• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.213-216
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• 2004

폐슬러지 실리콘과 흑연의 혼합물에 물을 주입하고 열처리하여, 마이크론 크기의 이산화 실리콘 구형입자를 제조하였다. 제조된 이산화 실리콘의 직경은 균일하고 약 $1.7\mu\textrm{m}$이다. 탄화 실리콘이 이산화 실리콘 구형입자와 함께 존재하였으며, 그 모양은 휘스커와 다면체였다. 폐슬러지 실리콘과 탄소의 혼합물을 고온에서 열처리하면 일산화 실리콘 기체가 생성된다. 물이 산소의 공급원으로 주입되면 일산화 실리콘 기체는 산소와 반응하여 이산화 실리콘 고체가 형성될 수 있다. 실리콘 공급원으로 일산화 실리콘이 반응기 내에 균일하게 분포하고 물을 주입하여 이산화 실리콘이 형성되는 메커니즘은 액상에서 수산화 실리콘 구형입자를 형성하는 메커니즘과 유사하다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.223-228
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• 2004

Miniaturization is the central theme in modern fabrication technology. Many of the components used in modern products are becoming smaller and smaller. The direct write FIB technology has several advantages over contemporary micromachining technology, including better feature resolution with low lateral scattering and capability of maskless fabrication. Therefore, the application of FIB technology in micro fabrication has become increasingly popular. In recent model of FIB, however the feeding system has been a very coarse resolution of about a few $\mu\;\textrm{m}$. It is not unsuitable to the sputtering and the deposition to make the high-precision structure in micro or macro scale. Our research is the development of nano stage of 200mm strokes and 10nm resolutions. Also, this stage should be effectively operating in ultra high vacuum of about $1\times10^{-7}$ torr. This paper presents the concept of nano stages and the discussion of the material treatment for ultra high vacuum.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.244-248
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• 2004

$C_{2}H_{2}/NH_{3}/H_{2}$ 의 혼합기체를 Ni 및 Co 촉매 금속에 열분해하여 탄소 나노튜브를 성장하여 구조적 특성을 SEM, TEM 및 Ramann으로 분석을 하였는 바, 성장된 탄소 나노튜브의 직경은 40~100nm 이었으며 모양은 구불구불하며 무질서하게 배열되었다. 탄소 나노튜브로부터의 전계 방출 특성은 통상적인 전계 방출기구에 기인됨을 알 수 있었다. 또한 인가 전압의 증가에 따라 탄소 나노튜브로 부터의 방출된 전류밀도와 휘도는 증가하였으며, $2.5 V/\mu\textrm{m}$의 전계에서는 $3.6 mA/\textrm{cm}^2$의 전류밀도 값을 갖고 있었으며, $0.8\textrm{cm}^2$의 면적에 성장된 탄소 나노튜브로부터 $56 cd/\textrm{m}^2$의 발광 강도를 보였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.67-71
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• 2004

400~450nm 파장 범위의 청색광을 검출하는 Si 포토다이오드에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$를 광반사 방지막으로 사용하는 경우 광반사 방지막의 두께에 따른 표면 광반사 손실을 이론적으로 계산하였다. 400~450nm 청색 파장에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$ 단일막에 대한 최소 광반사 손실은 각각 $d(SiO_2)=700~750{\AA}$ 와 $d(Si_{3}N_{4})=500${\AA}$에서 나타났으며, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 이중막에 대한 최소 광반사 손실은 $d(SiO_{2}/Si_{3}N_{4})=750{\AA}/(180~200){\AA}$에서 나타났다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.59-62
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• 2004

The defect formation energy of boron nitride (BN) nanotubes is investigated using molecular-dynamics simulation. Although the defect with tetragon-octagon pairs (4-88-4) is favored in the flat cap of BN nanotubes, BN clusters, and the growth of BN nanotubes, the formation energy of the 4-88-4 defect is significantly higher than that of the pentagon-heptagon pairs (5-77-5) defect in BN nanotubes. The 5-77-5 defect reduces the effect of the structural distortion caused by the 4-88-4 defect, in spite of homoelemental bonds. The instability of the 4-88-4 defect generates the structural transformation into BNNTs with no defect at about 1500 K.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.159-162
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• 2004

Problems of overlap errors and sidelobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and sidelobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the sidelobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.259-262
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• 2004

투명전극용 ZnO 박막을 펄스레이저 증착방법으로 형성한 후 산소압력과 기판온도에 따른 결정학적, 전기적 특성을 조사하였다. $200^{\circ}C$의 기판온도에서 증착한 ZnO 박막은 C축의 0002 방향으로 우선 배향한 결정구조를 보여주었다. 산소 압력이 10 mTorr 일때 반가폭(FWHM)은 $0.34^{\circ}$의 값을 나타내었다. ZnO 박막의 캐리어 농도는 약 $4\times$10^{20}$\textrm{cm}^3$ 으로 산소농도에는 크게 영향을 받지 않았으며, 약 $5\times10^{-4}{\Omega}cm$ 의 저항율을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.112-117
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• 2004

본 연구에서는 쏠더를 이용한 새로운 웨이퍼 레벨 실장 기술을 제안하였고 순수 주석도금이 쏠더로서 이용되었다. 제안된 실장 기술의 가장 큰 차별성은 레고 조립처럼 어셈블리 한 후에 쏠더 리프로우를 통해 측면 접합한다는 것이다. 이런 측면 접합 기술은 기본적으로 표면 상태에 매우 둔감하다는 장점과 비아를 통한 전기적 연결 시 끝 단의 노칭(notching)에 의한 전기적 연결 끊김 문제를 해결할 수 있다. 접합강도는 전단 응력을 측정하여 평가하였고, 실장의 기밀성(Hermeticity)는 가압 헬륨 측정법을 통해서 평가되었다. 실험결과로부터 본 실장 기술은 고 수율 웨이퍼 레벨 실장 기술의 대안이며 실행 가능함을 확인할 수 있었다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.129-131
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• 2004

극자외선 리소그래피(EUV lithography) 기술은 50nm 이하의 선폭을 가지는 차세대 소자 제작에 있어서 선도적인 기술 중 하나이다. EUVL 에서 필수적인 요소중의 하나가 mirror 로 사용되는 blank mask 이다. Blank mask 에 있어서 가장 중요한 요소는 반사도이다. 이 blank mask 는 Si substrate 위에 반사를 위한 Mo/Si pair 가 40pair 이상 적층되어있다. Blank mask 는 매우 청결해야한다. 만약 결함이 있다면 blank mask 에는 치명적이다 결함은 blank mask 에 있어서 반사도를 떨어뜨리는 주 요소이기 때문이다. 그 결함에는 amplitude defect 과 phase defect 이 있다. FIB 에서는 amplitude defect 을 수정하는 것이 가능하다. 우리는 FIB 를 이용하여 mage mode, spot mode, bar rotation mode 를 사용하여 amplitude defect을 수정하였다. 그리고, 그 결과 효과적으로 amplitude defect을 수정하였다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.174-178
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• 2004

본 논문에서는 P-type (100)Si 기판위에 RF magnetron sputtering법으로 완충층용 MgO 박막을 $500\AA$ 증착한 후 제작된 MgO/Si 기판위에 BST 박막을 증착하였다. 증착 시 기판온도는 $400^{\circ}C$ 작업가스 $AR:O_2:=80:20$, 작업진공 10mtorr에서 RF 파워를 25W, 50W, 75W로 변화하면서 증착하여 최적의 RF 파워조건을 확립하였다. XRD 측정결과 25W에서 증착된 BST 박막은 배향성이 보이지 않는 비정질 형태로 성장되었고 50W에서 증착된 박막의 결정특성이 가장 양호하였다. I-V측정결과 모든 샘플에서 $\pm150KV/cm$에서 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$이하의 양호한 누설전류특성을 나타내었고 C-V측정 결과 역시 50W에서 증착된 BST 박막의 비유전율이 약 305로서 가장 우수한 특성을 보여주었다.