• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2003.10a
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• pp.270-279
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• 2003

현대산업의 고도화 추세에 따라 반도체를 비롯한 의료 및 식품위생기기 산업분야에 사용되는 부품의 고정도가 요구되면서 기존에 공구와 가공물이 직접 접촉하면서 절삭하는 가공방법으로는 절삭력에 의한 변형과 마찰열 등으로 인하여 고정도 가공의 실현에 어려움이 생기게 되었다. 그리고 의료 및 식품기기에 사용될 부품의 내면을 기존의 기계적 가공방법으로 가공할 경우 공작물 표면에 미소한 가공흔적이 남게되어 표면의 요철부분에 칩(chip)등의 불순물이 잔재할 우려가 있으며, 또한 요철 부분에 미생물이 번식할 경우 청정도가 떨어져 산업위생상의 문제점이 발생하게된다.(중략)

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.34 no.11
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• pp.1643-1648
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• 2010

It is very difficult to polish non-magnetic materials by the magnetic abrasive polishing (MAP) process because magnetic force is required for MAP, but the magnetic force for non.magnetic materials is low. In this study, we aimed to develop a magnetic array table and control the magnetic polarity such that the magnetic force can be increased for the MAP of non-magnetic materials. The newly designed magnetic array table has 32 electro magnets, and the magnetic polarity of each electro-magnet can be easily controlled by changing the electric polarity. It was analytically verified that the magnetic flux density of non-magnetic materials can be varied by varying the applied magnetic polarity.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2001.04a
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• pp.950-955
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• 2001

For the development of an ultra-precision CNC polishing system including on-machine measurement system, we study a corrective polishing algorithm. We analyze and test the unit removal profiles for a ball type polishing tool. Using these results we calculate dwell time distributions and residual errors for a target removal shape. We use the polishing simulation method and feed rate calculation method for the dwell time calculation. We test corrective polishing algorithm with an optical glass. The target removal shape is a sine wave that has amplitude 0.3 micro meters. We find this polishing process has a machining resolution of nanometer order and is effective for sub-micrometer order machining. This result will be used for the software development of the CNC polishing system.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2000.11a
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• pp.783-786
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• 2000

For the development of a ultra-precision CMC polishing system including on-machine measurement system, we study a corrective polishing algorithm. We calculated unit removal profiles for various polishing tools and polishing tool positions. Using these results we simulate the corrective polishing process based on dwell time control. We calculate dwell time distributions and residual error of the polishing simulation method and the FFT calculation method. We got good dwell time distributions and small residual when we used the FFT calculation method. This results will be used for the optimization of corrective polishing process.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.19 no.1
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• pp.99-106
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• 2002

For the development of a ultra-precision CNC polishing system including on-machine measurement system, we study a corrective polishing algorithm. We calculated unit removal profiles for various flat type polishing tools and polishing tool positions. Using these results we simulate the corrective polishing process based on dwell time control. We calculate dwell time distributions and residual error of the polishing simulation method and the FFT calculation method. We test corrective polishing algorithm with an optical glass. The target removal shape is a sine wave that has amplitude 0.3 micro meters. We find this polishing process has a machining resolution of nanometer order and is effective for sub-micrometer order machining. This result will be used for the software development of the CNC polishing system.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.33.2-33.2
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• 2011

CMP (Chemical-Mechanical Planarization) 공정이란 화학적 반응과 기계적 힘을 동시에 이용하여 표면을 평탄화하는 공정으로, 반도체 산업에서 회로의 고집적화와 다층구조를 형성하기 위해 CMP 공정이 도입되었으며 반도체 패턴의 미세화와 다층화에 따라 CMP 공정의 중요성은 더욱 강조되고 있다. CMP 공정은 압력, 속도 등의 공정조건과, 화학적 반응을 유도하는 슬러리, 기계적 힘을 위한 패드 등에 의해 복합적으로 영향을 받는다. CMP 공정에서, 폴리우레탄 패드는 많은 기공들을 포함한 그루브(groove)를 형성하고 있어 웨이퍼와 직접적으로 접촉을 하며 공정 중 유입된 슬러리가 효과적으로 연마를 할 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 하지만, 공정이 진행 될수록 그루브는 손상이 되어 제 역할을 하지 못하게 된다. 패드 컨디셔닝이란 컨디셔너가 CMP 공정 중에 지속적으로 패드 표면을 연마하여 패드의 손상된 부분을 제거하고 새로운 표면을 노출시켜 패드의 상태를 일정하게 유지시키는 것을 말한다. 한편, 금속박막의 CMP 공정에 사용되는 슬러리는 금속박막과 산화반응을 하기 위하여 산화제를 포함하는데, 산화제는 금속 컨디셔너 표면을 산화시켜 부식을 야기한다. 컨디셔너의 표면부식은 반도체 수율에 직접적인 영향을 줄 수 있는 scratch 등을 발생시킬 뿐만 아니라, 컨디셔너의 수명도 저하시키게 되므로 이를 방지하기 위한 노력이 매우 중요하다. 본 연구에서는 컨디셔너 표면에 연마 잔여물 흡착을 억제하고, 슬러리와 컨디셔너 표면 간에 일어나는 표면부식을 방지하기 위하여 소수성 자기조립 단분자막(SAM: Self-assembled monolayer)을 증착하여 특성을 평가하였다. SAM은 2가지 전구체(FOTS, Dodecanethiol를 사용하여 Vapor SAM 방법으로 증착하였고, 접촉각 측정을 통하여 단분자막의 증착 여부를 평가하였다. 또한 표면부식 특성은 Potentiodynamic polarization와 Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) 등의 전기화학 분석법을 사용하여 평가되었다. SAM 표면은 정접촉각 측정기(Phoenix 300, SEO)를 사용하여 $90^{\circ}$ 이상의 소수성 접촉각으로써 증착여부를 확인하였다. 또한, 표면에너지 감소로 인하여 슬러리 내의 연마입자 및 연마잔여물 흡착이 감소하는 것을 확인 하였다. Potentiodynamic polarization과 EIS의 결과 분석으로부터 SAM이 증착된 표면의 부식전위와 부식전류밀도가 감소하며, 임피던스 값이 증가하는 것을 확인하였다. 본 연구에서는 컨디셔너 표면에 SAM을 증착 하였고, CMP 공정 중 발생하는 오염물의 흡착을 감소시킴으로써 CMP 연마 효율을 증가하는 동시에 컨디셔너 금속표면의 부식을 방지함으로써 내구성이 증가될 수 있음을 확인 하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.56.2-56.2
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• 2011

최근 철강, 알루미늄, 이종재료의 접합 등 용접이 어려운 부분에 구조용 접착제의 적용이 증가하고 있는 추세이다. 이를 위해 변성 에폭시레진을 활용한 고접합 강도, 고인성의 구조용 접착제가 연구되어 지고 있다. 피착제의 표면처리는 접합부의 접합강도를 향상시키는 방법으로 알려져 있으나 최근의 구조용 접착제는 표면 전처리 없이도 우수한 접착 특성을 보이는 것으로 기대되고 있다. 본 연구에서는 변성레진에 대해서 각종 표면처리가 접합부 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 피착제로는 자동차용 냉연강판인 SPRC440을 사용하였고, 전처리로는 무처리 상태, SiC연마지를 이용한 연마, 아르곤 및 산소가스를 이용한 마이크로웨이브 플라즈마 표면처리, 산세 등의 표면처리를 실시하였다. 에폭시 접착제는 변성 에폭시 레진과 경화제 및 촉매제를 이용하여 직접 포뮬레이션하였다. 단일 겹치기 전단강도 시험과 T-Peel 시험은 각각 ASTM D 1002 규격에 따라 준비하였으며 인장 시험 후 파면은 SEM으로 관찰하였다.

• Magazine of the Korea Concrete Institute
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• v.14 no.6
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• pp.22-31
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• 2002

콘크리트 블록에는 속빈 콘크리트 블록, 치장 콘크리트 블록, 형틀 콘크리트 블록, 콘크리트 적층 블록 등이 있고, 콘크리트 적층 블록을 제외하면 모두 건축용으로 널리 쓰이는 재료이다. (1) 속빈 콘크리트 블록 속빈 콘크리트 블록이란 보강근을 삽입하는 속빈 부분을 갖고, 블록 벽체로 외력을 부담하는 것을 말한다. 속빈 콘크리트 블록은 건물의 경량화와 시공 기간의 단축이 가능하기 때문에 (그림 1)과 같이 벽체용으로 사용되거나 또는 칸막이용 등으로 많이 사용되는 대표적인 조적재이다 (2) 치장 콘크리트 블록 치장 콘크리트 블록은 철근으로 보강할 수 있는 공동이 있고, 미리 표면에 연마, 절삭, 씻어 내기, 쪼아 내기. 스플릿, 슬럼프, 리브붙임 등의 치장 마무리가 되어 있는 블록을 말한다. 도장 또는 착색만에 의한 치장 블록은 포함하지 않고 있다. 치장 블록은 주로 (그림 2)와 같이 담장에 많이 사용되고 있다. (3) 형틀 콘크리트 블록 형틀 콘크리트 블록은 형틀 콘크리트 블록조에 사용되는 것을 형틀 콘크리트 블록조란 형틀 블록을 조합하여 형틀로 하고, 그 중공부에 철근을 배치하고 콘크리트를 타설하여 내력벽을 형성하는 건축구조를 말한다. 형틀 블록을 조적한 후 외부에 나타나는 면에는 스플릿, 연마, 절삭, 씻어 내기, 쪼아 내기 등의 치장을 하기도 한다.(중략)

• The Journal of Korean Academy of Prosthodontics
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• v.57 no.4
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• pp.350-355
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• 2019

For the success of complete denture, three essential requirements such as retention, stability and support are needed. Moreover, due to the absorption of residual ridge and scarring due to the surgery, when making a complete denture, which is difficult to form the mandibular lingual margins, various considerations such as the arrangement of the Non-anatomical dl non-anatomical teeth, the polished surface impression, the internally weighted metal framework and the use of the denture adhesive cream are necessary. In this case report, the patient has a severely resorbed edentulous ridge from severe periodontitis and has some soft tissue problems after the glossectomy due to tongue cancer. To obtain additional retention and stability, some trials such as polished surface impression taking, internally weighted metal insertion and minimal pressure impression were done for the better result. Moreover To make a metal framework that precisely shapes the desired three-dimensional shape and reduces the complicated process, minimal pressure impression method and direct metal laser sintering technique were used.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.13 no.3 s.40
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• pp.47-51
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• 2006

Recently, CMP (Chemical Mechanical Polishing) is one of very important processing in semiconductor technology because of large integration and application of design role. CMP is a planarization process of wafer surface using the chemical and mechanical reactions. One of the most important components of the CMP system is the polishing pad. During the CMP process, the pad itself becomes smoother and glazing. Therefore it is necessary to have a pad conditioning process to refresh the pad surface, to remove slurry debris and to supply the fresh slurry on the surface. A conditioning disk is used during the pad conditioning. There are diamonds on the surface of diamond disk to remove slurry debris and to polish pad surface slightly, so density, shape and size of diamond are very important factors. In this study, we characterized diamond disk with 9 kinds of sample.