• Bulletin of Korea Environmental Preservation Association
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• s.397
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• pp.10-13
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• 2012

그간의 성과와 과제 : 2012년은 우리 정부가 저탄소 녹색성장을 새로운 국가발전 비전으로 선언하고 환경과 경제가 상생하는 사회로의 전환을 위해 다양한 정책을 적극적으로 추진한지 5년차를 맞이하는 해이다. 그동안 우리나라는 녹색성장을 국제적인 화두로 제시하고 온실가스의 자발적 감축목표 발표, G-20 정상회의 개최 등을 통해 국제사회에서 향후 인류의 발전방향을 제시하는 주도적인 역할을 수행하는 국가로서 위상을 높여 왔고, 국내적으로는 4대강 사업 등을 통해 기후변화에 대한 대응능력을 높이고 세계적인 금융 경제 위기 속에서도 안정적인 성장을 지속하는 성과를 거두었다. 환경적인 측면에서도 2007년과 비교하여 수도권 미세먼지 농도를 $58{\mu}g/m^3$에서 2011년에는 $50{\mu}g/m^3$으로 개선하고, 상수도 보급률과 하수도 보급률의 경우에도 2007년 각각 92.1%, 87.1%에서 2011년에는 94.5%, 90.3%로 제고하는 성과를 거두었다. 그러나, 세계적 경기 침체로 인해 국민들이 녹색성장의 성과를 체감하는 데에는 한계가 있었던 것이 사실이며, 4대강 사업이 소기의 목표를 달성하기 위해서는 변화된 환경에 맞는 수질관리시스템을 차질 없이 마련 시행하고, 도시에 비해 낮은 농어촌의 상하수도 보급률과 서비스 수준을 제고하는 등 여전히 해결해야 할 과제들 또한 상존하고 있는 것이 사실이다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.14 no.6 s.60
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• pp.218-224
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• 1999

최근 발표된 일본 통신사업자들의 1998년도 결산에서 통신시장의 구조변화 현황을 찾아보면 시장의 주역으로 등장하고 있는 분야는 이동전화시장이며, 아직 절대액은 작지만 데이터 통신시장도 성장을 지속하고 있다. 1998년도의 이동전화시장은 휴대전화의 현저한 성장으로 전년도에 비해 15% 증가하였으며, 고정전화시장은 여전히 최대의 통신시장이지만 전년도보다 11%나 마이너스 성장하였다. 바야흐로 고정전화시장은 성숙기를 지나 쇠퇴기를 맞이하고 있는 것이다. 게다가 1998년은 기대하던 ISDN 가입자수의 성장이 전화의 감소를 커버하지를 못했다. 고정전화를 중심사업으로 하고 있는 통신사업자가 전화를 대신할 수입원으로 기대하는 것이 인터넷과 프레임 릴레이 서비스 등의 데이터통신서비스이다. 전기통신사업 수지 전체로 보면 데이터전송 수입규모는 모두 아직 10분의 1에도 미치지 못한다. 다만 이용자는 증가하고 있어 이들의 데이터통신 수지 의존도는 확실히 높아질 것으로 전망된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.190-190
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• 2010

본 연구에서는 Ti이 도핑된 ZnO의 성장 및 후처리 과정에 따른 구조적, 전기적, 자기적 특성에 관하여 보고한다. ZnTiO 박막은 Pt/SiO2/Si기판에 $500^{\circ}C$, 20 mTorr에서 RF 마그네트론 스퍼터법과 DC 마그네트론 스퍼터법으로 코스퍼터링을 통하여 증착 하였다. 그리고 박막 성장 후 질소분위기에서 $600{\sim}900^{\circ}C$($50^{\circ}$ step)에서 급속 열처리 공정(RTA)을 이용하여 후열처리에 따른 특성변화를 관찰하였다. 구조적 특성변화를 확인하기 위하여 XRD 측정을 하였으며, Ti이 Zn와 치환되어 성장 한 것을 관측하였다. 한편 자기적 특성 확인을 위한 SQUID 측정 결과, ZnTiO 박막에서 강자성 특성인 자기-이력곡선을 확인하였다. 또한 강유전 특성 분석을 위한 I-V 측정에서 ZnTiO 박막에서 강유전 특성인 전류-이력 현상을 관측하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.182-182
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• 2010

본 연구에서는 Pt 배면전극에 다양한 조건에서의 ZnO를 성장하여 Schottky 구조를 제작, 접합 특성 및 자외선 검출 특성을 연구하였다. $Al_2O_3$ 기판에 Mirror-like하며 고결정성을 갖는 Pt(111) 배면전극을 형성 후, ZnO 박막의 성장 조건에 따른 접합 특성을 확인하기 위하여 기판온도와 산소분압을 각각 $400{\sim}600^{\circ}C$ ($50^{\circ}C$ 단계), 0~60 sccm (15 sccm 단계)로 성장하였다. 이에 따른 구조적 특성변화를 확인하기 위하여 주사전자현미경 및 X선 회절 특성을 분석하였으며, 전류-전압 특성 곡선을 분석을 통하여 최적의 Schottky contact 형성을 위한 ZnO 성장조건을 규명하고자 하였다. $H_2O_2$를 이용한 표면처리와 Rapid Thermal Annealing (RTA)를 이용한 열처리 과정을 통하여 표면 처리 전 후의 전기적 특성과 광학적 특성의 변화를 비교 분석하였다. 또한 Ohmic 접촉으로 상부전극을 형성, ZnO Schottky photodiode 구조를 제작하여 UV-A, B, C 영역에 따른 UV반응 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.253.1-253.1
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• 2013

RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 Al-doped ZnO 박막을 씨드층으로 하고, zinc nitrate hexahydrate, hexamethylenetetramine (HMTA), ammonium chloride (AC) 및 polyethyleneimine (PEI)를 반응용액으로 한 수열합성법으로 ZnO 나노와이어를 성장시켰다. ZnO 나노와이어의 성장 공정 중 반응 용액내에 DC 바이어스를 인가하고, DC 바이어스의 인가 유무 및 인가 DC 바이어스 전압의 크기 변화에 따라 성장시킨 ZnO 나노와이어의 특성을 비교분석하였다. 다양한 공정변수 변화에 따라 수열합성법으로 성장시킨 ZnO 나노와이어 시편들을 SEM 분석을 통해 특성분석을 수행하였다.

• Journal of Aerospace System Engineering
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• v.16 no.5
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• pp.57-61
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• 2022

The various GaAs panel are applied widening for aircraft and aerospace structures. This study presented technology for the growth of large-diameter GaAs ingots greater than 4 inches through numerical analysis using temperature control technology. In this work, proposes manufacturing technology adapted to various temperature and environmental changes through temperature simulation. With the development of ingot technology, the possibility of future application increased by obtaining expected results with minor deviation.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.2
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• pp.128-133
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• 2007

In this study, we observed the shapes of CNTs formed with the thinckness of catalyst. Catalyst layer was grown by magnetron sputtering method and the thickness of Ni catalyst is the range from 20 to 80 nm. Also, the synthesis of CNT with Ni catalyst thickness was grown by hot-filament PECVD method. And, we investigated the composition of CNTs by using EDS measurement, also observed the shapes of CNTs by using HRTEM and FESEM measurements. In the result, through the TEM analysis, we observed the empty inside of CNTs and the multiwall CNTs, also confirmed the tip of CNT containing Ni. The composition of CNTs are consisted of an element of C, Ti, and Ni. As you shown the growth shapes of CNTs, the pretreatment of the catalyst before te growth of CNTs changed the particle size of the catalysts and grown the CNTs of the different shapes. Consequently, the best vertically alined and well-arranged CNTs exhibited from the substrate deposited at the catalyst thickness of 40 nm.

• Korean Journal of Microbiology
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• v.30 no.6
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• pp.533-538
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• 1992

The generation time of Methylobacterium extorquens AMI growing on methanol at pH 5.5 and 7.0 was found to be 23 hand 8.3 h. respectively. The bacterium grown at pH 7.0 were found to contain more amounts of spermidine and putrescine than the cell grown at pH 5.5. Cells grown at both conditions exhibited strong methanol dehydrogenase (MDH) activity at the mid-exponential growth phase. The amounts of MDH. however. were found to be almost equal through all gro~1h phases. Cells growing at the stationary phase contained large amounts of cytochrome c. The cytochrome c content was higher in cells growing at pH 7.0 than the cells growing at pH 5.5. Cells growing at pH 5.5 in the presence of putrescine or spermidine contained increased amounts of putrescine. The level of spermine, however. was decreased and that of spermidine was not changed. Spermine added into the medium was found to have no effect on the level of cellular polyamines. Putrescine or spermidine added into the medium stimulated MDH and hydroxypyruvate reductase activities. but did not affect the contents of MDH and cytochrome c. It was found that preincubation of cell-free extracts with polyamines does not stimulate MDH and hydroxypyruvate reductase activities.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.25 no.2
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• pp.45-50
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• 2015

Compositionally graded AlGaN epilayer was grown by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) on (0001) c-plane sapphire substrate. During the growth of graded AlGaN epilayer, the temperatures of source and the growth zone were set at $950^{\circ}C$ and $1145^{\circ}C$, respectively. The growth rate of graded AlGaN epilayer was about 100 nm/hour. The changing of Al contentes was investigated by field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). From the result of atomic force microscope (AFM), the average of roughness in 2 inch substrate of graded AlGaN epilayer was a few nanometers scale. X-ray diffraction (XRD) with the result that the AlGaN (002) peak ($Al_{0.74}Ga_{0.26}N$) and AlN (002) peak were appeared. It seems that the graded AlGaN epilayer was successfully grown by the HVPE method. From these results, we expect to use of the graded AlGaN epilayer grown by HVPE for the application of electron and optical devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.100-100
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• 1999

가시광선 영역에서 높은 광학적 투과성과 함께 우수한 전기 전도성을 갖는 ITO 박막은 디스플레이 소자나 투명전극재료 등 다양한 분야에서 응용성이 더욱 증대되고 있다. 증착기판으로서 유리를 사용할 때 생기는 활용범위 제한을 극복하고자 최근 유기물 위에 증착이 가능한 저온 증착방법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그 가운데 이온빔과 같은 energetic한 beam을 이용한 박막의 제조는 기판을 플라즈마 발생지역으로부터 분리시켜 이온빔의 flux 및 에너지, 입사각 등의 자유로운 조절을 통해 상온에서도 우수한 성질의 박막 형성 가능성이 제시되어 왔다. 본 연구에서는 ion beam assisted evaporation방법을 이용하여 ITO 박막을 성장시켰으며, ion-surface interaction 효과가 박막 성장주에 미치는 영향을 이해하기 위하여 먼저 반응성 산소 이온빔에 비 반응성 아르곤 이온빔을 다양하게 변화시켜가며 증착하였으며, 이와 더불어 산소 분위기에서 아르곤 이온빔에 의한 ITO 박막의 특성 변화를 각각 관찰하였다. 증착전 후의 열처리 없이 상온에서 비저항이 ~10-4$\Omega$cm 이하로 낮고 80% 이상의 투과율을 갖는 ITO 박막을 성장시켰다. 실험에서 이용된 e-beam evaporation 물질은 In2O3-SnO2(1-wt%)였으며, 이온빔 source는 산소에 의한 filament의 산화를 막기 위해 filament cathodes type이 아닌 rf(radio-frequency)를 사용하였다. 중요 증착변수인 이온빔의 flux 변화는 산소와 Ar의 flow rate를 MFC로 조절하고 rf power를 변화시켜 얻었으며, 이온빔 에너지는 가속 grid의 가속전압 변화와 ion gun과 기판사이의 거리 조절을 통해 최적화하였다. 이온빔의 에너지와 flux는 Faraday cup으로 측정하였으며, 성박된 박막의 특성은 UV-spectrometer, 4-point probe, Hall measurement. $\alpha$-step, XRD, XPS 등을 이용하여 광학적, 전기적, 구조적 특성을 분석하였다.