• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.

• 전기의세계
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• v.31 no.11
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• pp.758-765
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• 1982

레이저어니이링법은 이온주입층의 어니이링뿐만 아니라 단결정기반위의 증착막의 에피택셜 성장, 비정질기반위에 단결정Si 막의 형성, 오옴믹전극이나 금속실리사이트의 형성 등 레어저어니이링법의 장점을 이용한 여러가지 재료처리기술이 연구되어 흥미있는 결과가 얻어지고 있다. 예를 들면 비정질상의 단결정Si의 형성은 값이 싼 태양전지와 삼차원집적화 디바이스를 실현하는 것으로서 주목을 받고 있다. 또한 냉각속도가 지금까지 사용된 여러가지 급냉법보다 큰 점을 이용하여 준안전상합금등의 새로운 재료의 합성이 시행되고 있다. 본고에서는 레이저어니이링의 기구, 특징 및 여러가지 응용예를 중심으로 하여 서술한다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.6
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• pp.562-569
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• 2009

Recently, Hi-pass system(non-stop electric toll collection) using DSRC is working. However, it has various problems such as system errors by EM wave interference or multi-path reflection. The EM wave absorber is able to solve these problems. In this paper, we designed and fabricated EM wave absorber using amorphous substance. As a result EM wave absorber with composition of amorphous metal powder:CPE=45:55 wt.% has the thickness of 2.65 mm and absorption ability was higher than 40 dB at 5.8 GHz.

• 전기의세계
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• v.32 no.11
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• pp.670-676
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• 1983

본고의 내용은 다음과 같다. 1. 자성재료의 연구동향 2. 고규소강판 3. 비정질철심재료 3.1 고자속밀도화 3.2 저손실화 3.3 사용상의 문제 3.4 양산기술

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.78.2-78.2
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• 2012

최근 PRAM의 집적도 향상 및 3차원 적층에 의한 메모리 용량 향상을 위해 셀 선택 스위치로서 박막형 Ovonic Threshold Switching (OTS) 소자를 적용한 Cross bar 구조의 PRAM이 제안된 바 있다. OTS 소자는 비정질 칼코지나이드를 핵심층으로 하는 2단자 소자로서 고저항의 Off 상태에 특정 값 (문턱스위칭 전압) 이상의 전압을 가해주면 저저항의 On 상태로 바뀌고 다시 특정 값 (유지전압) 이하로 전압을 감소시킴에 따라 고저항의 Off 상태로 복원하는 특성을 갖는다. 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 핵심적으로 On-Off 상태간의 가역적인 변화 중에도 재료가 비정질 구조를 안정하게 유지해야 하며 전기적으로는 Off 상탱의 저항이 크고 또한 전류값의 점멸비가 커야 한다. GeSe는 이원계 재료로서 단수한 구성에도 불구하고 OTS 소자가 갖추어야할 기본적인 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 GeSe로 구성된 OTS 재료에 경원소인 질소를 첨가하여 비정질 상태의 안정성과 소자특성의 개선 효과를 조사하였다. RF-puttering 시 Ar과 $N_2$의 혼합 Gas를 사용하여 조성이 $Ge_{62}Se_{38}$ ($N_2$ : 3%)인 박막을 제작하여 DSC를 통해 결정화온도(Tx)를 확인하였고, $N_2$ gas의 함유량이 각각 1 %, 2 %, 3 %인 $Ge_{62}Se_{38}$인 박막을 전극의 접촉 부 면적이 $10{\times}10\;{\mu}m^2$인 cross-bar 구조의 소자로 제작하여 Threshold switching voltage ($V_{th}$), Delay time ($t_d$), $I_{on}/I_{off}$ 그리고 Endurance 특성을 평가하였다. DSC 분석 결과 $N_2$ 가 3 % 첨가된 GeSe 박막은 Tx가 $371^{\circ}C$에서 $399^{\circ}C$로 증가되었다. $N_2$가 1% 첨가된 GeSe 소자를 측정한 결과 $V_{th}$의 변화 없는 가운데 $I_{on}/I_{off}$이 약 $2{\times}10^3$에서 $5{\times}10^4$로 향상되었다. Endurance 특성 역시 $10^4$에서 $10^5$번으로 향상되었다. $t_d$의 경우 비정질 상태의 저항 증가로 인해 약 50% 증가되었다. 이러한 $N_2$의 첨가로 인한 비정질 GeSe 박막의 변화 원인에 대한 분석 결과를 소개할 예정이다.

• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.35-38
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• 1975

금속과 원소반도체의 접촉으로 이루어진 점접촉트란지스터를 출발점으로 한 P-N접합트란지스터는 4반세기동안 반도체전자 소자의 중심이었다. 이와 같은 반도체소자는 단결정반도체의 특성을 이용한 것으로 그 제작에 있어 거의 완전에 가까운 결정구조와 극도의 화학적순수성이 요구되는 것이다. 이와 같은 요구조건은 접합형 반도체소자제작에 큰 제한을 주게 된다. Gunn Diode, Impatt Diode등으로 반도체소자는 Bulk형식의 것이 각광을 받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물 Chalcogenide glass 비정질박막에서의 빠른 응답속도의 양극대칭성 Switching 현상 발견을 계기로 신국면을 개척하게 된 것이다. 이들 비정질반도체에 대한 물성론적 흥미와 응용면에 관한 기대로부터 전도기구의 해명과 응용회로의 개발연구가 급속히 진전되고 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.1 no.3
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• pp.145-150
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• 1991

Crystallization and embrittlement of $Fe_{78}B_{13}Si_{9}$ amorphous alloy was investigated by differential scanning calorimetry, X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The crystallization comprizes two exothermic processes. In the first crystallization stage, $\alpha$-(Fe, Si) dendrites are formed from the amorphous state, and in the second crystallization, $Fe_2B$ compounds are formed. An abrupt decrease of the fracture strain of the ribbon started from amorphous started annealed at about $340^{\circ}C$

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.9
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• pp.728-732
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• 1997

비정질 금속 $Co_{66}$F $e_{4}$Ni $B_{14}$S $i_{15}$ 의 표면층 제거에 대한 자기임피턴스 효과는 시료의 길이방향에 평행한 일축자기장에 대하여 측정하였다. MIR(Magnetoimpedance Ratios)은 비정질 금속의 두께가 얇아짐에 따라 감소하고, 전류에 비례하여 증가하는 경향을 나타내었다. 인가전류 주파수에 대한 MIR과 자기장의 감도는 모든 시료에서 주파수에 비례하여 증가하며 수 MHz 부근에서 최대값을 가지고 점차 감소하는 경향을 나타내었다. 시료의 표면층제거에 기인한 이방성자기장의 변화는 MI $R_{Max}$을 나타내는 외부 자기장을 감소시키지만, MIR은 표면층 제거에 따른 부피효과에 기인하여 감소하였다....

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.62-62
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• 2011

현재 TFT의 주요 재료로 사용되는 비정질 실리콘은 전하 이동도가 매우 작아 고속 스위칭과 같은 고성능을 구현하기 어려우며 이동도 향상을 위해 고온 공정이 적용되야 하는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 전하 이동도가 큰 박막재료를 바탕으로 박막 트랜지스터의 연구개발이 필요하며 이를 위한 해결책 중 새로운 스위칭 동작원리를 제공하며 고 이동도를 갖는 비정질 칼코지나이드 재료가 각광 받고 있다. 본 연구에서는 박막 스위칭 소자 응용을 위해 GeTe 재료를 기반으로 Se을 치환하여 GeSexTe1-x 박막을 제작한 후 소자의 전기적 특성을 평가하였다. GeTe 박막의 결정화 온도는 $187^{\circ}C$였으며 Se을 점진적으로 첨가한 GeSexTe1-x (X=0.2, 0.4, 0.6) 박막의 경우 각각 $213^{\circ}C$, $240^{\circ}C$, $287^{\circ}C$로 측정되었다. 이는 상대적으로 Ge과 Se의 결합에너지가 Ge과 Te의 결합에너지 보다 크기 때문에 Se 함량의 증가에 따라 비정질상의 안정성이 증가된 것으로 판단된다. 비교적 열적 안정성이 높은 3가지의 각각 다른 Se함량을 가진 Ge1.07 Se0.50 Te0.43, Ge1.07 Se0.68 Te0.26, Ge0.95 Se0.90 Te0.15의 소자를 제작하여 스위칭 특성을 분석하였다. GeTe의 경우 전형적인 메모리 스위칭 특성이 나타난 반면 위의 조성을 갖는 박막의 경우 반복적인 문턱 스위칭 특성을 보였다. 이는 Se이 첨가되면서 열적 안정성의 증가로 인해 스위칭이 일어난 후에도 비정질 상을 유지하기 때문이라 판단된다. 각각 제작된 소자에서 인가 전압의 증가와 펄스의 rising time 감소에 따라 더 빠른 스위칭 시간을 보였으며 Se함량이 감소함에 따라 스위칭 전압 또한 감소하는 것을 확인하였다. On 상태의 저항은 Se 함량에 따라 크게 차이가 없었지만 Off 상태의 저항은 Se 함량이 증가됨에 따라 증가되는 것을 확인하였다. 결과적으로 Se 함량에 따른 스위칭 특성의 최적화를 통해 고성능 스위칭 소자에 적용될 수 있을 것이라 판단된다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.6
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• pp.620-625
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• 1994

We recently showed from the neutron diffraction and extended X-ray absorption fine structure studies the structural evidence for the formation of an amorphous phase in immiscible Cu-Ta system subjected to mechanical alloying. In a system with a positive heat of mixing like Cu-Ta, we consider it necessary to confirm the formation of an amorphous phase not only from the structural studies but also from a change in the electronic properties. We show the electronic evidence for the formation of the chemical bonding between the unlike atoms Cu and Ta for the 120 h-milling sample through changes in superconducting transition temperature and X-ray photoemission spectroscopy valence band structure.