• Title/Summary/Keyword: 산소분위기

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Pyrolysis Behavior of Acrylic Binder/Piezoelectric Ceramic System for Multilayer Actuator (적층 액츄에이터용 아크릴릭계 바인더/압전 세라믹계의 열분해 거동)

  • Park, Soung-Uy;Lee, Jeon-Kook;Jung, Hyung-Jin
    • Analytical Science and Technology
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    • v.6 no.2
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    • pp.231-238
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    • 1993
  • The thermal behavior of binder in multi-layer actuator has an effect on the properties of actuator. Binder burn-out process and thermal degradation mechanism of PNN-PZT/Acrylic binder were analyzed by FTIR, DSC, TGA. Binder was burnt out by two step. In oxygen atomsphere, thermal degradation was activated and final residue was minimized to 5%.

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Microstructure Observation of Pd-Cu-Ga system Dental Alloy in Clinical Heat Treatment (치과용 Pd-Cu-Ga 계 함금의 임상조건에 따른 미세조직 관찰)

  • 김기주;이진형
    • Journal of Biomedical Engineering Research
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    • v.20 no.4
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    • pp.443-449
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    • 1999
  • 현재 시판되고 있는 치과용 76.5%Pd-11.6%Cu-7.2^%GarP 합금의 주조상태 및 임상열처리에 따른 미세조직의 변화를 X-선 회절기, 광학현미경, 시차열분석기를 이용하여 관찰하였다. 주조상태, 탈개스 및 세리믹소성처리 후 미세조직은 Pd고용체와 금속간화합물 Pd2Ga으로 구성되어 나타났고, 이들 상들은 열처리에 따라 상당한 변화를 보였다. 또한 Pd은 아르곤 분위기 내의 산소와 반응하여 산화물 형성 및 분해로 인해 질량변화곡선(TG)이 변하였고, 시차열분석(DTA)에서는 약 815$^{\circ}C$ 정도에서 Pd2Ga에 기인하는 흡열피크를 확인하였다. 이러한 실험의 결과들은 Cu가 이원계 Pd-Ga 합금의 Ga의 고용량을 낮추어 공정반응이 저 Ga 쪽으로 이동하기 때문인 것으로 설명하였다. 그러나 앞으로 보다 명확한 상변태 규명을 위해서 TEM등의 분석장비를 사용하여 체계적인 연구가 요구된다.

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UV Emission Characterization of ZnO Thin Films Depending on the Variation of Oxygen Pressure (분위기 산소압변화에 따른 ZnO박막의 UV발광 특성분석)

  • Baek, Sang-Hyeok;Lee, Sang-Yeol;Jin, Beom-Jun;Im, Seong-Il
    • The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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    • v.49 no.2
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    • pp.103-106
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    • 2000
  • ZnO is a wide-bandgap II-IV semiconductor and has a variety of potnetial applications. ZnO exhibits good piezoelectric, photoelectric and optical properties, and is a good candidate for an electroluminescence device. ZnO films have been deposited on (001) sapphire by PLD technique. Nd:YAG pulsed laser was operated at a wavelength of $\lambda=355nm$. The ZnO films were deposited at oxygen pressures from base to 500 mTorr. The substrate temperatures was increased from $200^{\circ}C\; to\;700^{\circ}C$ films showed strong UV emission by increasing the partial oxygen pressure. We have investigated the relationship between partial oxygen pressure and the intensity of UV emission.

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Dependence of ambient gas of oxide films fabricated by laser ablation method (레이저 어브레이션법에 의해 제조된 산화물 박막의 분위기가스 의존성)

  • 최충석;이덕출
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.9 no.4
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    • pp.357-363
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    • 1996
  • The superconducting properties of YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$(YBaCuO) thin films prepared by laser ablation have been investigated. The x-ray diffraction patterns of the films were substantially different from one another. The Y and Ba oxides are formed by the collisions with oxygen molecules. On the other hand, the Cu oxide is mainly formed at initial stage of the laser irradiation. The YBaCuO films manufactured on MgO(100) substrate were indicated T$_{c}$(zero)=90 K, T$_{c}$(onset)=92 K, and J$_{c}$=3.5*10$^{5}$ A/cm$^{2}$(at 77.3K). The optimum conditions were found to be a substrate temperature of 710.deg. C, an energy density of 2 J/cm$^{2}$, and a target-substrate distance of 60mm in an oxygen partial pressure of 200 mTorr.0 mTorr.

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Technical issue for growth of ZnO nano-structure by PLD

  • Kim, Se-Yun;Jo, Gwang-Min;Yu, Jae-Rok;Lee, Jun-Hyeong;Kim, Jeong-Ju;Heo, Yeong-U
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.207-207
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    • 2013
  • 증착온도 $700^{\circ}C$, 산소분압30mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 PLD를 이용하여 ZnO nano-rod를 합성하였다. 거리가 멀어질수록 rod의 직경과 증착율이 감소하는 것을 확인 하였다. 이는 ablated particle이 가진 kinetic energy가 감소되고, cluster ion의 형성으로 인해 고온에서 rod가 형성될 수 있는 것으로 이해된다. 고진공에서는 kinetic energy가 감소되기 어렵기 때문에 nano-rod shape 형성은 불가능 할 것이며, ZnO와 같은 wurtzite 구조를 가진 물질의 타겟을 사용하여 cluster 형성 분위기에서 증착한다면 비슷한 경향을 나타낼 것으로 예상된다.

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A study on silicidation and properties of titanium film on polysilicon by rapid thermal annealing (다결정 실리콘 위에서의 titanium silicide 형성과 그 특성)

  • 김영수;한원열;박영걸
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.4 no.4
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    • pp.304-311
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    • 1991
  • 본 연구에서는 p형(100) 실리콘 기판 위에 LPCVD법으로 산화막과 다결정 실리콘을 증착하고 그 위에 Magnetron Sputtering법으로 티타늄을 500.angs.을 증착한 후, 열처리 온도 500-900.deg.C 사이에서 열처리 시간을 변화시키면서 N$_{2}$ 분위기 속에서 급속 열처리하여 티타늄 실리사이드를 형성하고 그 특성을 조사하였다. 500-600.deg.C 온도 범위에서 10초간 열처리한 시료에서는 실리사이드상은 나타나지 않고, 산소등의 불순물이 티타늄 박막 내로 확산되어 600.deg.C에서 면 저항이 최대값을 보였으며 열처리 온도는 675-750.deg.C로 높이자 TiSi상이 나타나면서 면저항이 감소되고 결정립의 크기가 크게 증가하였다. 또한 열처리온도 800.deg.C에서 나타나기 시작한 TiSi$_{2}$상은 열처리 온도 850.deg.C까지 TiSi상과 공존하면서 면저항과 reflectance는 계속 감소했다. 900.deg.C에서 10초간 열처리한 시료에서는 orthorhombic구조의 완전한 실리사이드 상만 나타났다. 최종적인 티타늄 실리사이드 박막의 두께는 1200.angs.이며 비저항은 18.mu..OMEGA.cm였다.

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Surface Treatment of Mg Alloy Plate for Corrosion Resistance by Glow Discharge Plasma (글로 방전에 의한 마그네슘 판재 내식성 표면처리)

  • Yang, Ji-Hun;Jeong, Jae-In;Park, Yeong-Hui;Lee, Gyeong-Hwang;Jeon, Ung
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.17-18
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    • 2007
  • 진공 용기 내에서 펄스 전원 공급 장치를 이용하여 아르곤과 산소 분위기에서 발생시킨 글로 방전으로 마그네슘 판재의 표면을 처리하여 내식성 변화를 관찰하였다. 마그네슘 판재의 내식성 평가를 위하여 염수분무 시험을 실시 하였으며, 마그네슘 판재의 표면 변화를 관찰하기 위해서 x-선 분광기를 이용하였다. 글로 방전에 의해 표면 처리된 마그네슘 판재는 표면처리를 하지 않은 마그네슘 판재보다 높은 내식성을 보여주었다. x-선 분광기 분석결과, 글로 방전에 의해 마그네슘 판재 표면에 산화막이 형성되는 것을 관찰하였다.

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Characterization of Al:ZnO thin films deposited at different oxygen pressure (산소 분위기압의 변화에 따른 Al:ZnO 박막의 특성)

  • No, I.J.;Kim, Il;Shin, P.K.;Song, J.H.;Kim, Y.W.;Kim, C.Y.;Jeung, Y.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1349-1350
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    • 2007
  • Epitaxial thin films of aluminum-doped zinc oxide (AZO) have been deposited on commercial corning glass using an Nd:YAG pulsed laser deposition technology. The structural, electrical and optical properties of these films were investigated as a function of oxygen pressure. The experimental results show that the electrical resistivity of films deposited at 5 mTorr with substrate temperature of $300^{\circ}C$ were $4.633{\times}10^{-4}$. The average transmission of AZO thin films in the visible range were over 90%.

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Evaluation of Fracture Toughness($J_{IC}$) on 304 Stainless Steel Weldments Artificially Degraded under SCC Environment (SCC 분위기 하에서 장시간 인공열화된 304 스테인리스강 용접부의 파괴인성($J_{IC}$)평가)

  • 김성우;배동호;조선영;김철한
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.17 no.2
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    • pp.76-83
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    • 1999
  • Fracture toughness({TEX}$J_{IC}${/TEX}) on 304 austenitic stainless steel weldments artificially degraded for long period under SCC environments were evaluated to investigate its reliability and environmental characteristics. Electro-chemical polarization tests were previously carried out to evaluate corrosion susceptiblility of weldment, and stress corrosion cracking was tested under various conditions of 3.5wt.% NaCl solution, the temperature of $25^{\circ}$C and $95^{\circ}$C, and oxygen concentration during 3000hours. From the results obtained, it was found that 304 stainless steel weldment was so susceptible under high temperature and high oxygen concentration of 3.5wt.% NaCl solution, and fracture toughness({TEX}$J_{IC}${/TEX}) was also considerably reduced by material degradation.

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Enhancement of Photoluminescence Intensity of ZnS Nanowires by Annealing in O2 (산소 분위기에서 열처리시 ZnS 나노선의 발광 강도 변화)

  • Kwon, Jin-Up;Lee, Jong-Woo
    • Journal of the Korean institute of surface engineering
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    • v.45 no.5
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    • pp.193-197
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    • 2012
  • The influence of annealing process in an $O_2$ atmosphere on the photoluminescence (PL) spectra properties of ZnS nanowires has been investigated. ZnS nanowires with the diameters approximately 100 nm and the lengths a few tens micrometers were synthesized by evaporating ZnS powders on Si substrates while using an Au thin film as a catalyst. ZnS nanowires had an NBE emission band at 430 nm in the violet region. The emission intensity was improved drastically by a process in which ZnS nanowires were heat-treated at $500^{\circ}C$ in an $O_2$ atmosphere for 45 minutes.