• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2007.06a
• /
• pp.281-286
• /
• 2007

Road traffic accidents kill more than one million people a year. ESCC represents a new device, that hasn't any analogue. This embedded system, heats the car glasses, when it's needed, that makes more safety driving. It's build on Atmega128L CPU, using high-performance EEPROM CPLD ATF1504AS. Source code was written in C language. Algorithm of work was written by dew-point table. This system is not only clearing the glass from condensation, but averts condensation. ESCC began working, when input information became close to dew-point table information. Thankful this device, field of view is more widely, that increase safety level.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.242-242
• /
• 2011

현재 반도체 및 디스플레이 장비들이 공정 매개변수 및 플라즈마 변수를 독립적으로 제어하기 위하여 전원 주파수를 다양하게 사용된다. 플라즈마의 상태나 에너지 전달 효율은 반도체 및 디스플레이 공정에 중요한 요소이다. 따라서 플라즈마 발생장치의 전원 주파수를 바꾸었을 때의 플라즈마 밀도와 에너지 전달 효율에 관하여 연구하였다. 공정용 유도 결합 플라즈마(ICP)를 발생시키기 위하여 신호 발생기에서 전력 증폭기와 임피던스 정합회로(Matcher)를 거쳐 반응 용기에서 플라즈마를 발생시켰다. 6 mTorr의 압력에서 주파수는 13.56 MHz에서부터 80 MHz까지, 15~60 W의 전력을 인가하였다. 플라즈마의 에너지 효율을 측정은 제작한 로고스키코일(Rogowski Coil)을 이용하여 시스템 전반을 등가회로로 계산하였으며, 플라즈마 밀도는 반응용기 중앙에서 부유 탐침법을 적용하여 도출하였다. 같은 전력 조건에서 주파수가 증가함에 따라 플라즈마 밀도가 증가함을 볼 수 있었다. 그러나 플라즈마 에너지 효율은 주파수가 높아짐에 따라 점점 커지다 작아지는 경향을 볼 수 있었다. 에너지 전달 효율의 변화는 정합회로의 표피효과(Skin effect)에 기인하며 플라즈마 밀도의 변화는 이온의 에너지 손실에 기인한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.269-272
• /
• 2006

Surface contacts between mold and target should be in parallel for the imprinting mechanism. However, the size of contacting area makes it difficult for both mating surfaces to be in all contact because of precision level of the imprinting machine and the waviness of mold and target. The gripping force for both mold and target with the vacuum chuck is also major effect to interrupt the full contact, which must be avoided in imprinting mechanism. In this study, the preliminary study for the causes of non-uniformity of contacting surfaces such as mold and target is performed with $470{\times}370mm^2$ LCD panel size.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.255-258
• /
• 2006

In this paper, the new method which is monitoring quantity of particles using by ion-counter has been developed. ISPM system is composed by Gerdien type ion-counter (house-made), DC power supply and electrometer. Ion-counter applied positive voltage could detect only positive charged particles. Therefore charged particles to Boltzmann equilibrium distribution or to some identified charge distribution can be detected by ion-counter. Ion-counter could install on the exhaust line of process equipment since pressure loss is structurally low. ISPM system has been certified by comparison with the result of SMPS (Scanning Mobility Particle Sizer) system. The relation coefficiency is above 0.98 about $20{\sim}300nm$ particles with identified charge distribution under $0.1{\sim}10.0$ Torr.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.127-130
• /
• 2006

사파이어 기판위에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 8주기의 InGaN/GaN 다중양자우물(multiple quantum well : MQW)구조가 성장되어졌고 이 구조 위에 p-GaN층이 형성됐다. 다시 p-GaN 위에 200nm의 두께를 갖는 PMMU 박막을 도포하고 electron beam lithography system을 이용하여 직경이 150nm가 되도록 나노단위의 삼각격자 구조를 가진 구멍을 패턴하고 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 식각을 하여 광결정을 제작하였다. 광결정은 두께가 26nm이고 격자간격은 460nm로서 파장이 450nm인 파란빛을 나노회절 시켜서 photoluminescence(PL)의 세기를 강화시킨다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.131-134
• /
• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 주입층 PTFE 의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter 를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 캐패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE 의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실($tan{\delta}$)도 저주파수 영역에서는 정공 주입층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 캐패시턴스는 PTFE 의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.135-138
• /
• 2006

OLEDs are attractive because of possible application in display with low operating voltage, low power consumption, self-emission and capability of multicolor emission by the selection of emissive material. We investigated the effects of deposition rate on the electrical characteristics, physical characteristics and optical characteristics of OLEDs in the ITO(indium-tin-oxide)/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al device. We measured current density, luminous flux and luminance characteristics of devices with varying deposition rates of TPD and $Alq_3$. It has been found that optimal deposition rate of TPD and $Alq_3$ were respectively $1.5{\AA}/s$ from the device structure. An AFM measurement results, surface roughness of the deposited film was the lowest when deposition rate was $1.5{\AA}/s$.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.139-144
• /
• 2006

일반적인 PDP 에 적용된 ADS 방식에서 Reset 파형은 ON/OFF Cell 을 초기화 시켜주고 Wall charge를 쌓아줌으로써 낮은 Address 전압으로도 구동을 가능하게 해준다. 기존의 Reset 파형은 Positive ramp pulse를 이용하여 구현하고 있으나 본 논문은 Negative ramp pulse가 적용된 새로운 Reset 파형을 제안하고자 한다. 2-Dimensional fluid simulation code를 이용하여 Ramp부분에 초점을 맞춰 Reset파형을 분석했으며 제안된 Negative ramp reset 파형은 기존의 Positive ramp reset 파형보다 70V가 낮은 전압에서 방전이 발생되는 것을 확인했다. Negative ramp pulse를 적용됐을 경우, Positive ion들이 모두 Negative ramp pulse가 인가된 Scan전극으로 모이는 현상 때문에 기존 Reset파형에 의한 방전일 때보다 낮은 전압에서의 초기방전을 발생시키므로 Reset에 소요되는 시간과 전압을 감소시킬 수 있다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.150-155
• /
• 2006

PZT는 높은 분해능을 구현할 수 있는 구동기이지만 그 구동 범위가 협소하다는 단점이 있다. 최근에는 이러한 단점을 극복하기 위한 여러가지 메커니즘들이 제안되고 있다. 본 논문에서는 PZT를 이용하여 넓은 범위의 높은 분해능을 갖는 회전형 스테이지를 개발하였다. 개발되어진 회전형 스테이지는 빔 형태의 예압구조를 이용하였으며 일정한 마찰력을 구현하기 위하여 알루미나와 오닉스를 사용하였다. 대 변위와 미소변위를 동시에 구동하기 위하여 Dual mode control을 적용하였다. 또한 레이지 간섭계를 이용하여 구동기의 최대속도와 분해능을 측정하였으며 Sinsweep를 이용하여 구동기의 주파수 응답을 구하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.160-163
• /
• 2006

고정세 PDP에서 방전 cell의 휘도와 효율을 증가시키기 위해서는 cell을 구성하고 있는 layer의 광학 성질과 구조를 고려한 설계가 필요하다. 3-dimensional optical code를 사용한 새로운 접근 방법은 다양한 geometry의 구성, 광학 성질의 적용의 용이함, 정확한 분석 데이터 등의 장점을 활용하여 PDP cell의 구조와 재료 변화에 따른 광 패턴과 조도 ($1m/mm^2$)를 관찰함으로써 향상된 휘도와 효율 특성을 갖는 cell 구조를 설계할 수 있게 된다. 본 논문은 PDP 상판을 구성하는 ITO, bus electrode, dielectric layer의 구조와 광학특성을 변화 시키고, 현재 양산 모델에 적용중인 다양한 상판 구조를 optical code를 활용하여 연산하여 도출된 결과를 비교하였다.