• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.64-67
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• 2003

본 연구는 nano-level 디바이스 제조를 위한 새로운 금속 전극인 W 과 Ti metal 표면 세정에 관한 연구이다. 기존 $SC-1(NH_4OH/H_2O_2/H_2O)$ 세정 용액에서 산화제 ($H_2O_2$)를 사용하지 않는 dilute $NH_4$OH 세정은 전극 사이 절연막 표면의 particle 제거가 가능하면서 노출된 metal 막의 세정 damage를 최소화 시키는 것을 확인했다. SC-1 용액 내에 산화제 미 첨가 효과는, metal 막의 식각 현상을 억제시키고, 절연막 표면의 particle 제거 효과에 영향을 미치지 않는 것으로 판단된다. 이러한 방법은 short time 공정이 필요한 관계로, spin type wet 장비 채택으로 세정 효과의 극대화를 얻을 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.1 no.1
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• pp.1-7
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• 2002

Modem technology depends on the reliability of extremely high precision equipments. In the production of semiconductor wafer, optical and electron microscopes, ion-beam, laser device must maintain their alignments within a sub-micrometer. This equipment requires a vibration free environment to provide its proper function. Therefore, this high technology equipments require very strict environmental vibration criteria because it is used as basic data for the design of building structure and structural dynamics of equipment. In this paper, the new approach is proposed to investigate the mismatch problem of time and frequency domain for vibration criteria of sensitive equipment. The proposed approach is based on a vibration measurement data and a relative transfer function which can be obtained by experiment or analysis.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.101-107
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• 2004

각종 전자기기의 소형화, 고성능화 요구에 따라 회로 또는 기판의 고집적화에 따른 대안으로 도입된 COF(Chip On Film)공정에서 PI(polyimide)/buffer layer/Cu의 접착력 개선을 목적으로 본 연구가 진행 되었다. 그리고 buffer layer로써 Cr을 증착 할 때 부착력의 개선을 목적으로 개질처리를 할 때는 RF plasma장비를 사용하였다. 실험 변수로는 peel strength에 대한 buffer layer의 종류와 증착시간, 표면 개질처리시 $O_2$/Ar비이다. Buffer layer의 종류에 따른 접착력은 Cr보다 Ni이 우수하였고 peel strength와 Cu THK는 같은 buffer layer의 증착 structure에서 비례 관계를 나타냈으며, Cr의 증착 시간과 Cu의 증착 시간을 변수로 peel strength test한 값은 Cr증착시간이 30초, Cu증착시간이 20분일때 40g/mm로 최적의 접착력이 나타났다. 증착전 PI의 개질 처리시 $O_2$/Ar 유량비에 따른 peel strength값은 $O_2$/Ar유량비가 증가 할수록 향상되었으며, 2/5에서 최고값인 58g/mm가 나타났다. 그 이상에서는 오히려 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.49-54
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• 2005

In the case of a sensitive equipment, it require a vibration free environment to provide its proper function. Especially, lithography and inspection device, which have sub-nanometer class high accuracy and resolution, have come to necessity for producing more improved Giga Class semi conductor wafers. The aim of this study is to evaluate the allowable vibration response of a precision inspect ion equipment, which has some trouble in field, by using experimental measurement data and to proposal a proper ant i-vibration method.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.115-119
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• 2006

21C 정보화시대를 맞이하여 반도체 산업이 급속하게 발전함에 따라 컴퓨터를 활용만 효율성이 높은 유틸리티 관리 시스템(New Utility Management System) 기술이 중요시 되는 추세이다. 본 연구에서는 반도체 공정의 가스 케비넷 또는 BSGS(Bulk Specity Gases System) 등에 사용되는 실린더 등의 교체 후 Tubing 등에 남아있는 잔여가스를 효과적으로 제거하기 위한 잔여가스제거 지적결정시스템을 구현하였다. 이를 통하여 각 공정에 필요한 독성가스의 종류에 따른 퍼지가스의 종류 및 횟수를 결정하였으며, 이 결과는 운전 및 관리의 효율성 증대와 에너지 절감을 위하여 매우 유익하게 활용될 것이다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.76-80
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• 2007

반도체 제조공정에서 매엽식 습식 식각 공정은 기판을 회전하면서 상하 면에 약액을 분사하는 형태로 박막을 식각한다. 이 때 기판은 척을 이용하여 고정되는 데 기판과 척이 접촉하는 가장자리 부분에서 약액의 흐름이 정체되거나 일정하지 못해 잔류막질이 남게 되고, 후속 공정에서 기판 오염의 문제를 야기하게 된다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 기판을 파지하는 여러 개의 척을 2개조로 나누어 교대로 파지하도록 하는 기능을 제시하였다. 2개 조의 척들은 자성체를 사용하여 고속 회전 중에 비접촉 방식으로 구동하였고 실제 약액 처리론 수행하여 효과를 관찰하였다. 결과적으로 기존 고정형 파지 방식에 비해 교차형이 기판 베벨면이나 에지면에서의 잔류 막질 제거에 탁월한 효과가 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.129-133
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• 2005

대기압 글로우 플라즈마를 이용하여 반도체 리드프레임(Alloy 42) 도금 전처리 습식 공정을 건식으로 대체하였다. 13.56 MHz의 RF 전원을 사용하여 300 W 파워에서 안정적인 대기압 글로우 플라즈마를 발생시켰으며, 금속 리드프레임에 플라즈마가 직접 접촉해도 아크나 스트리머 발생이 없었다. 플라즈마 소스 가스로는 알곤(Ar)을 사용하였으며, 활성가스로 산소($O_2$)를 첨가하였다. 300 W 파워에서 산소를 50 sccm 공급하고 100 mm/sec 속도로 리드프레임을 처리한 결과, 처리 전 접촉각이 $82^{\circ}$에서 처리 후 $10^{\circ}$ 이하로 낮아졌다. 플라즈마 처리 후 리드프레임 표면 거칠기 변화를 AFM으로 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.35-41
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• 2003

반도체 제조라인의 유틸리티 분야에 국내 기술이 도입되고 이에 따른 관리시스템 구축의 중요성이 부각되고 있으며 유틸리티 시스템의 한 부분인 냉각 시스템의 효율성 증대에 관심을 보이고 있다. 본 연구에서 펌프의 효율 계산 프로그램을 NUMS(New Utility Management System)에 반영하고 현재 가동중인 시스템인 NUMS와 같은 조건 하에서 정상상태 유동해석을 통하여 각 구성 요소에서의 유량 및 압력을 제공할 수 있는 시스템을 구현 하였고 NUMS와 압력비교를 하였다. 또한 효율성 증대를 위해 적절한 By-pass 밸브의 개도와 펌프 1대를 줄일 수 있는 결과를 얻었다. 이 결과는 차후 운전 및 관리의 효율성 증대와 에너지 절감을 위한 자료로 이용하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.118-122
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• 2004

본 연구에서는 반도체 세정 챔버 내부에서 회전 척을 사용하는 기판의 세정 공정에서 세정장치와 건조장치를 분리하지 알고 일체화하는 기술을 연구하는 한편, 초음파 세정기술을 이용하여, 세정에 사용되는 약액을 절감하는 방법도 연구하였다. UWA(Ultrasonic Water and Clean Air) system은 초음파 진동부, 초순수 공급부 그리고 clean air공급부를 모듈화 하였다. UWA system으로 공급된 초순수에 70～130kHz범위의 초음파가 더하여지고 반도체 기판 위에 분사되면 기판 위의 미세 파티클을 세정하는 효과를 갖는다. 세정 후 연속적으로 clean air를 분사하여 기판 위의 수분을 완전히 제거한다. Particle 세정 작업을 실시한 후 표면을 검사하여 정밀세정 능력을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.05a
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• pp.88-93
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• 2003

IC 패키지 기술중 Underfilling 은 칩과 기판사이에 Encapsulant의 표면장력을 이용하여 주입하고 경화시킴으로써 전기적 기계적 보강력을 제공하는 기술로서 시스템 칩의 발전과 함께 차세대 패키징 기술중의 하나이다. 본 연구에서는 기존의 Underfilling 공정을 개선하여 충전시간을 획기적으로 줄일 수 있는 가압식 Underfilling 공정을 이용하여 차세대 반도체 패키징에 적용할 수 있는 가능성을 파악하였다. 이를 위하여 칩과 기판사이에 주입되고 경화되는 Encapsulant의 유동특성을 파악하였다. 가압식 Underfilling기술은 아직까지 상용화되지 않은 미래기술로써 효율적인 몰드 설계를 위하여 Encapsulant 종류에 따라 Gate 위치, Bump Pattern 및 개수, 칩과 기판 사이의 거리, Side Region에 따른 유동특성등의 파악이 중요하다. 본 연구에서는 $DEXTER^{TM}(US)$의 Encapsulant FP4511 을 사용하여 Cavity 내에 Void 를 없앨 수 있는 주입조건을 찾아내고 Underfilling 시간을 감소시킬 수 있는 모사를 진행하였다.