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The Impact of NiO on the Electrical Characteristics of AlGaN/GaN MOSHFET (NiO 게이트 산화막에 의한 AlGaN/GaN MOSHFET의 전기적 특성 변화)

  • Park, Yong Woon;Yang, Jeon Wook
    • Journal of IKEEE
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    • v.25 no.3
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    • pp.511-516
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    • 2021
  • The electrical characteristics of AlGaN/GaN/HEMT and MOSHFETs with NiO were studied. The threshold voltage of NiO MOSHFET revealed positive shift of +1.03 V than the -3.79 V of HEMT and negative shift of -1.73 V for SiO2 MOSHFET. Also, NiO MOSHFET showed better linearity in drain current corresponding to gate voltage and higher transconductance at positive gate voltage than the others. The response of gate pulse with base voltage of -5 V was different for both transistors as HEMT showed 20 % drain current decrease at the frequency range of 0.1 Hz~10 Hz and NiO MOSHFET decreased continuously above 10 Hz.

SIP-based Session Management Architecture between Gateways and Servers on Mobius IoT Platform (모비우스 IoT 플랫폼에서 게이트웨이와 서버간 SIP 기반 세션 관리 구조)

  • Kim, Daesoon;Min, Kyoungwook;Roh, Byeong-hee
    • The Journal of Korean Institute of Next Generation Computing
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    • v.13 no.4
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    • pp.90-99
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    • 2017
  • The service structure of the Mobius IoT platform, which has been developed on the basis of the oneM2M standard, connects servers and gateways directly to exchange data using HTTP or MQTT. Such structure may cause problems not to operate IoT services safely. In this paper, we propose an effective structure to manage sessions between gateways (or devices) and server using SIP safely and stably. In addition, we provide the way to implement the proposed method on Mobius IoT platform. To verify the operation of the proposed method, we actually implement the proposed method on Mobius IoT platform, and construct a testbed for a typical IoT application service environment with SIP servers. The results of the experiment show that the proposed method works normally, and it can contribute to the stable operation of IoT services.

Studies on the Fabrication of 0.2 ${\mu}m$Wide-Head T-Gate PHEMT′s (0.2 ${\mu}m$ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구)

  • Jeon, Byeong-Cheol;Yun, Yong-Sun;Park, Hyeon-Chang;Park, Hyeong-Mu;Lee, Jin-Gu
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.39 no.1
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    • pp.18-24
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    • 2002
  • n this paper, we have fabricated pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) with a 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ wide-head T-shaped gate using electron beam lithography by a dose split method. To make the T-shape gate with gate length of 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ and gate head size of 1.3 ${\mu}{\textrm}{m}$ we have used triple layer resist structure of PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA. The DC characteristics of PHEMT, which has 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ of gate length, 80 ${\mu}{\textrm}{m}$ of unit gate width and 4 gate fingers, are drain current density of 323 ㎃/mm and maximum transconductance 232 mS/mm at $V_{gs}$ = -1.2V and $V_{ds}$ = 3V. The RF characteristics of the same device are 2.91㏈ of S21 gain and 11.42㏈ of MAG at 40GHz. The current gain cut-off frequency is 63GHz and maximum oscillation frequency is 150GHz, respectively.ively.

Effects of Surface States on the Transconductance Dispersion and Gate Leakage Current in GaAs Metal - Semiconductor Field-Effect Transistor (GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor에서 표면 결함이 소자의 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 표면 누설 전류에 미치는 영향)

  • Choe, Gyeong-Jin;Lee, Jong-Ram
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.38 no.10
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    • pp.678-686
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    • 2001
  • Origins for the transconductance dispersion and the gate leakage current in a GaAs metal semiconductor field effect transistor were found using capacitance deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. In DLTS spectra, we observed two surface states with thermal activation energies of 0.65 $\times$ 0.07 eV and 0.88 $\times$ 0.04 eV and an electron trap EL2 with thermal activation energy of 0.84 $\times$ 0.01 eV. Transconductance was decreased in the frequency range of 5.5 Hz ~ 300 Hz. The transition frequency shifted to higher frequencies with the increase of temperature and the activation energy for the change of the transition frequency was determined to be 0.66 $\times$ 0.02 eV. From the measurements of the gate leakage current as a function of the device temperature, the forward and reverse currents are coincident with each other below gate voltages lower than 0.15 V, namely Ohmic behavior between gate and source/drain electrodes. The activation energy for the conductance of electrons on the surface of MESFET was 0.63 $\times$ 0.01 eV. Comparing activation energies obtained by different measurements, we found surface states H1 caused the transconductance dispersion and the fate leakage current.

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The Reconstruction and the Circuit Translation of An Extended Mark Flow Graph (확장된 마크흐름선도의 재구성과 회로변환)

  • 여정모;하재목
    • Proceedings of the Korea Multimedia Society Conference
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    • 1998.04a
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    • pp.423-431
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    • 1998
  • 이진값을 가지는 이진 시스템을 모델화하고 설계하여 구현할 수 있도록 Petri Net의 한 부류인 박스의 마크수가 최대 1인 안전(safe)한 확장된 마크흐름선도(EMFG : Extended Mark Flow Graph)를 재구성하였다. 레벨박스와 펄스박스 및 게이트박스를 하나의 박스로 통일하였으며, 보존아크를 제거하고 서로 상반되는 개념을 가지는 일반아크와 역아크만을 사용하였고, 특히 트랜지션의 출력아크로 새로이 역아크를 도입함으로써 EMFG의 표현을 명확하게 하였다. 또한 EMFG에서 자기루프를 정의하였다. 그리고 이진 시스템을 모델링한 EMFG를 실제회로로 구현하는 방법이 새로이 제시되었다.

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Implementation of Internet Telephone of Phone-to-PC Type (Phone-to-PC 방식의 인터넷 전화 구현)

  • 최용훈;박준석고대식
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.122-125
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    • 1998
  • 본 논문에서는 인터넷텔레포니 인터페이스(Internet Telphone Interface)를 제작하고 자체 개발된 PC-to-PC 방식의 인터넷 전화 소프트웨어인 Realphone을 이용하여 Phone-to-PC 방식의 인터넷 전화를 구현하였다. 실험을 위하여 인터넷텔레포니 인터페이스를 제작하였으며, 펜티엄 PC 2대와 일반 상용화 되어있는 전화기를 사용하였다. 통화는 목원대학교 학내전화와 목원대학교내 LAN으로 연결된 PC사이에 로컬(Local)상황과 국내 교육망으로 연결된 목원대학교와 서울대학교 사이에 트래픽이 서로 다른 새벽(Unload), 오전(Mid-load), 오후(Load)에 이루어졌다. 실험을 통하여 대형 게이트웨이의 도움없이 간단한 인터페이스만으로 Phone-to-PC 방식 인터넷전화의 통화가 가능함을 확인하였다.

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Design and Implementation of ARM based Network SoC Processer (ARM 기반의 네트워크용 SoC(System-on-a-chip) 프로세서의 설계 및 구현)

  • 박경철;나종화
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2003.04d
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    • pp.286-288
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    • 2003
  • 본 논문에서는 서로 다른 네트워크간의 다양한 프로토콜과 이종의 트래픽을 동시에 처리할 수 있는 네트워크용 SoC (System-on-a-Chip) 프로세서를 구현하였다. 제작된 네트워크 SoC 프로세서는 ARM 프로세서 코어와 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 블록, 10/100 Mbps 이더넷 볼록, 스케쥴러, UART 등을 이용하였고 각 블록은 AM8A (Advanced Microcontroller Bus Architecture) 버스로 연결하였다. SoC 프로세서는 CADENCE사의 VerilogHDL을 이용하여 설계하였고 0.35$\mu\textrm{m}$ 셀 라이브러리를 이용하여 검증하였다. 구현된 칩은 총 게이트수가 312,000개이며 칠의 최대 동작 주파수는 50MHz 이다.

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Design and Implementation of MNAB for A-­MiDAS (A­-MiDAS 시스템의 MNAB 설계 및 구현)

  • Kim, Kyu-Hyung;Ryu, Jae-Hong;Ryu, Won
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2003.10c
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    • pp.325-327
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    • 2003
  • 망 자원의 효율적인 사용, 관리 및 기존의 망을 흡수 통합하기 위해서 차세대통합네트워크(NGcN), ALL­IP 망으로 망 진화가 이루어지고 있으며, 이에 따라 동기식 CDMA2000 과 비동기식 WCDMA의 이동 통신망도 통합 및 연동에 대한 연구가 진행되고 있다. 그리고, 망 개방화에 대한 분위기도 고조되는 상황에서 CDMA2000, WCDMA등과 같은 서로 다른 무선 액세스 망에서 동일한 게이트웨이를 통하여 무선인터넷 서비스를 제공하려는 움직임도 있다. 본 논문에서는 망 진화에 따른 망통합 및 연동과 망 개방에 따른 COMA200 과 WCDMA 의 서로 다른 무선인터넷 액세스를 동시에 지원하기 위한 시스템인 A­MiDAS(Advanced Mobile internet Data Access System)에 대해서 소개하고, A­MiDAS 내의 CDMA2000 과 WCDMA 를 수용하기 위해서 설계 및 개발된 MNAB(Mobile Network Access Board)에 대해서 기술한다.

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Design and Implementation for the Remote sharing of the OSGi services (OSGi 서비스의 원격 공유를 위한 기술 설계 및 구현)

  • Baek, Kyoung-Yun;Yun, Ki-Hyun;Kim, Eun-Hoe;Choi, Jae-Young
    • Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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    • 2011.01a
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    • pp.15-18
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    • 2011
  • 현재 컴퓨팅 환경은 분산, 이동, 유비쿼터스 컴퓨팅 환경으로 진화되고 있다. OSGi는 유비쿼터스 환경에서 디지털 이동 전화, 차량, 임베디드 가전, 가정용 게이트웨이, 데스크탑 컴퓨터, 고성능 서버에 이르기까지 그 적용범위가 확대되고 있다. 따라서 서로 다른 장비에 탑재된 OSGi 프레임워크의 서비스들을 서로 연동하여 원격 OSGi 서비스들을 공유하여 상호 운용할 수 있는 기술이 필요하게 되었다. 본 논문에서는 분산 OSGi 프레임워크에서 원격 서비스의 상호운용을 지원하기 위하여 분산 미들웨어 기술인 RMI 패러다임을 적용한 원격 OSGi 서비스 상호운영 방안을 제안한다. 제안하는 원격 OSGi 서비스 상호운용 방안은 OSGi 표준 기술을 활용 및 확장하여 OSGi 아키텍처에 부합하는 원격서비스의 등록 및 발견, 접근 방법을 제공한다. 또한 동적으로 프락시 번들 및 프락시 서비스를 생성함으로써 원격 OSGi 서비스의 위치 투명성을 지원하는 특징을 가진다.

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CMOS Voltage down converter using the self temperature-compensation techniques (자동 온도 보상 기법을 이용한 CMOS 내부 전원 전압 발생기)

  • Son, Jong-Pil;Kim, Soo-Won
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.43 no.12 s.354
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    • pp.1-7
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    • 2006
  • An on chip voltage down converter (VDC) using the self temperature-compensation techniques is proposed. At a different gate bias voltage, PMOSFET shows different source to drain current characteristic according to the temperature variation. The proposed VDC can reduce its temperature dependency by the source to drain current ratio of two PMOSFET with different gate bias respectively. Proposed circuit is fabricated in Dongbu-anam $0.18{\mu}m$ CMOS process and experimental results show its temperature dependency of $-0.49mV/^{\circ}C$ and external supply dependency of 6mV/V. Total current consumption is only $1.1{\mu}A@2.5V$.