Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
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- Pages.62-62
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- 2011
The electrical characteristics of GeTe thin films with various Se contents for switching deivces
- Park, Goon-Ho (Korea Institute of Science and Technology) ;
- Son, Seo-Hee (Korea Institute of Science and Technology) ;
- Lim, Hyung-Kwang (Korea Institute of Science and Technology) ;
- Jeong, Doo-Seok (Korea Institute of Science and Technology) ;
- Lee, Su-Youn (Korea Institute of Science and Technology) ;
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Cheong, Byung-Ki
(Korea Institute of Science and Technology)
- Published : 2011.02.09
Abstract
현재 TFT의 주요 재료로 사용되는 비정질 실리콘은 전하 이동도가 매우 작아 고속 스위칭과 같은 고성능을 구현하기 어려우며 이동도 향상을 위해 고온 공정이 적용되야 하는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 전하 이동도가 큰 박막재료를 바탕으로 박막 트랜지스터의 연구개발이 필요하며 이를 위한 해결책 중 새로운 스위칭 동작원리를 제공하며 고 이동도를 갖는 비정질 칼코지나이드 재료가 각광 받고 있다. 본 연구에서는 박막 스위칭 소자 응용을 위해 GeTe 재료를 기반으로 Se을 치환하여 GeSexTe1-x 박막을 제작한 후 소자의 전기적 특성을 평가하였다. GeTe 박막의 결정화 온도는