• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.178-183
• /
• 1995

Piezoelectric properties of sintered specimen having a tetragonal phase of $Pb_{0.9888}Sr_{0.012}(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_{3}$ were comparatively studied with two different poling methodes, i.e., DC field and corona discharge technique. Internal stress of poled specimens by indentation fracture toughness was analyzed to evaluate degradation phenomenon. As the results, it was confirmed that corona discharge poling technique is practicable and has merits such as low-temperature poling, slow degradation and no electric breakdown comparing to DC field poling. However, corona discharge technique showed lower Kp value than DC field poling.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.3-10
• /
• 1986

원통형 압전세라믹을 이용하여 2종류의 하이드로폰을 제작한 결과를 제시하고 있다.한 종류는 방사선 방향으로 단일 분극화된 압전소자의 양 끝을 금속캡으로 밀폐하여 제작되었고, 다른 종류는 신 호대 잡음비를 높이기 위해 원통형 소자의 전극을 4부분으로 나누어 교번 분극화하여 유기된 전압이 합 해지도록 제작하였다. 특성을 측정한 결과, 4- 교번 분극화된 하이드로폰이 단일 분극화된 경우보다 40Hz~1000Hz 주파수 범위에서 전기적 잡음 등가음 압이 평균 10dB정도 낮아지게 되어 그 성능이 향상 되었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.181-188
• /
• 1995

3차 비선형광학 재료를 설계하기 위해 단성분 산화물에서의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도를 굴절율, 에너지 갭의 각기 다른 물성을 통해 산출하였다. Lorentz-Lornez식과 Duffy 의 반실험식을 도입하여 산소의 평균 전자분극율과 광학 염기도를 두가지 다른 물성으로부터 계산하여 비교하였다. 처음으로 독립적인 초기값에서 계산한 각각의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도 사이에 좋은 상응관계가 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2010.11a
• /
• pp.73-75
• /
• 2010

층간 절연막으로 사용 가능한 SiOC 박막에 대하여 유전상수가 낮아지는 원인을 이온에 의한 분극과 전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V 측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에 의한 분극의 효과가 SiOC 박막의유전상수를 낮게 하는 효과가 더욱 크게 나타났다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2000.02a
• /
• pp.26-27
• /
• 2000

층 성장 방향으로 정전기장을 걸어준 GaAs/AlGaAs 초격자 반도체에서, 두 개의 100 fs 광학 펄스에 의해 생성된 four-wave-mixing(FWM) 신호의 dephasing 현상을 반도체 블록 방정식을 사용해서 분석하고자 한다. 이 FWM 신호의 이완은 전하-전하와 전하-포논 충돌과 같은 phase-breaking 충돌 과정들에 의해서 야기되는 비선형적인 광분극의 dephasing에 의해서 결정되어 진다.$^{(1)}$ 이 비선형적인 광분극은 펄스들에 의해서 동시에 여기되어 나타나는 자유전하 분극과 엑시톤 분극으로 구성되는데, 이 두 분극의 이완시간 특성은 서로 다른 거동을 보인다.$^{(2,3)}$ GaAs/AlGaAs 초격자 반도체에서 이 자유 전하 분극의 dephasing이 엑시톤 분극의 dephasing 보다 훨씬 빠르게 일어나고, 엑시톤이 자유 전하의 특성을 갖게 될수록, 즉 온도가 높을수록 또 엑시톤이 3차원의 특성을 가질수록 이 dephasing은 빠르게 일어난다.$^{(4)}$ (중략)

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.29-38
• /
• 1986

본 논문은 분극처리된 PZT 압전 세라믹 소자의 물리, 음향학적 제 특성이 시간의 함수로 나타 나는 시효현상을 다루고 있다. SrCO\sub 3\, NiO 및 Fe\sub 2\O\sub 3\를 소량 첨가하여 직접 제조한 PZT 세라믹은 분극처리 후, f\sub r\ 은 증가하는 시효현상을 보여주었다. 시효현상 기구의 이해를 위하 여 이중 포텐샬우물 모델을 이용하였으며, 외부에서 가한 응력, 역방향 전장 및 온도상승에 따라 분극현 상을 나타내었다. 시효현상의 주 원인은 분극처리시 전장 방향으로 분역들이 정렬되면서 내부에 저장되 었던 잔유응력의 이완에 의한 분역계면의 운동에 있음을 간접적으로 확인하였다. 이러한 분역계면의 운 동은 열적 활성화 에너지를 갖는 시간에 의존하는 운동으로써 분극의 감소를 유발하며, 이것이 시효현 상으로 나타나는 것으로 사료된다.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.46 no.1
• /
• pp.19-25
• /
• 2002

We measured the variations of potentials and current densities for several polymers. The results were carefully examined to identify various factors such as temperature and pH to influence the potential and rate. The Tafel slope for anodic dissolution was determined by the polarization effect under these conditions. The optimum conditions were established for each case. The second anodic current density peak and maximum current density were designated as the relative polarization sensitivity $(I_r/I_f)$. The mass-transfer coefficient value $({\alpha})$ was determined by the Tafel slope for anodic dissolution on the basis of the polarization effect under optimum conditions.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
• /
• 2006.06a
• /
• pp.35-38
• /
• 2006

The polarized direction of MT field was analyzed using the MT dataset measured in the Korean Peninsula. The atmospherics above 1 Hz has a large dispersion of polarized direction, whereas the Schumann resonance near 8 Hz exhibits the predominant direction ranging from $N20^{\circ}W$ to NS. The electromagnetic field variations below 0.1 Hz, induced by magnetic pulsations, show a strongly polarized direction of nearly NS. It results from the regular pulsations since the regular pulsation fields, driven by Alfv.n's wave in the magnetosphere, has a worldwide predominant direction of NS. The MT field strongly polarized along NS direction causes the poorly behaved XY impedance.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.148-148
• /
• 2011

일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게 된다. 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 그 결과 전자와 홀의 재결합 확률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 가지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위한 여러 가지 방법들이 제시되었는데 그 중에서도 특히 a-plane 혹은 m-plane면과 같은 무분극 면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 그 이유는 무분극 면은 분극이 발생하는 c축과 수직이기 때문에 분극의 영향을 받지 않아 높은 내부 양자효율을 가질수 있다. 본 연구에서는 MOCVD 장비를 사용하여 2인치 r-plane 사파이어 기판위에 3um두께의 a-plane GaN을 성장하였다. 그위에 2um정도로 Si을 도핑하여 n-type GaN 형성한후 단일 양자우물, 그리고 Mg을 도핑하여 p-type GaN을 성장하였다. 장파장대역의 a-plane LED의 특성을 알아보기 위해서 양자우물 형성시 In의 조성비를 높였다. 일반적인 포토리소그래피 공정과 Dry etching 공정을 사용하여 메사구조를 형성하였으며 Ti/Al/Pt/Au와 Ni/Au를 각각 n-type과 p-type의 전극 물질로 사용하였다. 제작된 LED의 특성을 파악하기 위해서 인가전류를 0부터 100mA까지 출력 스펙트럼을 측정하였으며 orange대역의 파장을 갖는 LED를 얻었다. 인가전류별 Peak 파장의 변화와 반측폭의 변화를 파악하여 장파장 대역의 a-plane LED의 특성을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• v.56 no.5
• /
• pp.767-772
• /
• 2018

Among various mechanisms for ER phenomena, the electrostatic polarization and conduction models were known as the most promising theoretical models. However, many inherited defects have limited their uses for the development of effective ER fluids. To resolve these problems, extended Maxwell-Wagner polarization model with Onsager theory was developed. It was observed that the extended model resolved the problems, suggesting that the extended model can be used for the development of effect ER fluids.