)와 O2를 도입(50 sccm), 플라즈마 전원(20~100 W), 압력(0.1~0.5 torr), 온도 ($170{\sim}400^{\circ}C$), 전극 간 거리 (1~4.5cm)의 조건 하에서 증착하였다. 얻어진 각각의 SiO2 막에 대해, 성장 속도, 2% BHF 용액보다 에칭 속도, IV 특성과 C-V 특성, FT-IR에 의해 화학구조 평가를 실시했다. T-iso-POS원료로 사용하여 TEOS보다 낮은 약 $200^{\circ}C$에서 증착 된 산화막에서 후 처리 없이도 10 MV/cm 이상의 절연 파괴 특성을 나타내는 우수한 게이트 절연막 제작에 성공했다. 그 성장 속도도 약 20 nm/min로 높았다.
A zwitterionic surfactant shows not only detergency but also mildness effect since it shows characteristics of a nonionic or an anionic surfactant above an isoelectric point, while showing characteristics of a cationic surfactant below an isoelectric point. Therefore, a zwitterionic surfactant can serve as a dual function surfactant by a single molecule through the interconversion of cleaning and softening effects depending on pH variations of the aqueous solution. In this study, physical properties of betaine surfactant such as CMC, surface tension, interfacial tension, contact angle and viscosity were measured and phase behavior study was performed. Also dual function characteristics of betaine zwitterionic surfactant were investigated by measuring an isoelectric point using QCM(quartz crystal microbalance) and zeta potential measurement. The CMC of betaine surfactant was near $10^{-4}mol/L$ and the surface tension at CMC was about 32 mN/m. The interfacial tension between 1 wt% aqueous solution and n-decane measured by spinning drop tensiometer at pH 2~10 resulted in an increase in interfacial tension until pH 5 and a decrease with pH after 5 and equilibration time showed the similar trend with an increase in pH. The isoelectric point of betaine surfactant measured by QCM experiment was found to exist between 3.0 and 3.3, which is the same as the result determined by zeta potential measurement.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.179-179
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1998
실리콘 집적회로 제조시 sub-micron 의 contact 형성 공정은 질연막 형성 후 이의 식각 및 세정, c contact 실리사이드, 획산방지막, 배선 금속층의 형성 과정올 거치게 된다. 본 연구팀에서는 C.F야f2 헬리 콘 플라즈마훌 이용한 고선택비 contact 산화막 식각공정시 형성된 잔류막충과 오염 손상올 관찰하고 산소 플라즈마 처리와 후속 열처리에 따른 이들의 제거 정도를 관찰하여 이에 대한 결과를 발표하였다. 본 연구메서는 식각 및 후처리에 따라 잔류하는 잔류막과 손상층이 후속 공정인 contact 실리사이드 형 섬에 미치는 영향올 관찰하였다. C C.F바f2 웰리콘 풀라즈마률 이용한 식각시 공정 변수로는 수소가스 첨가, bias voltage 와 과식각 시간 의 효과를 관찰하였으며 다른 조건은 일정하게 하였다 .. Contact 실리사이드로는 Ti, Co-싫리사이드를 선 택하였으며 Piranha cleaning, 산소 플라즈마 처리, 산소 풀라즈마+600 'C annealing으로 각각 후처리된 시 편을 후처리하지 않은 시펀돌과 함께 실리사이드 형성용‘시펀으로 이용하였다 각각 일정 조건에서 동 일 두께의 실리사이드훌 형성시킨 후 4-point probe룰 이용하여 면저황올 측정하였다 후처리하지 않은 시편의 경무 실리사이드 형성은 아주 시펀의 일부분에서만 형성되었으며 후속 세정 및 얼처리훌 황에 따라 실리사이드의 면저항은 감소하여 식각 과정을 거치지 않은 깨끗한 실리콘 웨이퍼위에 실리사이드 를 형성시킨 값(control 값)에 접근하였다. 실리사이드의 면저항값은 식각시 노훌된 실리콘 표면 위에 형 성된 손상충보다는 잔류막에 큰 영향을 받았으며 수소 가스가 첨가된 식각 가스로 식각한 시편으로 형 성한 실리사이드의 면저항값이 손상이 상대적으로 적은 것으로 관찰된 수소훌 첨가하지 않은 식각 가 스로 식각한 시펀 위에 형성된 실리사이드의 면저황에 비해 낮은 값을 나타내었다. 실리사이드의 전기적 륙성에 미치는 손상층의 영향올 좀더 면밀히 관찰하고자 bare 실리콘 wafer 에 잔류막이 거의 없이 손상층을 유발시키는 식각 조건들 (100% HBr, 100%H2, 100%Ar, Cl싸fz)에 대하여 실 리콘 식각을 수행한 후 Co-실리사이드률 형성하여 이의 면저황을 측정한 걸과 100% Ar 가스로 식각된 시편을 이용하여 형성한 실리사이드의 면저항은 control 에 기까운 면저항값올 지니고 따라서 손상층이 실리사이드 형섬메 미치는 영향은 크지 않음을 알 수 있었다. 이상의 연구 결과훌 통해 손상층이 실리사이드의 형성이나 전기적 톡섬에 미치는 영황은 잔류막층 에 의한 영향보다 적다는 것을 알 수 았으며 잔류막층의 두께보다는 성분이나 걸합상태, 특히 식각 및 후처리 후 잔류하는 탄소 싱분과 C-Si 결함에 큰 영향올 받는 것올 알 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.133-133
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2012
일반적으로 TiO2는 광촉매 작용으로 표면 살균성을 가지며, 친수특성으로 인한 자가세정 능력도 가지고 있다. 또한 지구상에 많이 존재하는 광물로 원료의 가격이 저렴하다는 장점이 있어 산업 전반에 사용되고 있다. 하지만 외부의 환경적 오염으로 인한 광촉매 반응 면적의 감소에 따라 반응효율이 저하되는 단점이 있으며, SiO2는 투명한 유리와 같이 비정질상태가 안정하고 높은 굴절률을 가지며 내구성이 외부환경에 강해 무반사 코팅이나 금속박막의 보호층으로 주로 사용된다. WO3는 높은 굴절률과 가시광선 영역에서의 우수한 투과율을 가지고 있으나 conduction band에서 생성된 광캐리어들이 빠르게 재결합 하여 광분해 효율이 좋지 않기 때문에 흔히 쓰이지 않고 있다. 이러한 박막들의 단점을 보완하기 위해 물리적 구조를 변화시켜 반응 면적을 극대화하기 위해 버퍼층이나 다층박막을 사용하는 등 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 실험에서는 Slide glass에 Plasma etching 하였을때 친수성이 나타나는 특성을 이용하여 대면적 코팅과 표면 경도를 우수하게 만들 수 있는 RF Magnetron sputtering법으로 Slide glass에 Ar Gas 분위기에서 각 파워별 Plasma etching한 후 TiO2, SiO2, WO3 박막을 증착하여 광학적, 구조적 특성을 분석하였다. 광투과율 측정장치(UV-VIS Spectrophotometer)를 사용하여 투과율을 측정한 결과 모든 박막이 가시광 영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 나타내었으며, 접촉각 측정결과 100w로 etching한 glass에 TiO2를 증착한 박막에서 가장 낮은 $3^{\circ}$ 이하의 접촉각을 나타내었다. SEM (Scanning Electron Microscope) 분석을 통해 표면구조를 관찰한 결과 100w로 etching한 후 TiO2를 증착한 박막이 가장 조밀한 구조를 보였으며, AFM (Atomic Force MicroScope) 분석 결과 100w로 etching한 후 TiO2를 증착한 박막의 표면이 가장 거칠어지는 것을 볼 수 있었는데, 이는 물과 닿는 박막의 유효 표면적의 증가로 인하여 광촉매 효과가 증가하였기 때문에 친수성이 향상된 것으로 사료된다. 이러한 박막은 건물 유리벽과 자동차의 내 외장재 전자기기용 광학 필름에 자가세정, 내반사 코팅소재, 디스플레이 표시장치로 활용할 수 있을 것으로 예상된다. 본 연구는 중소기업청에서 지원하는 2011년도 산학연 공동기술개발 지원사업의 연구수행으로 인한 결과물임을 밝힙니다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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