• 대한전자공학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.5-11
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• 1974

IMPATT다이오드의 자기혼합효과(self mixing effect)를 이론으로 해석하고 실험으로 확인하였다. 이론은 증배과정에서 외부의 마이크로도 신호에 의하여 공간전하가 변조를 받는 것에 근거하였다. 비이트출력은 신호전력과 IMPATT다이오드발진전력에 직선적으로 비례하였고 IMPATT다이오드의 부성저항이 클수록 비이트출력이 증대하였다. 실험은 GaAs의 EPi층과 금속사이의 Schottky접합을 갖는 IMPATT다이고드를 사용하였다. 전자계산기의 계산결과 10(GHz)에서 변환이득은 -0.4[db]였으며 실험치는 비이트주파수 20(MHz)에서 -6.6[db]였다. 이 차이는 Read모델의 단순한 가정과 공진기의 구조에 의한 것이었다. 1개의 다이오드가 국부발진 및 R합작용을 동시에 수행할 수 있었으며, 또 변환이득은 일반다이오드보다 높았고 IMPATT다이오드의 발진출력에 따란 증대시킬 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.105-108
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• 1989

For the purpose of fabricating of LB Ultra Thin Films. (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(l: 1) Complex is synthesized. This specimen is verified by U.V. I.R and elemental analyzer. In fabricated LB films with this, as a measurements of electrical conduction characteristics in perpendicular direction, this films have characteristics of insulator(about $10^{-14}S/cm$). And negative resistance phenomena are observed in I-V characteristics of this films.

• 대한전자공학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.74-79
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• 1973

부성 저항을 갖는 다이오드를 사용한 마이크로파 발진기에서 최대의 출력을 내기 위한 임피이던스 정합조건이 공진기의 load 임피이던스가 다이오드 입피이던스의 1/2이라는 결과가 이론적으로 추출된다. 이 사실을 실험적으로 규명하기 위하여 임페트 다이오드의 임피이던스를 실험적으로 조사하고 마이크로와 공진기를 설계 제작하여 조사하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1572-1574
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• 2002

In this paper, we discuss the electrical properties of self-assembled (2'-amino-4,4-di(ethynylp henyl)-5'-nitro-1-(thioacetyl)benzene), which has been well known as a conducting molecule having possible application to molecular level NDR device. The phenomenon of negative differential resi(NDR) is characterized by decreasing current th a junction at increasing voltage, also fabricatio MIM-type molecular electronic device and the Molecular Level Using Scanning Tunneling Microscopy.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.86-88
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• 2004

정공주입 버퍼층(PTFE)두께에 변화에 따른 유기발광소자 전압-전류-휘도 효율을 측정한 결과 ITO/PTFE/Al 구조에서 두께가 증가하면 전류 밀도 및 전압이 증가하며, 두께가 0.7 (nm)일 때 부성 저항 영역이 나타났었고, ITO/PTFE/NPB/$Alq_3$/Al 구조에서 두께가 1.0 [nm]에서는 가장 좋은 휘도와 효율을 나타났었다. 두께가 증가하면 이것은 PTFE 내의 정공의 이동을 어렵게 하기 때문에 효율이 감소하는 것으로 판단된다. 그래서 적당한 PTFE 두께만이 가장 좋은 휘도와 효율을 얻을 수가 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.485-488
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• 2004

본 연구에서는 dipyridinium dithioacetate 분자를 Au(111) 표면에 자기조립하여 STM 탐침-유기 단분자막-Au(111)기판의 수직구조로 STM 측정시스템을 이용하여, 전기적 특성을 관찰하였다. 먼저 Au(111)기판을 Piranha용액$(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$으로 Au 표면을 전처리 하였다. 전처리한 Au(111) 기판을 dipyridinium dithioacetate 1mol/ml 농도로 자기조립 하였으며, 자기조립막의 표면 구조를 STM으로 관찰하였다. dipyridinium dithioacetate의 전기적 특성은 STM 탐침-유기단분자막-Au(111) 기판의 수직구조로 STS를 이용하여 조사하였다. 전압과 전류 측정에서 전압이 증가함에 따라 전류가 감소하는 부성 미분저항(NDR)의 특성이 관찰 되었다. NDR 수치가 $-545\;[m\Omega/cm^2]$였고, PVCR은 1.64:1 이었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.40-46
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• 1974

티넬다이오드를 마이크로 웨이브 발진기로 동작시키면서 출력이 복사되어 이동물체에서 반사할때 변화신호를 티넬다이오드에 주입하여 부성저항영역에서 혼합시키는 경우 이동물체를 포함하는 전체계의 임퍼턴스와 발진조건, 주파수 변환 이론을 고찰했다. 터넬다이오드름 2.035GHz, 0.1mw로 발진시키고 이동물체반사신호와 등가인 신호발생기는 125MHz 낮게 발광시켰다. 입연신호크기에 따른 변환손실은 대신호주입 경우 약 67db였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.729-736
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• 2011

본 논문은 X-대역에서 바랙터 다이오드가 없는 전압 제어 발진기 구조를 제안하고, 마이크로웨이브 레이더 신호 감지용 수신기에 적용 가능성을 확인하였다. 부성 저항을 발생하는 능동 소자의 콜렉터-베이스 PN-접합으로 바랙터 다이오드를 대체하여, 단일 RF BJT 소자로 전압 제어 발진기를 구현하여 수신기에서 요구하는 튜닝 전압 1.0~7.0 V에서 11.20~11.75 GHz 주파수 가변 특성, 9.0~12.0 dBm 출력 전력 및 선형적인 주파수 튜닝 특성을 만족하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.565-570
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• 2012

본 논문은 LTE-Advanced 시스템을 위한 멀티채널을 선택할 수 있는 저역통과 필터를 제안한다. 제안하는 저역통과 필터는 5 MHz, 10 MHz, 그리고 40 MHz의 3가지 모드의 차단주파수를 제공하며 Active-RC 5차 Chebyshev 구조로 설계되었다. 저전력을 확보하면서 40 MHz의 높은 차단 주파수를 확보하기 위해서 부성 저항을 가지는 PMOS Cross-Connection Load를 사용한 연산증폭기를 필터에 적용하였다. 더불어 공정, 전압, 그리고 온도에 의한 각각의 차단주파수 변화에 대응할 수 있도록 각각 3-bit 제어 가능한 튜닝회로를 추가하였다. 제안하는 필터는 0.13-${\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였으며 1.2 V 전압에서 총 20.9 mW 전력을 소모한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.24-33
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• 1971

부성특성회로로서 쌍트랜지스터 회가의 양에미터단자사이에 용량 C와 저항 R의 병렬회로를 삽입하고, 표준화주파수의 단형파전류원를 에미터·바이어스전류원으로 하여 쌍회로를 구동하면, RC병렬회로는 정부변조회로의 적분회로로서 동작시킬 수 있다. 이 적분회로와 직렬로 신호파전압원을 접속시키면 쌍회로가 구동전원의 표준화펄스에 의하여 구동될 때 마다, RC 적분회로의 적분전압과 신호파전압이 서로 비교되기 때문에 그들의 차전압에 의하여 쌍회로의 트랜지스터들 중의 어느 한 쪽이 ON되기 때문에 그 베이스결합저항단자에는 one bit의 펄스가 송출된다. 본실험에서는 극히 간소한 회로구성을 갖는 쌍트랜지스터회로에 의한 정착변조회로를 제시하고 그들의 특성을 부기하였다. 정착변조파의 품질 혹은 S/N비의 향상을 위하여 고려하여야 할 문제로서, 적분회로의 회로정수 및 양자화전압의 구동펄스의 파고와 파폭의 관계를 검토한다.