• 공업화학
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• 제19권6호
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• pp.640-644
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• 2008

저온 플라스마 공정을 이용하여 알루미늄 표면에 묻은 윤활유를 세정하였다. 아르곤이 혼합된 산소 플라스마를 사용하였으며, 아르곤의 혼합비, 방전전력, negative DC potential 등의 공정변수를 변화시키면서 실험을 수행하였다. 저온 플라스마 세정 후 케이스의 표면을 FTIR과 EDX를 사용하여 분석한 결과 순수 윤활유의 경우 대부분이 20 min 안에 제거되었다. 제거효율은 저온 플라스마 공정조건에 따라 크게 달라졌으며, 산소에 아르곤이 약 30% 혼합된 기체를 사용하여 케이스에 -500 V 이상의 negative DC potential을 걸어주고 300 W로 처리할 때 가장 높은 효율을 보였다. 하지만, 무기물이 함유된 윤활유의 경우에는 어떤 조건에서도 60% 이상의 제거효율을 얻을 수 없었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권2호
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• pp.94-98
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• 2005

[ $RuO_2$ ]는 DRAM과 FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.154-154
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• 1999

금속산화막은 전자부품 및 광학적 응용에 널리 사용되고 있다. 특히 알루미늄의 산화막은 유전체의 재료로 커패시터에 많이 사용되고 있다. 이러한 알루미늄 산화막을 plasma를 이용한 ion plating에 의해 형성하였다.Activated Reactive Evaporation은 화합물의 증착율을 높이는데 좋은 증착법이다. 이러한 증착법에는 reactive ion plating와 ion-assisted deposition 그리고 ion beam sputtering 등이 있다. 본 연구에서는 알루미늄 산화막을 증착시키기 위해 plasma를 이용한 electron-beam법을 사용하였다. Turbo molecular pump로 챔버 내의 진공을 약 10-7torr까지 낸린 후 5$\times$10-5torr까지 O2와 Ar을 주입시켰다. 각 기체의 분압은 RGA(residual gas analyzer)로 조사하여 일정하게 유지시켰다. plasma를 발생시키기 위해 filament에서 열전자를 방출시키고 1kV 정도의 electrode에 의해 가속시켜 이들 기체들과 반응시켜 plasma를 발생시켰다. 금속 알루미늄을 5kV정도의 고전압과 90mA의 전류로 electron beam에 의해 증발시켰다. 기판의 흡착율을 높ㅇ기 위해 기판에 500V로 bias 전압을 걸어 주었다. 증발된 금속 알루미늄 증기들이 plasmaso의 산소 이온들과 활성 반응을 이루어 알루미늄 기판 위에 Al2O3막을 형성하였다. 알루미늄 산화막을 분석하기 위해 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 화학적 조성을 조사하였는데, 알루미늄의 2p전자의 binding energy가 76.5eV로 측정되었다. 이는 대부분 증착된 알루미늄이 산소 이온과 반응하여 Al2O3로 형성된 것이다. SEM(Scanning electron Microscopy)과 AFM(Atomim Force microscopy)으로 증착박 표면의 topology와 roughness를 관찰하였다. grain의 크기는 10nm에서 150nm이었고 증착막의 roughness는 4.2nm이었다. 그리고 이 산화막에 전극을 형성하여 유전 상수와 손실률 등을 측정하였다. 이와 같이 plasma를 이용한 3-beam에 의한 증착은 금속의 산화막을 얻는데 유용한 기술로 광학 재료 및 유전 재료의 개발 및 연구에 많이 사용될 것으로 기대된다.

• 전기학회논문지
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• 제62권3호
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• pp.376-379
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• 2013

Multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) were synthesized using catalytic chemical vapor deposition (CVD) method. Oxygen plasma treatment was applied to modify surface state of the CNTs synthesized for improvement of field emission performance. Surface state of the plasma treated CNTs was studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The surface states of the CNTs were changed as a function of plasma treatment time. The oxygen related carbon shift was moved toward higher binding energy with the plasma treatment time. This result implies that the oxygen plasma treatment changes the surface state effectively. While any shift in carbon 1s peak was not detected for the as grown CNTs, oxygen related carbon shift was detected for the plasma treated CNTs. Carbon shift implies that closed CNT tips were opened by the oxygen plasma and reacted with oxygen species. Since the field emission occurs at pentagons or dangling bonds of the CNT tips, the increase of carbon-oxygen bonds plays an important role in field emission behavior by increasing the number of electron emission sites resulting in improvement of the field emission performance.

• 공업화학
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• 제33권2호
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• pp.159-165
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• 2022

WO₃ 광촉매의 광분해 성능을 증대시키기 위하여 산소결핍자리 생성을 유도하기 위한 불소 도핑을 수행하였다. 불소 도핑을 위하여 플라즈마 불소화와 직접 기상 불소화를 진행하였으며, 두 가지 방법으로 불소화한 WO₃ 광촉매의 광분해 성능을 비교하기 위하여 메틸렌블루 염료 분해 성능을 평가하였다. 플라즈마 불소화한 WO₃ 광촉매와 직접 기상 불소화한 WO₃ 광촉매의 산소결핍자리는 각 14.65 및 18.59%로 미처리 WO₃ 광촉매 대비 각 23, 56% 증가하였으며, WO₃ 광촉매의 산소결핍자리가 증가함에 따라 메틸렌블루 염료분해 성능 역시 미처리 WO₃ 광촉매 대비 각 1.7, 3.4배 증가한 것을 확인하였다. 또한 불소 도핑 후 밴드갭 에너지는 각 2.95 eV에서 2.64, 2.45 eV로 감소한 것을 확인하였다. 이러한 결과로 미루어 보아 직접 기상 불소화 공정이 플라즈마 불소화 공정과 비교하여 WO₃ 광촉매의 활성을 증대시키는데 유리한 공정인 것으로 사료된다.

• 전기학회논문지
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• 제62권11호
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• pp.1566-1570
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• 2013

In this paper, we analyzed the electric characteristics of the OLEDs device of which anode ITO has been treated with the oxygen plasma. We fabricated the basic three-layer structure (ITO / AF / $Alq_3$ / $Cs_2CO_3$ / Al) device, analyzed how the oxygen plasma treatments of the ITO surface affects to the electrical characteristics of OLEDs. We also produced a four-layer structure device (ITO / AF / TPD / $Alq_3$ / $Cs_2CO_3$ / Al) with the oxygen plasma treatment. From the comparative analysis to the devices, we confirmed following results. The three-layer structure OLEDs device with oxygen plasma treatment has better characteristics than the device without the treatments; maximum luminance, luminous efficiency, and external quantum efficiency are improved approximately 151 [%], 126 [%], and 175[%], respectively. Also, the electric characteristics of the four-layer structure device with oxygen plasma treatment are improved comparing to the characteristics of the three-layer structure device with oxygen plasma treatment; maximum luminance, luminous efficiency, and external quantum efficiency are improved approximately 144 [%], 115 [%], and 124[%], respectively.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.289-290
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• 2014

Single layer $MoS_2$가 가지고 있는 전기적 특성, 광특성 등을 이용하기 위해 본 연구에서는 $O_2$ plasma를 이용해 경제적이며 효과적인 방법을 제시하고자 한다. 미세 etching을 통해 linear하게 thickness가 변화하는 것을 확인하고, pristine과 비슷하거나, 더 향상된 $MoS_2$를 제작하였다.

• 대한화학회지
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• 제48권6호
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• pp.663-666
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• 2004

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.94-97
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• 2003

본 연구에서는 반도체제조에 필수적으로 사용되는 플라즈마장비의 성능을 예측.분석하여 개발 시간 및 비용의 절감과 장비의 성능을 극대화 할 수 있도록 이론적 전산모사 환경(VIP-SEPCAD)을 개발하고 있다. VIP-SEPCAD는 플라즈마의 물리.화학적 특성을 예측하는 plasma model, 중성화학종들의 반응 및 유돈 특성을 예측하는 neutral reaction-transport model, particle의 유동 특성을 예측하는 particle transport model, particle의 생성 및 성장 특성을 예측하는 particle formation-growth model, 식각 또는 증착되는 웨이퍼 표면변화를 예측하는 surface evolution model로 구성되어 있다. 현재 개발된 VIP-SEPCAD를 이용하여 산소 플라즈마의 특성과 각종 화학성분들의 분포를 예측하고 particle의 거동에 대하여 분석하였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제44권9호
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• pp.789-795
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• 2016

이차 추진제로 많이 쓰이는 알루미늄을 고출력 레이저를 조사하여 공기 중의 산소와 반응시켜 발생되는 알루미늄과 산소의 화학 반응을 레이저 분광분석법을 이용하여 연구를 수행 하였다. 7ns의 펄스 주기와 1064nm의 주파수를 가진 Q-switched Nd:YAG 레이저로 40 - 2500mJ($6.88{\times}10^{10}-6.53{\times}10^{11}W/cm^2$)의 에너지가 공급되었으며, 플라즈마 빛은 echelle 회절 분광기와 ICCD 카메라로 감지하였다. 분광분석을 통하여 알루미늄과 산소의 원자/분자 신호 분석과 현상이 일어나는 플라즈마 환경의 특성 연구를 위해 들뜸 온도(2200K~6600K) 및 전자밀도($3.15{\times}10^{15}{\sim}2.38{\times}10^{16}cm^{-3}$) 계산, 그리고 알루미늄 표면의 크레이터(Crater) 분석을 수행하였다. 본 연구는 고 레이저 복사 조도 환경하에서 발생되는 화학 반응과 플라즈마의 특성을 파악하는 방법을 제시하고 있다.