• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.207-207
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• 2013

증착온도 $700^{\circ}C$, 산소분압30mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 PLD를 이용하여 ZnO nano-rod를 합성하였다. 거리가 멀어질수록 rod의 직경과 증착율이 감소하는 것을 확인 하였다. 이는 ablated particle이 가진 kinetic energy가 감소되고, cluster ion의 형성으로 인해 고온에서 rod가 형성될 수 있는 것으로 이해된다. 고진공에서는 kinetic energy가 감소되기 어렵기 때문에 nano-rod shape 형성은 불가능 할 것이며, ZnO와 같은 wurtzite 구조를 가진 물질의 타겟을 사용하여 cluster 형성 분위기에서 증착한다면 비슷한 경향을 나타낼 것으로 예상된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.2
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• pp.153-157
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• 1999

The dependence of the absorption edge of wurtzite $Al_xGa_{1-x}N$ on alN mole fraction has been studied. The AlN mole fraction was varied from 0 to 1. The absorption coefficients at room temperature were determined by transmission and photothermal deflection spectroscopy. Photothermal deflection spectroscopy can be applied to determine the low absorbance values. From the results, the effective bandgaps of $Al_xGa_{1-x}N$ alloys were determined by choosing corresponding photon energies of the positions of the absorption coefficient of $6.3\times10^4\textrm{cm}^{-1}$ at the absorption curves of the $Al_xGa_{1-x}N$ alloys. From the energy position of the absorption coefficient versus AlN mole fraction, a bowing parameter of 1.3eV was determined. The bowing parameter agreed quite well with the measured effective bandgaps of AlGaN alloys.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.28 no.11
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• pp.33-41
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• 2014

This paper is research result for a development of sapphire silicon ingot glowing(SSIG) PWM converter system for 80kW 10kA. The system include 3-phase AC-DC diode rectifier of input voltage AC 380V and 60Hz, DC-AC single phase full bridge PWM inverter of high frequency, AC-DC single-phase full wave rectifier using center-tapped of transformer for low voltage 8.0V and large current 10,000A of output specification, tungsten resistor load 0.1[$m{\Omega}$]. PWM switching frequency for IGBT inverter control set 30kHz. The suggested researching contents are designed data sheets of power converter system, PSIM simulation, operating characteristics and analysis results of developed SSIG system. This paper propose

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.4
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• pp.318-323
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• 1993

본 연구에서는 rf magnetron 스퍼터링으로 (100) 사파이어 기판에 퇴적시킨 YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$박막을 열처리하기 위하여 급속 열처리 방법을 사용하였다. XRD, AES, 그리고 4단자 비저항 측정법을 사용하여 급속 열처리로 형성시킨 초전도체 박막과 기판사이의 상호확산을 조사하였다. 제조된 박막은 91K에서 Tc(onset)를 80K에서 Tc(zero)를 나타내었다. AES 분석 결과, 급속 열처리 방법의 경우 YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$ HTS 박막과 기판사이의 계면에서 항호확산이 감소되는 것을 확인하였다. XRD 분석 결과, 급속 열처리에 의해 형성된 HTS 박막은 주로 c-축이 기판의 표면에 수직인 구조를 가지고 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.11
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• pp.784-788
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• 2000

The Vickers microhardness was measured on the basal (0001) plane of sapphire single crystals in the temperature range from 25$^{\circ}C$to 1000$^{\circ}C$. The substructure surrounding the indents was investigated using selective chemical polishing and etching, optical microscopy, and trasmission electron microscopy (TEM). At room temperature, cracks were predominant, and at intermediate temperatures (400$^{\circ}C$and 600$^{\circ}C$), extensive rhombohedral twinning was observed. On the other hand, at higher temperatures, prism plane slip bands on prism plane {1120}(원문참조) were dominant in the microstructure. TEM observations revealed that the dislocation substructure at the vicinity of the indents consisted of fairly straight dislocations lying in basal and/or prism planes and aligned along the <1100> and <1120> directions. The details of the glide dissociation of perfect <110> screw dislocations into three collinear 1/3<1100> partials on the prism plane and the Peierls potential for sapphire single crystals were discussed.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.3
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• pp.295-300
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• 1999

액상의 Ga으로부터 공급되느 기체상태의 Ga과 $NH _3$를 $1050~1150^{\circ}C$의 온도범위에서 직접 반응시켜 사파이어 기판위에 직경이 5~27$\mu\textrm{m}$이고, 높이가 $2~27\mu\textrm{m}$인 육각기둥 형태의 GaN 결정을 성장하였다. GaN 결정의 성장 초기에는 c-축 방향으로 우선 성장된 후 성장시간과 성장온도 및 $NH_3$의 유량이 증가함에 따라 기체상태의 Ga공급이 제한됨으로써 성장률이 둔화됨과 동시에 $\alpha$-축 방향으로 우선 성장되었다. GaN 결정의 크기가 증가함에 따라 결정의 품질이 개선되어 X-선 회절강도와 중성도너에 구속된 엑시톤 관력 발광밴드 (I\ulcorner)의 강도가 증가하고, I\ulcorner 발광밴드의 반치폭이 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.49-50
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• 2007

MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/II 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.161-162
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• 2007

(1-102) R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장시킨 비극성 ZnO 박막의 표면 형상을 원자력간현미경(AFM) 및 투과전자현미경으로 분석하였다. AFM 관찰 결과 ZnO<0001> 방향으로 길쭉한 제방 모양의 표면 형상이 나타남을 알 수 있었고, 고분해능 투과전자현미경 관찰을 통해 박막 성장 중에 관찰되는 V(chevron 모양) 형상의 in-situ RHEED 패턴을 야기시키는 박막 표면의 facet 면을 원자 level에서 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.67-68
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• 2007

마그네트론 스퍼터링을 이용하여 사파이어 기판위에 $O_2$의 분압에 따른 성장된 ZnO박막의 특성에 대해 연구하였다. $O_2$의 분압은 $Ar/O_2$의 비율에 의해 조절을 하여 성장을 하였으며, $O_2$의 분압이 감소함에 따라 결정성이 좋아지는 결과를 얻었다. PL측정결과에서 순수한 Ar분위기에서 성장된 ZnO박막에서 UV 발광과 더불어 Deep 1evel에 기인하는 Green 발광을 보였고, UN-Visible spectroscopy 측정결과 순수한 Ar분위기를 제외한 샘플에서 $60{\sim}80%$의 투과도를 보였다. SEM과 TEM의 이미지를 통해 미세 힐락들을 관찰되었는데, 이로 인해 투과도의 저하 원인으로 분석된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.45 no.10
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• pp.65-70
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• 2008

We design and fabricate the 94 GHz Coplanar waveguide(CPW)-to-rectangular waveguide transition that is transmits signal smoothly between the CPW, which is a popular transmission line of the planar circuits, and rectangular waveguide for the 94 GHz transceiver system. The proposed transition composed of the unilateral fin-line taper and open type CPW-to-slot-line transition is based on the hard and inflexible sapphire for the flip-chip bonding of the planar MMICs using conventional MMIC technology. We optimize a single section transition to achieve low loss by using an EM field solver of Ansoft's HFSS and fabricate the back- to-back transition that is measured by Anritsu ME7808A Vector Network Analyzer in a frequency range of $85{\sim}105$ GHz. From the measurement and do-embedding CPW with 3 mm length, an insertion and return loss of a single-section transition are 1.7 dB and more an 25 than at 94 GHz, respectively.