• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.40 no.6
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• pp.712-716
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• 2008

In an effort to evaluate Salmonella food safety using combinations of preservation techniques, its viabilities when exposed to HCl, acetic acid, and the oxidative agents (hydrogen peroxide and butyl hydrogen peroxide), were analyzed using sub-lethal heat-shocked Salmonella Typhimurium at $56^{\circ}C$. 2D gel electrophoresis and MALDI-TOF MS analyses were also conducted to determine the expression and repression of proteins in heat-shocked cells. Heat-shocked S. Typhimurium evidenced a reduction of viable counts by 1-2 log CFU/mL. However, viality of non heat-shocked S. Typhimurium decreased markedly by 5-6 log CFU/mL at a pH 4 in response to acid and oxidative stresses. Sub-lethal heat treatment greatly increased the resistance of S. Typhimurium against acid and oxidant agents. As for 2D gel electrophoresis and protein identification via MALDI-TOF MS, 17 major proteins in non heat-shocked S. Typhimurium were detected, and only 13 proteins among these proteins were detected in heat-shocked S. Typhimurium. The heat shock proteins such as DnaK and small heat shock proteins were included, and may be associated with the resistance of S. typhimurium against exposure to acids and oxidants. Therefore, even though the promising hurdle technology using the combined mild treatments including heat was applied to S. Typhimurium, the proper heat treatment to reduce its crossprotection activity toward the following preservative agents might be considered.

• FLOWER RESEARCH JOURNAL
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• v.19 no.4
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• pp.269-273
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• 2011

This study was conducted to investigate the resistance to abiotic stress in the progeny obtained by a cross between NDPK2-transgenic line (NDPK2-7-1) and MnSOD (SOD2) transgenic line (SOD2-2-1-1-35) to develop transgenic petunia highly resistant to environmental stress. At the treatment of 100 and $200{\mu}M$ methyl viologene (MV), the progeny was significantly less damaged than its parental plants (SOD2- or NDPK2-transgenic lines) as well as non-transgenic plants, implying its resistance to oxidative stress enhanced than SOD2- or NDPK2-transgenic plants. In an expression of 11 quantitative traits, the progeny remained similar to control plants, although it infrequently displayed slightly longer or wider than non-transgenic control plants. In the color and shape of flowers, there was no significant difference between the progeny and its parents or non-transgenic control.

• Korean Journal of Microbiology
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• v.40 no.3
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• pp.232-236
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• 2004

We investigated hydrogen peroxide resistance of Escherichia coli possessing acetyl xylan esterase(AxeA) of Streptomyces coelicolor A3(2). The induction of AxeA production by isopropyl-$\beta$-thiogalactoside was confirmed by SDS-polyacrylamide gel electrophoresis. The differences in growth between induced and non-induced E. coli were determined by the changes in optical density of cultures after hydrogen peroxide treatment The lethal effect of hydrogen peroxide was observed for non-induced cultures at all concentrations tested in this study (lmM, 2.5mM and 5mM). However, cultures induced for AxeA production resisted the lethal effect, except at 5mM where cells were killed irrespective of the AxeA production. The axeA induction increased survival against 1.5mM hydrogen peroxide from 59% to 74%. In addition, AxeA producing E. coli showed increased survival at $45^{\circ}C$, near maximum growth temperature. Therefore, it was concluded that AxeA conferred a cross-resistance upon the bacterium against both oxidative- and heat stress.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.100-102
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• 2013

Magnetron-sputtering법을 사용하여 기존에 연구하였던 CrAlN (Cr 7：Al 3)박막에 Si를 첨가하여 Si의 함량 변화에 따라 미세구조와 화학적 결합상태, 온도저항계수(TCR) 및 산화저항의 영향과 기계적특성 개선을 통한 multi-functional heater resistor layer로써의 가능성을 연구하였다. CrAlSiN 박막의 Si 함량에 변화에 따라 온도저항계수 변화를 확인하였으며 X-선 회절 분석(XRD) 패턴 분석결과 CrAlSiN 박막의 결정구조가 Bl-NaCl 구조를 가지고 있는 것을 확인하였으며 SEM과 AFM을 통한 표면 및 미세구조 분석결과 Si의 함량이 증가할수록 입자가 조밀해짐을 알 수 있었다. 최근 digital priting technology의 핵심 기술로 부각되고 있는 inkjet priting technology는 널리 태양전지뿐만 아니라 thin film process, lithography와 같은 반도체 공정 기술에 활용 할 수 있기 때문에 반도체 제조장비에도 사용되고 있으며, 현재 thermal inkjet 방식을 사용하고 있다. Inkjet printing technology는 전기 에너지를 잉크를 배출하기 위해 열에너지로 변환하는 thermal inkjet 방식을 사용하고 있는데, 이러한 thermal inkjet 방식은 기본적으로 전기저항이 필요하지만 electrical resistor layer는 잉크를 높은 온도에서 순간적으로 가열하기 때문에 부식이나 산화 등의 문제가 발생할 수 있어 이에 대한 보호층을 필요로 한다. 하지만, 고해상도, 고속 잉크젯 프린터, 대형 인쇄 등을 요구되고 있어 저 전력 중심의 잉크젯 프린터의 열효율을 방해하는 보호층 제거에 필요성이 제기되고 있다. 본 연구는 magnetron-sputtering을 사용하여 기존의 CrAlN 박막에 Si를 합성하여 anti-oxidation, corrosion resistance 그리고 low temperature coefficient of resistance 값을 갖는 multi-functional heater resistor layer로써 CrAlSiN 박막의 Si 함량에 따른 효과에 초점을 두었다. 본 실험은 CrAlN 박막에 Si 함량을 4~11 at%까지 첨가시켜 함량의 변화에 따른 특성변화를 확인하였다. 함량이 증가할수록 amorphous silicon nitride phase의 영향으로 박막의 roughness는 감소하였으며 XRD 분석결과 (111) peak의 Intensity가 감소함을 확인하였으며 SEM 관찰시 모든 박막이 columnar structure를 나타내었으며 Si함량이 증가할수록 입자가 치밀해짐을 보여주었다.Si함량이 증가할수록 CrAlN 박막에 비하여 면저항은 증가하였으며 TCR 측정결과 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 안정한 TCR값을 나타내었다. Multi-functional heater resistor layer 역할을 하기 위해서, CrAlSiN 박막의 원소 분포, 표면 거칠기, 미세조직, 전기적 특성 등을 조사하였다. CrAlN 박막의 Si의 첨가는 크게 XRD 분석결과 주상 성장을 억제 할 수 있으며 SEM 분석을 통하여 Si 함량이 증가할수록 Si3N4 형성이 감소하며 입자크기가 작아짐을 확인하였다. 면저항의 경우 Si 함량이 증가함에 따라 높은 면저항을 나타내었으며 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 낮은 TCR 값인 3120.53 ppm/K값을 보였다. 이 값은 상용되고 있는 heater resistor보다 높지만, CrAlSiN 박막이 더 우수한 기계적 특성을 가지고 있기 때문에 hybrid heater resistor로 적용할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.130.1-130.1
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• 2010

분리판(Bipolar plate)은 MEA 및 GDL의 구조적지지, 연료와 산화제를 공급해 주는 통로역할, 발생한 전류의 수집 및 전달, 그리고 반응 생성물의 수송 및 제거 등의 다양한 역할을 한다. PEMFC 및 DMFC의 분리판에 주로 사용되고 있는 재질은 Graphite 및 금속 물질이다. Graphite는 내부식성이 좋고 가벼워 현재 가장 많이 사용되고 있지만, 가공이 어렵고 깨질 위험이 있으며 두껍고 비교적 값이 비싸다. 금속은 가공성이 좋고 높은 전기 전도도를 가지며 가격이 저렴한 반면, 내부식성이 좋지 않은 단점이 있다. 연료전지를 실용화하는데 있어 중요한 문제 중 하나는 전지 성능의 수명과 경제성이며, 위와 같은 Graphite와 금속의 특성으로 인하여, Graphite 분리판을 금속 분리판으로 대체하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 원가절감을 위한 대량생산공정 중 하나인 염욕질화공정의 도입 및 적용을 위한 목적으로, 다양한 처리조건에 의해서 금속 표면을 처리하였으며, 표면처리된 금속은 부식특성, 접촉저항, 및 내구성 등을 평가하고 이를 통하여 금속계 분리판 적용성에 대해 알아보고자 한다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.50 no.3
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• pp.567-573
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• 2012

Compared with the natural marble, the artificial marble has the advantages of excellent appearance, high degree of finish, even color, fine pressure and wear resistance, bear erosion and weathering, etc. It can be widely used in kitchen countertops, bath vanity tops, table tops, furniture, reception desks, etc. However, large amounts of artificial marble waste such as scraps or dust have been generated from sawing and polishing processes in artificial marble industry. Waste from artificial marble industry is increasing according to demand magnification of luxurious interior material. Artificial marble wastes can be recycled as aluminum oxide used as raw materials in electronic materials, ceramics production, etc., and methyl methacrylate(MMA) which become a raw material of artificial marble by pulverization, pyrolysis and distillation processes. The characteristics of artificial marble wastes was analyzed by using TGA/DSC and element analysis. Crude aluminum oxide was obtained from artificial marble waste by pulverization and thermal decomposition under nitrogen atmosphere. In this work, Box-Behnken design was used to optimize the pyrolysis process. The characteristics of crude aluminum oxide was evaluated by chromaticity analysis, element analysis, and surface area.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.5
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• pp.555-563
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• 1999

Impregnation of phosphorous additiers into graphite bulk was studied with the goal of enhancing the effectiveness of oxidationprotection. In addition graphite acid washing was carried out prior to the impregnation further to improve oxidation resistance. Observation of the oxidation rate for raw graphite(Raw) impregnated graphite with tri-butyl phsophate on raw block(RP) and impregnated graphite on acid-treated graphite(AP) in air are reported. The phsophorus residue adsorbed on the graphite surface at active sites was determined by FTIR, XRS, TGA techniques. AP with tri-butyl phosphate was found to result in both 30% reduction in oxidation rate at 1000$^{\circ}C$ compared to Raw and increase of 120$^{\circ}C$ in oxidation temperature From the samples of oxidation rate of each specimen in Arrhenius plot it can be said that the present oxidation resistance origninates from the change of chemical reaction modesw neigther by acid-washing treatment nor phsophate impregnation

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.60 no.1
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• pp.62-69
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• 2022

Graphene has a large surface area to volume ratio and good mechanical and electrical property and biocompatibility. This study described the electrochemical deposition and reduction of graphene oxide on the surface of indium tin oxide (ITO) glass slide and electrochemical characterization of graphen-modified ITO. Cyclic voltammetry was used for the deposition and reduction of graphene oxide. The surface of graphen-coated ITO was characterized using scanning electron microscopy and energy dispesive X-ray spectroscopy. The electrodes were evaluated by performing cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy. The number of cycles and scan rate greatly influenced on the coverage and the degree of reduction of graphene oxide, thus affecting the electrochemical properties of electrodes. Modification of ITO with graphene generated higher current with lower charge transfer resistance at the electrode-electrolyte interface. Glucose oxidase was immobilized on the graphene-modified ITO and has been found to successfully generate electrons by oxidizing glucose.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.74-74
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• 2011

최근 새로운 형태의 디스플레이에 관한 관심이 집중되고 있다. 이들 중 특히 투명 산화물 반도체는 기존의 실리콘 기반의 반도체에 비해 가시광 영역에서 높은 투과도를 보이며, 또한 기존의 비정질 실리콘 소자에 비해서 10 cm2/Vs이상의 높은 전하 이동도 값을 가진다. 본 연구에서는 투명 산화물 반도체 소재 중 InGaZnO4를 사용하여 펄스 레이저 방법으로 Al2O3 (0001)기판 위에 비정질 상태인 a-InGaZnO4 박막을 성장 시켰다. 박막의 증착 온도를 변화(RT, $50^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $550^{\circ}C$)시켜 성장된 박막의 구조적, 화학적, 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착 온도가 $450{\sim}550^{\circ}C$ 사이에서 박막의 상태가 비정질(amorphous)에서 polycrystalline으로 성장되는 것을 X-Ray Diffraction과 Field Emission-Scanning Electron Microscope를 이용하여 확인하였고 이는 InGaZnO4 박막의 결정화 온도가 $450^{\circ}C$ 이상임을 알 수 있었다. X-ray Photoelectron Spectroscopy를 통해서 target 물질과 성장된 박막의 조성 및 화학적 상태를 고찰한 결과, 박막의 결정성 변화가 화학적 상태 변화와는 무관하다는 사실을 알 수 있었다. 온도 의존 비저항 측정을 통해 박막이 반도체 성향을 가지는 것을 확인 하였다. 또한 Hall 측정 결과 증착 온도가 올라 갈수록 전하 밀도는 증가 하지만, 전하 이동도는 다결정 박막($550^{\circ}C$)에서 급격히 감소하고, 이로 인해 비저항 값이 크게 증가함을 알 수 있었다. 이는 다결정 박막 내 존재하는 grain boundary들이 이동도 값에 영향을 준다는 것으로 추측할 수 있다. Ultra violet-Visible-Near Infrared 측정을 통해 가시광 영역에서 80%이상의 투과율을 나타내며 증착 온도가 증가함에 따라 에너지 밴드갭(Eg)이 커지는 것을 확인 할 수 있는데 이는 Hall 측정 결과에서 확인한 전하 밀도의 증가로 인해 에너지 밴드갭이 커지는 Burstein-Moss 효과로 설명할 수 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.61.2-61.2
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• 2011

넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도를 가진 산화물 반도체는 기존의 Si 기반 TFT 소자를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심 소재기술로 관심이 높아지고 있다. 그러나 대표적인 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O (IGZO)에 포함된 인듐의 수요 증가에 따른 가격 급등 문제로 이를 대체할 수 있는 새로운 산화물 반도체 재료에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 이에 비교적 저가의 물질로 구성된 Zn-Sn-O계 산화물 소재에 대한 연구가 진행된 바 있으나, 높은 수준의 캐리어 농도를 가지고 있어 TFT 채널용 반도체소재로 적용되기 위해서는 이를 $10^{17}\;cm^{-3}$ 이하로 조절할 수 있는 기술개발이 요구된다. 본 연구는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착된 Ga-Zn-Sn-O (GZTO) 박막의 갈륨 첨가에 따른 특성변화를 조사하였다. GZO ($Ga_2O_3$ 5wt%)와 $SnO_2$ 타켓의 인가 파워를 고정한 상태에서 $Ga_2O_3$ 타켓의 인가 파워를 0~100W로 조절하여 박막 내 Ga 함량을 증가시켰다. 제조된 모든 GZTO 박막은 Ga함량에 관계없이 비정질 구조를 가지며 가시광 영역에서 약 78%의 우수한 투과율을 나타낸다. Ga 함량에 따라 박막의 구조적, 광학적 특성은 크게 변하지 않지만 전기적 특성은 뚜렷한 변화를 나타냈다. $Ga_2O_3$ 파워가 증가할수록 박막 내 캐리어 농도와 이동도의 감소로 비저항이 크게 증가하는데 특히 캐리어 농도는 $Ga_2O_3$ 파워가 0에서 100W로 증가할 때 $2{\times}10^{18}$에서 $8{\times}10^{14}\;cm^{-3}$으로 감소하였다. 이는 Ga-O의 화학적 결합 에너지가 다른 원소들(Zn 또는 In)에 비해 커서 박막 내 산소공공의 감소가 야기되었기 때문이다. 이러한 전기물성의 변화를 이해하기 위해 XPS 분석을 수행하였다. 제조된 GZTO 박막은 $Ga_2O_3$ 파워가 증가함에 따라 O 1s peak에서 산소공공과 관련된 530.8 eV peak의 intensity가 감소한다. 따라서 Ga을 첨가에 따른 캐리어 농도의 감소는 산소공공의 발생억제로 기인한 것으로 판단되며, 본 연구결과는 ZTO계 비정질 산화물 반도체의 활용가능성을 제시하였다.