• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제2권1호
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• pp.52-64
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• 1989

본 연구에서는 고분자-고분자 및 고분자-금속-고분자의 구조를 갖는 2층고분가물질에 관한 전도전류특성이 조사되었다. 그 결과 2층고분자시료의 전도전류는 인가전압의 극성에 따라 차이가 있었으며 폴리에틸렌과 산화폴리에틸렌으로 구성되는 2층시료 PE-OxPE의 경우 OxPE의 산화도가 증대될 수록 전도전류값이 증가하는 것으로 나타났다. 또한 2충시료 PE-EVA에 대한 전도전류의 극성효과는 (+)극으로부터의 전하주입성이 뛰어난 EVA의 특성에 기인한다. 2층 고분자시료의 중간에 금속(Al)이 삽입된 PE-Al-EVA계의 전도전류특성은 Maxell-Wagner모델에 의한 이론에 대체로 부합되지만 이때의 전도전류는 PE-EVA의 구조보다 낮게 관측되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.193.2-193.2
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• 2016

본 연구에서는 탄산이온이 포함된 수용액에서 규산나트륨의 농도가 AZ31 마그네슘 합금의 플라즈마전해산화 피막형성에 미치는 영향에 대해 알아보았다. 다양한 농도의 규산나트륨 용액에서 DC와 펄스전류를 인가하여 플라즈마전해산화피막을 형성하였으며, 형성된 피막의 surface roughness와 thickness를 분석하였다. 탄산 이온이 포함된 수용액에서 플라즈마전해산화 피막의 형성전압은 규산나트륨의 농도가 높아질수록 높아지는 것으로 나타났다. 하지만 탄산이온이 존재하지 않은 규산나트륨 용액에서의 플라즈마전해산화 피막 형성전압보다 더 낮은 값을 나타내었다. 탄산 이온이 포함된 수용액에서 규산나트륨의 농도가 높아질수록 플라즈마전해산화 피막의 surface roughness와 thickness는 증가하였으며, DC와 펄스전류 모두에서 더 밝은 색상의 균일한 산화피막을 형성할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.352-352
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• 2012

MOSFET의 크기는 작아지고 다양한 소자열화 현상으로 신뢰성 문제가 나타나고 있다. 특히 CMOS 인버터에서 PMOS가 'HIGH'일 때 음의 게이트 전압이 인가되고 소자 구동으로 인해 온도가 높아지면 드레인 전류의 절대값은 줄어들고 문턱 전압 절대값과 GIDL전류가 증가하는 NBTI현상이 발생한다. 본 연구에서는 NBTI현상에 따른 열화 특성을 분석하였다. 측정은 드레인과 소스는 접지시킨 상태에서 온도 $100^{\circ}C$에서 게이트에 -3.4V과 -4V의 게이트 스트레스를 인가한 후 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 스트레스 시간에 따라 측정하였다. 측정에 사용된 소자의 산화막 두께는 25A, 채널 길이는 $0.17{\mu}m$, 폭은 $3{\mu}m$이다. 게이트에 음의 전압이 가해지면 게이트 산화막에 양전하의 interface trap이 생기게 된다. 이로 인해 채널 형성을 방해하고 문턱 전압은 높아지고 드레인 전류의 절대값은 낮아지게 된다. 또한 게이트와 드레인 사이의 에너지 밴드는 게이트 전압으로 인해 휘어지게 되면서 터널링이 더 쉽게 일어나 GIDL전류가 증가한다. NBTI스트레스 시간이 증가함에 따라 게이트 산화막에 생긴 양전하로 인해 문턱 전압은 1,000초 스트레스 후 스트레스 전압이 각각 -3.4V, -4V일 때 스트레스 전에 비해 각각 -0.12V, -0.14V정도 높아지고 드레인 전류의 절대값은 5%와 24% 감소한다. GIDL전류 역시 스트레스 후 게이트 전압이 0.5V일 때, 스트레스 전에 비해 각각 $0.021{\mu}A$, $67{\mu}A$씩 증가하였다. 결과적으로, NBTI스트레스가 인가됨에 따라 게이트 전압 0.5V에서 0V사이의 드레인 전류가 증가함으로 GIDL전류가 증가하고 문턱전압이 높아져 드레인 전류가 -1.5V에서 드레인 전류의 절대값이 줄어드는 것을 확인할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1418-1419
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• 2011

차세대 전력 반도체인 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 특성을 개선하기 위해서 열 산화공정이 제안되었다. AlGaN/GaN 에피탁시 위에 쇼트키 장벽 다이오드 구조가 제작되었으며, 쇼트키 컨택은 증착 후 $450^{\circ}C$에서 산화되었다. 열 산화공정이 메사 측벽의 AlGaN 및 GaN 표면에 $AlO_x$ 및 $GaO_x$를 형성하여 표면으로 흐르는 누설전류를 억제한다. 표면 및 GaN 버퍼를 통한 누설전류는 열 산화 공정 이후 100 ${\mu}m$-너비당 51.3 nA에서 24.9 pA로 1/2000 배 수준으로 감소하였다. 표면 산화물 형성으로 인하여 생성된 Ga-vacancy와 Al-vacancy는 acceptor로 동작하여 surface band bending을 증가시켜 쇼트키 장벽 높이를 증가시킨다. 애노드-캐소드 간격이 5 ${\mu}m$인 제작된 소자는 0.99 eV의 높은 쇼트키 장벽 높이를 획득하여, -100 V에서 0.002 A/$cm^2$의 낮은 누설전류를 확보하였다. 애노드-캐소드 간격이 5에서 10, 20, 50 ${\mu}m$로 증가되면 소자의 항복전압은 348 V에서 396, 606, 941 V로 증가되었다. 열 산화공정은 전력용 GaN 전자소자의 누설전류감소와 항복전압 증가를 위한 후처리 공정으로 적합하다.

• ETRI Journal
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• 제11권3호
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• pp.96-108
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• 1989

다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(Polyoxide)은 기억소자에서의 capapcitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로사용된다. 이러한 Polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 철연파괴 전류밀도 등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 공정조건 변화에 따른 Polyoxide의 특성을 조사 분석하였다.

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.119-127
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• 1989

다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(polyoxide)은 기억소자에서의 capscitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로 사용된다. 이러한 polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 절연파괴 전류밀도등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 ployoxide의 형성조건에 따른 polyoxide의 전기적인 특성에 대하여 연구하였다.

• 분석과학
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• 제18권5호
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• pp.369-375
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• 2005

몇 가지 희토류 원소 이온들과 이들의 카테콜 착물 들의 시차펄스 양극벗김 voltammogram들을 0.1 M LiCl 와 pH 5.3 용액에서 연구하였다. 회토류 원소 이온의 산화 봉우리는 원소에 따라 하나 또는 두 개의 봉우리가 나타났고, 산화봉우리 전류는 농도의 증가에 따라 직선적으로 증가하였다. $Eu^{3+}$와 $Pr^{3+}$은 각각 -0.2 V에서 산화 봉우리가 나타났고, $Tm^{3+}$, $Tb^{3+}$, $Yb^{3+}$ 및 $Sm^{3+}$은 -0.5 V와 -0.2 V에서 각각 두개의 산화 봉우리가 생성되었다. 이 산화 전류를 이용한 검정곡선의 직선범위는 대략 1.0 ppm~10 ppm정도였다. 희토류 이온-카테콜 착물의 시차 펄스 양극 벗김 oltammogram에서는 $Tb^{3+}$-catechol 과 $Eu^{3+}$-catechol 착물 에서는 -0.95 V와 -0.65 V에서 각각 하나의 산화봉우리가 나타났고, $Sm^{3+}$-catechol, $Pr^{3+}$-catechol, $Tm^{3+}$-catechol 및 $Yb^{3+}$-catechol의 착물에서는 두 개의 산화 봉우리가 나타났다. 이를 이용한 검정곡선의 농도범위는 대략 0.1 ppm-1.0 ppm 정도였다. 따라서 희토류 원소의 voltammogram의 산화전류 보다 희토류 이온-카테콜 착물의 산화 전류의 감도가 10배 정도 증가함을 알았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.119-119
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• 2009

선택적 액상증착(Selective Liquid Phase Deposition)을 이용하면, 기존의 열에 의한 손상 없이 섭씨 50도 이하의 낮은 온도로 실리콘 산화물을 증착시킬 수 있다. 형성된 액상증착 실리콘 산화물은 조직이 매우 치밀하며 표면이 매우 고르게 형성됨을 확인하였다. 뿐만 아니라, 액상증착 실리콘 산화물의 누설 전류 또한 매우 낮음을 확인하였다. 또한 형성된 박막에 다양한 온도 하에서 열처리하여 산화막의 특성 변화를 관찰하였으며, 열처리 후에도 박막의 표면 거칠기나 누설전류의 변화가 미미한 것을 확인하였다. 이것은 액상증착 실리콘 산화물이 열처리 유무와 관계없이 집적회로에서 좋은 절연소재로 사용될 수 있는 가능성을 내포한다.

• 대한화학회지
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• 제39권4호
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• pp.294-300
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• 1995

빛에 대한 폴리피롤(PPy)의 광전기화학적인 거동을 $Fe(CN)_6^{4-}/Fe(CN)_6^{3-}$과 $I^-/I_2$를 산화환원종으로 수용액에서 관찰하였다. PPy은 정전압법으로 Pt와 glassy-C 그리고 ITO에 각각 중합하였으며 PPy막을 입힌 전극에 빛이 쪼여졌을 때 산화환원종의 산화환원 전위에서 전류의 증가를 얻었다. 증가된 전류는 PPy이 갖는 반도체 특성과 빛에 의한 전극표면에서의 산화환원 광열촉진에 기인하며, PPy 중합시 사용한 지지전해질의 음이온(dopants)과 산화환원종, 용액의 pH에 의존하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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• pp.917-919
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• 2009

본 연구에서는 산화막 두께에 따른 20nm 이하 MOSFET의 전류-전압 특성 곡선 분석하였다. 산화물 내의 등가 포획 전하는 가우시안 함수를 사용하였다. 채널의 길이가 20nm 이하인 LDD MOSFET를 설계하여 사용하였고, 소자를 시뮬레이션 하기 위하여 실리콘 공정 디바이스 시뮬레이터인 MicroTec의 SemSim을 사용하였다. SemSim은 디바이스 시뮬레이터로써 입력 바이어스에 의해 공정 시뮬레이션인 SiDif와 디바이스 조립인 MergIC에 의해 소자를 시뮬레이션 한다. 산화막의 두께를 2nm, 3nm, 4nm로 시뮬레이션 한 결과 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 드레인에 흐르는 전류가 증가함을 알 수 있었다.