COF(Chip On Film)에서의 Polyimide/Buffer layer/Cu 접착력 향상

각종 전자기기의 소형화, 고성능화 요구에 따라 회로 또는 기판의 고집적화에 따른 대안으로 도입된 COF(Chip On Film)공정에서 PI(polyimide)/buffer layer/Cu의 접착력 개선을 목적으로 본 연구가 진행 되었다. 그리고 buffer layer로써 Cr을 증착 할 때 부착력의 개선을 목적으로 개질처리를 할 때는 RF plasma장비를 사용하였다. 실험 변수로는 peel strength에 대한 buffer layer의 종류와 증착시간, 표면 개질처리시 $O_2$/Ar비이다. Buffer layer의 종류에 따른 접착력은 Cr보다 Ni이 우수하였고 peel strength와 Cu THK는 같은 buffer layer의 증착 structure에서 비례 관계를 나타냈으며, Cr의 증착 시간과 Cu의 증착 시간을 변수로 peel strength test한 값은 Cr증착시간이 30초, Cu증착시간이 20분일때 40g/mm로 최적의 접착력이 나타났다. 증착전 PI의 개질 처리시 $O_2$/Ar 유량비에 따른 peel strength값은 $O_2$/Ar유량비가 증가 할수록 향상되었으며, 2/5에서 최고값인 58g/mm가 나타났다. 그 이상에서는 오히려 감소하였다.