Technical issue for growth of ZnO nano-structure by PLD

  • 김세윤 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과) ;
  • 조광민 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과) ;
  • 유재록 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과) ;
  • 이준형 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과) ;
  • 김정주 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과) ;
  • 허영우 (경북대학교 신소재공학부 전자재료공학과)
  • Published : 2013.05.30

Abstract

증착온도 $700^{\circ}C$, 산소분압30mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 PLD를 이용하여 ZnO nano-rod를 합성하였다. 거리가 멀어질수록 rod의 직경과 증착율이 감소하는 것을 확인 하였다. 이는 ablated particle이 가진 kinetic energy가 감소되고, cluster ion의 형성으로 인해 고온에서 rod가 형성될 수 있는 것으로 이해된다. 고진공에서는 kinetic energy가 감소되기 어렵기 때문에 nano-rod shape 형성은 불가능 할 것이며, ZnO와 같은 wurtzite 구조를 가진 물질의 타겟을 사용하여 cluster 형성 분위기에서 증착한다면 비슷한 경향을 나타낼 것으로 예상된다.

Keywords