악성 골종양의 치료의 주된 목적은 장기 생존기간을 연장 및 삶의 질적 개선이나, 소아의 경우 골격 성장이 지속되어 종양 치료 후 성장 완료 시 나타나는 하지 부동(leg length discrepancy)이 치료에 있어 중요한 문제 중 하나이다. 성장기 소아의 하지 부동을 치료하기 위해서는 먼저 소아의 정상적인 성장에 대한 정확한 이해가 필요하며, 성장 과정에서의 하지 부동의 정도를 예측하는 것은 이에 대한 수술적 치료의 시기 및 방법의 선택에 있어 필수적이다. 또한 이러한 성장 예측 방법들을 적절히 사용하기 위해서는 지속적인 추시 관찰이 필수적이므로 환아의 부모와의 긴밀한 협조 또한 중요할 것으로 생각된다.
본 연구는 주로 횡단적 측정에 의해 설명되는 기업의 성과와 달리, 종단적 측정과 성격이 더 강조되는 기업의 성장을 '스타트업 및 스케일업 생태계'로 대변되는 21세기 기업가적 컨텍스트에서 살펴보았다. 2019년 기준 글로벌 유니콘 기업 479개, 최근 3년간 연평균복합성장률(CAGR)이 15%를 초과하는 미국의 5천 개 비상장 기업 중 매출액 1억달러 이상인 333개의 고성장 기업을 대상으로, 이들 기업의 고성장을, 1)기업가치의 성장, 2)성장의 속도, 3)성장의 효과성 관점에서 전략의 선택, 산업 및 시장환경, 그리고 업력(자원축적의 대위 변수)과의 상호관계를 살펴보았다. 연구 결과, 기업가치의 성장은 상대적으로 산업 및 시장 특성과 영향 관계가 더 높았다. 성장의 속도는 산업 및 시장환경의 특성과 유효 조합을 이루는 전략의 선택에 따라 더 충실히 설명되었다. 그리고 기업 성장의 효과성은 전략의 선택, 산업 및 시장환경의 특성, 그리고 업력(자원축적의 대위 변수) 모두로부터 영향을 받는 특성을 지니고 있었다. 기업가치 10억 달러 이상, 연간 매출액 1억 달러 이상의 조건을 가진 주식회사 기반의 샘플을 통한 본 연구는, 특히 실무적인 관점에서 초기 스타트업이 향후 스케일업을 위한 일련의 방향을 모색 과정에 유효한 참고가 될 수 있을 것이다. 특히 기업가치, 성장 속도, 성장의 효과성 관점에서 개별 기업이 추구하는 방향성과 정합성을 이루는 성장 동인과 요인을 조합하는데 실효적 참고를 제공하고 있다. 또한 20세기 주류 이론들이 지닌 한계점을 극복하고, 21세기 기업가적 컨텍스트에 부합하는 기업 성장 이론을 개발하는 데 그 기초 참고를 제공하고 있다.
본 연구에서는 하이브리도마 세포를 T-flask, spinner flask, 그리고 2L bioreactor에서 batch 배양하여 배양 방법에 따른 세포성장과 대사의 차이점을 살펴보고, 이것의 영양원 분석을 토대로 배지를 강화함으로써 세포성장을 제고하고자 하였다. 배양방법에 따른 세포성장의 차이를 살펴보는 실험에서 Spinner flask와 배양기를 이용한 배양에서는 비슷한 세포성장과 아미노산의 대사를 관찰할 수 있었으나 T-flask 배양에서의 세포성장과 대사는 나머지 두 배양과 현격한 차이를 보였다. 아미노산, 포도당, 그리고 비타민이 강화된 배지를 이용함으로써 원래의 IMDM 배지를 이용한 배양에서보다 70% 정도 높은 세포농도를 얻을 수 있었다. 그러나, 비타민 강화에 따른 에너지 대사의 변화가 관찰되어 이에 대한 연구의 필요성이 제시되었다.
InAs nanowires (NWs)는 나노소자스케일의 전자소자나 광전자소자를 위한 기본 단위(building block)로 사용될 수 있고, 1차원적 나노구조를 가지면서 나타나는 특별한 전기적, 광학적 특성으로 인해 전계효과 트랜지스터, 레이저, 광발광 다이오드, 가스 검출 센서 등의 많은 응용소자로 활용을 위한 연구가 진행되 있으며 주로 실리콘, 갈륨비소 기판 위에 금속유기기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 증착 (MBE)을 이용하여 선택적 수직배열 성장 조절을 위한 연구와 특성 평가 연구가 주로 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 InAs NWs를 MBE 장치를 이용하여 Si(111) 기판 위에 Au와 같은 촉매를 사용하지 않고 Si과 InAs의 큰 격자 불일치로 인하여 성장되는 Volmer-weber 성장 모드를 이용 하였다. InAs NW 성장모드는 Si ($5.4309{\AA}$)과 InAs ($6.0584{\AA}$) 사이에 큰 격자상수 차이를 이용하게 되는데 촉매를 사용하여 성장하는 일반적인 이종 화합물 반도체 성장 모드와 달리 액상상태가 존재하지 않고 바로 In과 As이 Si 기판 위를 이동하여 수직방향으로 성장이 이루어지는 vaporsolid(VS) 모드이다. InAs NW V-S 성장 모드는 Si 기판과의 격자 상수차에 의한 스트레스를 이용해야 하므로 Si기판 위에 존재하는 native oxide는 완벽히 제거되어야 한다. InAs NW 최적 성장 조건을 찾기위해 V/III raitio, 성장 온도, 기판표면처리 등의 성장 변수를 변화 시켜가며 실험을 수행하였다. Native oxide를 제거하기 위하여 HF와 buffered oxide etchant (BOE)를 사용하였다. InAs NWs 성장조건은 Indium flux를 고정 시키고 V/III ratio는 50~400까지 변화를 주었다. V/III ratio를 200으로 고정을 시키고 성장온도를 $375{\sim}470^{\circ}C$에서 성장 하였다. 이 때 InAs NWs는 $430^{\circ}C$에서 가장 높은 밀도와 aspect ratio를 얻을 수 있었다. Arsenic flux에 대해서는 많을 수록 좋은 aspect ratio를 얻을 수 있었다. 하지만 InAs 구조의 절대 부피는 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었고 이는 온도와 V/III ratio가 Indium adatom의 surface migration length에 대하여 중요한 요소로 작용되는 것을 알 수 있었다.
항만수변도시 재생계획에 스마트 성장원칙을 적용하기 위해 도시계획요소와 성장원칙에 대한 연관성을 분석한 결과 적용 가능성이 높은 것으로 나타났다. 연관성 분석에서 도출된 스마트 성장원칙을 제주시 탑동 재생계획에 적용할 수 있는 디자인 가이드라인 요소는 ⯈ 걷기에 적합한 커뮤니티 조성, ⯈ 확실한 장소성을 가진 차별화되고 매력적인 커뮤니티 조성, ⯈ 오픈스페이스, 바닷가, 아름다운 자연경관, 환경적으로 중요한 지역보존, ⯈ 기존커뮤니티를 위한 개발 강화와 유도, ⯈ 교통수단선택의 다양성 제공 등이다. 이를 기반으로 제주항 재개발계획에는 ⯈ 복합적 토지 이용 ⯈ 고밀설계방식의 이점활용, ⯈ 다양한 주거기회와 선택권 제공 등을 실시 설계 시 적용할 것을 제안하였으며 통합적인 항만수변도시 재생계획 시 스마트 성장원칙을 적용할 필요성이 높은 것으로 조사되었다.
단일벽 탄소나노튜브(Single-Walled Carbon Nanotubes, SWCNTs)는 매우 우수한 전기적, 광전자적 특성을 가지고 있어 차세대 나노 전자소자 물질로 각광받고 있다. 특히, 이들의 전기적 특성은 직경과 카이랄리티(chirality)에 따라 금속성(metallic)과 반도체성(semiconducting)으로 구분된다. 각 특성에 따라 금속성은 투명전극, 반도체성은 전계효과 트랜지스터(CNT-FET)로 활용가능성이 높다. 하지만, 일반적으로 단일벽 탄소나노튜브는 이 두 가지의 특성이 혼재되어 합성되기 때문에, 그들의 선택적 분리는 나노튜브 기반 전자소자 응용을 위해 매우 중요한 과정 중 하나이다. 최근에는 반응 가스를 이용한 선택적 제거, 밀도차를 이용한 원심분리법(density gradient ultracentrifugation) 등 다양한 방법들이 보고된 바 있다. 본 연구는 대기 중에서 마이크로웨이브 조사하여 금속성 나노튜브만을 선택적으로 제거하였다. 마이크로웨이브 조사는 CVD 방법과 전기 방전법으로 성장된 단일벽 탄소나노튜브에 800W로 조사 시간을 변화하며 수행하였다. 실험 결과, 조사 시간이 증가할수록 두 종류의 나노튜브에서 반도체성 나노튜브는 남아있는 반면 금속성 나노튜브는 점차 제거되었다. 이러한 원인은 각 전기적 특성에 따른 유전상수 차이에 의하여 기인한 것이다. 전기적 특성과 결정성은 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통하여 분석하였으며, 직경 및 분산정도는 주사전자현미경(scanning electron microscope), 투과전자현미경(tunneling electron microscope)으로 관찰하였다.
서비스업자들은 선택의 기로에 놓여있다. 잘못된 선택이 그들을 파국으로 치닫게 만들지도 모른다. 많은 네트워크 전문가들은 지난 몇년간에 걸쳐 네트워크 분야는 많은 성장을 한 것은 사실이나 앞으로 다가오게 될 네트워크를 생각한다면 현재의 네트워크는 그 경쟁력을 상실하게 될 것이란 견해가 지배적이다. 이 말은 생존과 생존 이상의 성공을 원하는 서비스업자라면 자신의 경쟁력을 한껏 높여줄 기술을 제대로 선택해야 된다는 뜻이기도 하다. 현재 많은 기술들이 개발자와 사용자에게 있어 관심의 대상으로 떠오르고 있다.
점 용접부는 응력상태가 복잡하고, 피로균열은 판 두께, 너겟 직경, 용접 타점수, 부하 방식 등의 역학적인 인자와 재질, 화학성분, 표면 상태 등의 재료적인 인자, 그리고 용접전류, 가압력, 통전 시간등의 용접적인 인자의 영향을 동시에 받으며 3차원적으로 성장하므로 균열 성장 모드는 항상 혼합보드이고 균열이 박판 내면에서 발생. 성장하므로 검출이 곤란하여 균열 성장의 해석 및 예측이 어렵다/sup 1)/. 따라서 비접촉, 실시간, Whole-field, 레이저 파장 단위까지 측정이 가능하여 기존의 방법들의 문제점을 극복할 수 있고, 반도체와 같은 소형의 제품뿐만 아니라 기존에 측정하지 못했던 초고온, 대형 구조물의 변형도 정확하게 측정을 할 수 있는 ESPI법을 이용하여 일반가전 제품, 자동차 건축용에 많이 사용되고 있는 아연도금강판(SGCC)을 선택하여 단일 용접조건으로 점용접의 피치를 변화시켜 시험편을 제작하고 면외변위를 다각도로 측정하여 그 가능성을 검증하고자 한다.(중략)
분말야금법에 의한 소결부품은 원료분말을 혼합하여 성형, 소결의 공정을 거쳐 제조되기 때문에 재질과 형상의 선택범위가 넓으며 정확한 치수로 생산할 수 있어 비교적 짧은 기간동안에도 상당한 성장을 해왔다. 특히 최근들어 원가절감 및 경량화를 실현하는 최적재료로서 자동차 부품에 활발히 적용되고 있다. 소결 기계부품은 자동차를 비롯하여 가전제품, 전자기기 등 대형 성장산업의 뒷받침을 받아 순조로이 육성되어 왔으며, 앞으로도 새로운 성장산업에 의하여 더욱 큰 발전을 보일 것으로 전망된다. 본 고에서는 고강도화 되고 있는 자동차 소결부품에 촛점을 맞추어 기술하였다.
$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 단일 타게트를 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링법으로 MgO(100), Si(100)기판 위에 박막을 증착한 후, $880^{\circ}C$의 산소 분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였다. 열처리 전 박막의 미세한 조성변화에 의해서도 열처리 후 박막의 미세구조 및 전기적 특성은 크게 변화했다. MgO(100)기판의 표면에 성장되는 입자들은 선택 배향적으로 성장하려는 경향을 가지므로 가늘고 길쭉한 입자 형상을 띠는 반면에 이들 입자위에 성장되는 다른 입자들은 결정 성장 방향의 선호도가 없으므로 둥근 모양의 입자형상을 가진다. 열처리 전 박학의 조성이 1-2-3을 벗어나면 증착 후 열처리할 때 액상이 형성되며, 액상의 양이 많을수록 선택 배향적 성장이 용이해져 texture를 쉽게 이룬다. 그러나 이러한 액상은 냉각 시에 초전도입자의 입계에 이차상으로 형성되기 때문에 초전도 박막의 전기적 특성, 특히 임계온도를 저하시킨다. 또한 $T_{c,\;zero}$는 $T_{c,\;on}$에 비해서 입계에 형성되는 이차상의 영향을 더 크게 받는다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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