• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.10 no.4
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• pp.191-196
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• 1999

4-probe resistivity measurement technique was used to study hydrogen A-D(Absorption-Desorption)kinetics on Pd films(18 to 67nm thick) from 25 to $50^{\circ}C$, from 0 to 5 torr hydrogen pressure. Pd films were made on sapphire substrate by thermal evaporation technique under high vacuum at room temperature. Upto about 100 hydrogen A-D cyclings, no pulverization was observed, but film was detached partially from substrate. Forward reaction and backward reaction rate were analyzed separately. The activation energies of hydrogen A-D processes were obtained from the Arrhenius plot of the reaction rates. The activation energies of Pd films are not strongly dependent on the thickness of the film. But the activation energy of very thin film( l8nm thick) was smaller than the others.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.9 no.3
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• pp.127-133
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• 1998

This study was conducted to know to the effect of Pd film($180{\AA}$ thick) evaporation condition on the kinetics of hydrogen absorption-desorption. The activation energy of the forward reaction, the activation energy of the backward reaction, and the enthalpy were calculated by hydrogen absorption-desorption in ${\alpha}$-phase.($25{\sim}50^{\circ}C$ temperature) The activation energy of the forward reaction of Pd film, which is made at room temperature, is $6.4{\pm}0.4$ kcal/mol H and of the backward reaction $8.4{\pm}1.5$ kcal/mol H, which yields the reaction enthalpy -2kcal/mol H. The activation energy of forward reaction of Pd film, which is made at $300^{\circ}C$, is $-0.18{\pm}0.61$ kcal/mol H and of the backward reaction $-0.17{\pm}2.3$ kcal/mol H. The sample of $300^{\circ}C$ is more stable than the sample of room temperature in its struciural compactness and resistance value but standard error of result of $300^{\circ}C$ sample is higher than sample of room temperature do.

• Korean Journal of Environment and Ecology
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• v.13 no.2
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• pp.101-108
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• 1999

이산화탄소는 기후변화를 야기시키는 주요 온실가스이다. 본 연구는 춘천시, 강릉시, 서울시 강남구 및 중랑구를 대상으로 토지이용유형별 식생관리에 기인한 에너지소비 및 탄소방출을 잔디깎기, 전정, 관수, 시비, 살충제시용 등의 식생관리실태를 면담설문 및 일부 실측을 통해 파악하였다. 동일 토지이용유형 내 식생관리강도는 대체로 도시간 및 구간 통계적으로 유의한 차이가 없었다. 수목관리에 의한 연간 총탄소방출량은 토지이용유형에 따라 단위피도면적당 36.0~209.7g/m2로서 교통용지에서 가장 많았다. 잔디관리에 의한 연간 총탄소방출량은 단위잔디면적당 7.4~69.3g/m2로서 공원에서 가장 많았다. 이들 총탄소방출량 중 수목의 경우 전정이 토지이용유형에 따라 96.8~99.7%를, 잔디의 경우 잔디깎기가 91.9~100%를 각각 차지하였다. 도시식생의 연간 순탄소흡수를 최대화하기 위해서 가로수의 전정과 공원 내 잔디깎기에 의한 탄소방출을 최소화할 식재계획 및 관리가 요구된다.

• Journal of the Korean Society for Marine Environment & Energy
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• v.6 no.1
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• pp.3-10
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• 2003

Oil drop formation during the underwater oil discharge is investigated experimentally. The focus is placed on the size of the drops formed with the variation of discharge speed and nozzle diameter. As the Reynolds number based on the nozzle diameter increases, the droplet size decreases first and then increases until an explosive atomization occurs. The length of the jet attached to the nozzle Increases with the Reynolds number and then decreases. The transition occurs when the flow becomes asymmetry.

• Journal of the KSME
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• v.20 no.5
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• pp.379-386
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• 1980

지금까지 서론에서는 화석연료와 기타 여러 대체에너지의 한계성에 비추어 원자력(특히 핵분열 에너지)에너지 이용의 불가피성을 지적하였다. 이어서 본론에서는 원자력발전에 관한 가장 기초 적인 개념을 소개하고, 또 원자로기술의 현황과 원자력발전소의 안전성에 대하여서도 간단히 고경하였다. 원자력발전소는 방사능을 누출하고 폐열을 방충하기 때문에 잠재적 위험성을 갖고 있음은 부인할 수 없다. 그러나 모든 에너지 전환장치는 폐기물을 내어놓게 마련이다. 특히 석 탄화력발전소는 C $O^{1}$, $SO^{2}$ , 분진등을 방출한다. 각종연구결과와 실 예를 종합하여 보면 공해요소 방출면에서 뿐만아니라, 자원착용 및 국가경제적 측면에서도 원자력발전은 재래식 석탄및 석유화력발전보다 훨씬 우수함을 알 수 있다. 원자력발전시설과 모든 관계기술도 앞으로 시간이 경과함에 따라 계속 진보되어 열효율의 증대는 물론, 안전시설과 그타 방사능 폐기물의 처리법등도 완전히 개량될 것이다. 현시점에서 단기적으로는 경수로(및 경수로)와 이에 수반되는 모든 기술과 시설을 계속 개량하여야 할 것이며, 장기적으로는 증식로와 같은 보다 더 개량된 원자로의 이용으로 열효율의 증가를 구하여 폐열 오염의 문제도 감소시키고, 천연산 핵분열물 질도 함께 절약하여야 할 것이다. 환언하면 장기적으로는 증식로와 경수로(및 중수로)의 병립체를 위한 준비작업을 서둘러야 할 것으로 본다.

• Tribology and Lubricants
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• v.7 no.2
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• pp.22-27
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• 1991

접촉운동에 의해 재료 접촉부위의 기계적 상태의 변화가 야기될 때 에너지가 방출되며 그 중의 일부는 AE(음향방출)의 형태로 방출된다. AE가 재료의 표면과 작용해서 일어나는 표면변위(surface displacements)는 기술적으로 표면에 설치한 변위계(displacement sensor)에 의해 쉽게 측정될 수 있으며 이 측정값은 AE가 발생된 물리적인 원인을 설명해주는 여러가지 정보를 제공한다. AE측정의 용이함에 재료의 기계적 변형, 파단과구조 및 조성 등의 변화와 AE와의 밀접한 관계로 인해, 재료의 마찰 접촉시의 거동을 이해하기 위해 AE 모니터링이 점차 활발히 적용되고 있다.

• Electric Engineers Magazine
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• v.237 no.5
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• pp.49-53
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• 2002

일반 사무용 빌딩에서는 타이프라이터, 복사기, 탕불기 등의 기기류가 공장에서는 기계, 장치류가 발열체로서 실내에 설치되어 있으며 이들의 기기류에 대한 연료 또는 전력에 의한 입력에너지는 모두 최종적으로 열에너지로 변환되어 방출되고 있다.

• Solar Energy
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• v.11 no.1
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• pp.92-97
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• 1991

The greenhouse gases from fossil fuels and the global warming are discussed. In addition, a total clean energy system is conceptualized including the nuclear and renewable energies into a fossil fuel conversion stream to maintain the clean global environment while the increased energy demand is fulfilled.

• Journal of Energy Engineering
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• v.21 no.1
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• pp.75-80
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• 2012

In this paper a realistic bounding method for flooding analysis following rupture of large size of thanks and piping is defined. Mass and energy release during main feedwater line break accident is analyzed with RETRAN code. It is modeled that the main feed water control valve is closed in 5.0 seconds after reactor trip. In result of the analysis, largest mass and energy is discharged at 70% reactor power. The flood sources for main feedwater room are calculated when piping failure occurs in the high energy line and medium energy line. Based on the result of flood level (1.43m), it is investigated that all of the safety-related environmental qualification equipments are well located above the flood level.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.291-291
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• 2011

플라즈마에 노출된 재료 표면의 온도 증가는 다음과 같은 요인에 의해서 결정된다. 이온의 충돌에 의한 역학적 에너지, 이온의 중성화, 라디칼의 안정화에 의한 에너지 방출(잠열, latent heat), 플라즈마에서 방출된 빛의 흡수. 이중 식각을 위한 기판 바이어스에 의해서 주로 결정되는 이온 충돌 에너지와 잠열의 방출이 300 mm wafer용 유도 결합 플라즈마 식각 장치에서 소스 전력과 바이어스 전력에 따라서 어떻게 변화하는지 전산 유체 역학 모사 프로그램인 CFD-ACE를 이용하여 상용 식각 장비인 AMAT사의 DPS II를 대상으로 온도 분포의 변화를 계산하였다. 실험 결과와 비교를 위하여 다섯 곳에(상, 하, 좌, 우, 중심) 열전대를 부착한 온도 측정 웨이퍼를 기판의 위치에 설치하고 여러 가지 실험 조건에 대해서 온도의 변화를 측정하였다. Ar 10 mTorr에서 2열 병렬 안테나의 전력을 300 W에서 시간에 따른 온도의 변화를 측정하였다. 이때 wafer의 평균 온도는 $28.9^{\circ}C$에서 $150^{\circ}C$까지 12분 내에 상승하였으며 최고 온도에 도달한 다음에는 거의 일정하게 유지 되었다. Si의 식각에서 온도의 영향을 가장 크게 받는 반응은 F 라디칼에 의한 Si의 직접 식각이며 Arrhenius 식의 형태로 표현하면 0.116*exp (-1250/T)의 형태로 된다. 문헌에 보고된 계수를 이용해서 $29^{\circ}C$의 식각 속도와 플라즈마에 의한 가열 최고 온도인 $150^{\circ}C$ 때의 값을 비교해보면 3.3배의 차이가 난다. 따라서 4%내의 식각 균일도를 목표로 하는 폴리 실리콘 게이트 식각 장비의 설계에서는 플라즈마에 의한 가열 불균일을 상쇄 할 수 있는 히터와 냉각 구조의 최적 설계가 필요하다.