• 대한전자공학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.106-112
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• 1990

다공질 실리콘을 열산화할 때 산화의 온도 의존성과 IR흡수 스펙트럼을 조사하여 다공질 실리콘외 산화특성을 조사하였다. PSL(porous silicon layer)을 $700^{\circ}C$에서 1시간, $1100^{\circ}C$에서 1시간으로 2단계 습식산화시켜 bulk 실리콘의 열산화막과 같은 성질의 수십 ${\mu}m$두께의 OPSL(oxidized porous silicon layer)을 짧은 시간에 형성시킬 수 있으며, 식각율과 항복전계는 산화온도와 산화 분위기에 크게 의존하는 것으로 나타났다. 이때 PSL의 산화율은 약 390nm/s이고, 항복전계는 1.0MV/cm~2.0MV/cm의 분포를 갖는다. 웨이퍼 휨을 측정하여 고온 열산화시 발생하는 산화막의 stress를 조사하였다. $1000^{\circ}C$ 이상의 고온에서 건식산화할 경우 발생하는 stress는 ${10^2}dyne/{cm^2}~{10^10}dyne/{cm^2}$로 측정되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.424-430
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• 1998

MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semicondutor) EEPROM에 응용하기 위한 얇은 ONO 유전층의 막 특성을 AES, SIMS, TEM 및 AFM을 이용하여 조사하였다. 터널링 산화막, 질화막, 블로킹 산화막의 두께를 각각 달리하여 ONO 박막을 제작하였다. 터널링 산화막 위에 LPCVD방법으로 질화막을 증착하는 동안 얇은 터널링 산화막이 질화되었으며, 질화막 위에 블로킹 산화막을 형성할 때, 산소가 질화막 표면을 산화시킬 뿐만 아니라 질화막을 지나 확산되었다. ONO 박막은 $SiO_2$(블로킹 산화막)/O-rich SiOxNy(계면)/N-rich iOxNy(질화막)/O-rich SiOxNy(터널링 산화막)으로 이루어졌다. SiON상은 주로 터널링 산화막과 질화막, 질화막과 블로킹 산화막 계면에 분포하였으며, $Si_2NO$상은 각 계면의 질화막 쪽과 터널링 산화막 내에 분포하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권2호
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• pp.38-45
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• 1997

본 논문에서는 반도체 소자 제조 공정 중, 염산화 공정 시에 발생하는 스트레스에 따른 산화막의 3차원적 거동을 시뮬레이션하였다. 이를 위해, 이동하는 3차원 경계면에서의 노드 생성 및 제거 기능을 지는 3차원 적응 메쉬 생성기를 개발하였고, 지배 방정식을 유한요소법(finite element method)으로 이산화시켜 수치 해석적으로 해를 구하는, 스트레스 효과를 고려한 3차원 산화 시뮬레이터를 개발하였다. 본 연구에서는 열산화 공정에 의한 산화막의 3차원적 거동을 관찰하기 위하여, 섬구조(island) 및 공구조(hole structure)의 산화막 성장을 <100> 실리콘 기판에 대하여 $1000^{\circ}C$, 60분간 습식 산화 조건에서 시뮬레이션하였다. 초기 산화막의 두께는 $300\AA$, 질화막의 두께는 $2,000\AA$으로 가정하였다. 마스크의 형태에 따라 코너에서의 새부리(bird's beak)형태가 변하는데, 코너에서의 효과는 마스크 형태에 따라 산화제의 확산이 다른 영역에 비해 감소하거나 증가하는 영향이 주된 이유이지만, 스트레스에 의해 그 영향이 더 커짐을 확인하였다. 섬구조에서는 compressive 스트레스에 의해 코너 부근에서 산화가 감소하는 결과를 가져오고, 공구조에서는 tensile 스트레스로 인해 산화가 더 증가하는 결과를 보임을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.25-34
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• 1981

전하결합소자(charge coupled device)의 제작에 필요한 다중전극구조를 실현하기 위하여 알루미늄양극산화방법을 실험적으로 조사하였다. 양극산화의 전해질용액으로 2% ammonium tartrate를 사용하고, 산화전압을 30∼35 volt로 하여 2시간 정도 산화할 때 형성되는 Al2O3의 두께는 400∼500A이었고 절연파괴전압은 30volt 정도였다. 이와 같은 Al2O3의 성질을 이용하여 CCD transversal 저역여파기를 제작하였다. 17개의 tap coefficient를 갖는 저역파기의 stop band attenuation은 약 22dB 이었으며 사용가능한 주파수 범위는 3 KHz로부터 100KHz까지였다.

• 대한환경공학회지
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• 제22권2호
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• pp.385-399
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• 2000

매립지 침출수에 의한 지하수의 오염은 유입 오염물질 및 대수층의 특성에 의해 다양한 대수층의 환경변화를 유발하게 되며, 이러한 대수층 내의 환경변화는 유입 오염물질의 자연정화 현상에 많은 기여를 하는 것으로 알려지고 있다. 이러한 오염에 의한 대수층의 환경변화에 대한 이해는 지하수 오염의 정도와 위해성 평가, 그리고 적적한 복원 및 정화기법의 개발, 선정 및 정화 수준의 결정을 위해 필수적이다. 본고에서는 매립지 침출수에 의한 지하수 오염으로 발생하는 대수층 내의 환경변화, 즉 다양한 산화-환원대(redox zones)가 형성되는 현상과, 각 산화-환원대에서 발생하는 오염물질 저감 현상에 대한 연구 현황에 대해 정리함으로써 현재 전국적으로 산재되어 있는 많은 불량매립지의 오염 복원 및 정화를 위한 적절한 연구 및 대책 방안에 대해 제시하고 있다.

• 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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• 제7권1호
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• pp.25-31
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• 2002

본 연구는 제강분진/${H_2}{O_2}$ 시스템을 이용한 매립지 침출수의 화학적 산화처리 효과를 알아보고자 하였다. 먼저 회분식 실험을 통해 산화촉매로서의 제강분진의 활용 가능성을 확인하였으며, 반응의 주요 변수인 pH, 제강분진과 과산화수소의 주입농도, 그리고 과산화수소의 분할주입 등의 조건변화에 따른 매립지 침출수의 처리효율과 최적 반응조건을 알아보았다. 최적 ${H_2}{O_2}$와 제강분진의 주입조건인 20g/L dust +2,000mg/L ${H_2}{O_2}$에서 반응시간 60분내에 초기 TOC 농도(250mg/L)의 75%가 제거되었으며, 이 때 ${H_2}{O_2}$/dust 시스템의 최적 반응 pH는 3-4였다. 철염을 반응촉매로 사용하는 펜톤산화반응과 비교하였을 때, 제강분진을 반응촉매로 사용하는 경우가 반응성과 경제성에서 더 유리한 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제28권1호
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• pp.71-79
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• 2000

산화전분을 골판지 구성원지인 표면라이너지와 이면라이너지에 각각 코팅하고 물성변화를 조사하였다. 산화전분 코팅에 의해 골판지 믈성과 관련된 각 라이너지의 물성이 개선되었고 링 크러시 강도의 경우 표면라이너지보다 이면라이너지에서 개선의 효과가 더욱 컸으며 도공하지 않은 경우에 비해 최대 19.7%의 증가를 보였다. 비교적 낮은 도공량으로도 파열지수는 증가하였으며 일정 수준의 도공량 이상에서는 더 이상 증가하지 않는 것으로 조사되었다. 파열강도가 증가함에 따라 링 크러시 강도도 증가하는 경향을 보였다. 표면라이너지, 이면라이너지 각각 1.41g/$m^2$, 1.58g/$m^2$의 도공량에 이를 때까지 TEA는 크게 증가하였으며 인장강도가 증가함에 따라 링 크러시 강도도 대체적으로 증가되었다. 낮은 도공량에서 stiffness가 증가하였으며 도공처리로 라이너지의 투기도는 감소하였지만 원지 간 결합에 장애를 일으킬 만큼의 염려는 없을 것으로 판단되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.473-478
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• 2016

본 논문은 RTP법으로 산화막을 질화시킨 질화산화막으로 MIS 커패시터를 제작하여 avalanche 주입에 따른 캐리어 트랩 특성을 조사하였다. avalanche 주입에 의한 flatband 전압 변화는 두 번의 turn-around가 관찰되었는데 이는 처음 산화막에서 전자 트래핑이 있어나고, 전하 주입에 따라 홀 트래핑에 의한 turn-around 후 다시 전자 트래핑이 일어나는 것을 관찰하였다. 질화 산화막의 캐리어 트랩 파라미터를 결정하기 위하여 실험 결과를 기초로 종류가 다른 여러 트랩을 갖는 계에 대한 캐리어 트래핑을 비교한 결과 실험값과 일치함을 확인하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권9호
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• pp.1307-1312
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• 2013

본 논문에서는 알칼리성 또는 산성을 띠는 특정 용액 내에서 전기분해 원리를 이용하여 금속 표면을 산화시켜 절연피막을 형성하는 장치를 개발한다. 기존에는 주로 양극에만 펄스 형태로 전압을 인가하는 단극성(unipolar) 방식이지만 본 논문에서는 H-브리지를 이용하여 양극에 양(+)전압과 음(-)전압을 번갈아 가면서 전압을 공급하는 양극성(bipolar) 장치를 제작하였으며, 금속 시편의 특성에 맞는 다양한 전기적인 조건을 가지고 산화피막을 형성할 수 있는 장치를 개발하였다. 공급전류 가변은 PWM 변조를 이용하였으며, (+)와 (-)의 극성변화는 H-브리지를 이용하여 양극성 펄스전압을 공급할 수 있도록 하였다. 그 결과로써 단극성보다 균일한 기공을 갖는 피막이 형성되었다.

• 농업과학연구
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• 제27권2호
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• pp.95-100
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• 2000

본 연구는 충청북도 충주시 산척면의 산화지에 대한 토양조사를 통해 산화에 의한 토양의 이 화학적 특성 변화를 알아보기 위해 실시되었다. 산불은 1997년 4월에 소나무 우점립에서 발생하였으며, 산불로 인한 고사목들은 별채되지 않았다. 토양시료는 1998년 11월에 산불지와 비산불지에서 각각 0-5, 5-10, 그리고 10-20cm의 토양층위에서 채취한 후 토양의 유기물, 전질소, 유효인산, 치환성 칼륨, 칼슘, 미그네슘, 산도, 가비중, 수분함량을 분석하였다. 산불로 인해 산화지의 유기층은 거의 존재하지 않았던 반면, 비산불지의 유기층은 약 4cm 깊이로 발달되어 있었다. 유효인산이 5-10cm 토양 깊이에서 비산불지에서 높게 나타난 것을 제외하고 토양내 유기물, 전 질소, 유효인산, 치환성 칼륨, 칼슘, 미그네슘, 양이온 치환용량, 산도, 가비중, 그리고 수분함량은 모든 토양 깊이에서 산불지와 비산불지 간에 유의적인 차이가 없는 것으로 나타났다. 본 연구에서 산불은 유기층의 소실이외에는 토양의 이 화학적 특성 변화에 큰 영향을 주지 않은 것으로 나타났다. 산불로 인한 식생과 유기층의 유실은 장기적으로 볼 때 임지생산력의 저하를 가져올 수 있다고 사료된다.