• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.152-153
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• 2004

• The Optical Journal
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• s.103
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• pp.51-53
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• 2006

연구중심의 대학원 광주과학기술원 기전공학과의 레이저 나노가공연구실에서는 반도체 회사 및 관련 장비 제조업체들이 유용하게 활용할 수 있는 초미세구조물 제조하는 기술을 중점 개발하고 있다. 이를 통해 기존의 기술로는 불가능했던 제품의 가공을 가능하게 하거나 시간 및 경비가 많이 드는 현재의 생산 공정을 단순하고 경비가 절감되는 공정으로 대체하는데 유용하게 활용될 것으로 큰 기대를 모으고 있다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.11 no.3
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• pp.204-210
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• 1986

In this paper, a new method is suggested to stabilize the frequency of semiconductor laser diode for heterodyne optical communication systems. In order to stabilize the frequency of semiconductor laser, the method of the injection current controal has been widely used, in which the laser frequency is locked to a F-P interferometer. By adding another servoloop to stabilize the output power of semiconductor laser, we could stabilize the laser frequency and the output power simultaneously and the frequency stability is improved by a factor of fice times.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.82-83
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• 2000

굴절율이 외부보다 큰 실린더 (cylinder)나 스피어 (sphere)는 경계면에서의 전반사에 의해 손실이 매우 적은 high-Q 공진기가 될 수 있음이 잘 알려져 있다. 크기가 수 십 $mu extrm{m}$ 되는 실린더나 스피어에서의 공명모드는 편광(TM, TE), 모드 수 (mode number) n, 모드 순서 (mode order) l에 의해 정의되고 WGM (whispering gallery mode)라고도 불리워진다$^{(1)}$ . 모드 수n 이 클수록 모드 순서 l이 작을수록 공명모드의 Q 값은 큰 경향을 가진다. 액체 방울이나 액체 제트와 같이 열적 섭동에 민감한 마이크로 공진기 (micro-cavity)의 경우 Q값이 $10^{7}$ 정도로 제약되나, 실리카 마이크로 스피어 (micro-sphere)와 같은 고체 구에서 측정된 Q값은 약 $101^{10}$ 정도로 손실이 매우 적은 공진기가 될 수 있다$^{(2)}$ . 이와 같은 마이크로 공진기 특성을 이용하여 다양한 형태의 마이크로 공진기 레이저 대한 연구가 진행되어 왔다. 색소가 첨가된 고체구, 액체 방울, 액체 제트 등에서 기본적인 실험이 이루어졌고 반도체마이크로 스피어 구조에서 WGM 레이저$^{(3)}$ , polymer disc laser$^{(4)}$ , 광양자테 (photonic quantum ring)$^{(5)}$ 특성 연구 등이 실용가능성을 목표로 진행되고 있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.24-25
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• 2001

광 밴드 갭(photonic band gap)을 가지는 광 결정(photonic crystal)을 이용하여 만들어진 미세 공진기(micro-resonator)를 통해 상온 연속 동작하는 레이저가 최근 개발되었다. 이 미세 공진기는 이득매질(gain medium)이 성장된 반도체의 기판방향과 기판에 수직한 방향을 각각 이차원 광 결정과 판 도파로(slab waveguide) 구조의 전반사를 이용하여 제한하는 구조이다 이러한 광 밴드 갭 공진기의 공진 모드는 그 동안 계산적인 방법을 통해 이론적으로 연구되어 왔으며, 직접 모드의 특성을 측정하는 실험의 필요성이 크게 대두되고 있다. 본 연구에서는 광 밴드 갭에 의해 형성된 2차원 미세 공진기내에서 레이저 발진된 모드의 특성을 먼장 영역(far-field regime)에서 측정 분석한 결과를 보고한다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.4
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• pp.317-323
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• 1995

Doppler-free circular polarization spectroscopy in 87Rb Dz line has been carried out by using a diode laser whose linewidth was narrowed by an external cavity, and experimental results were compared with an optical pumping polarization spectroscopy theory. A dispersive spectrum obtained in a weak pump beam was completely fitted to a single cycle optical pumping theory. The laser frequency was locked to a Rb atomic hyperfine transition line without any frequency modulation by using the dispersive curve as an error signal. ignal.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.287-287
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• 2010

휴대용 기기의 사용이 증가하면서 배터리의 고용량화와 소형화가 요구되고 있다. 특히 내시경 캡슐과 같은 의료용 센서 기기에서는 소형화가 매우 중요하며 인체에 해로운 액체전해질이 들어가지 않는 것이 바람직하다. 최근 무선센서, RFID 태그, 스마트 카드 등을 위하여 고체전해질을 사용하는 박막 마이크로 배터리가 개발되고 있으나, 에너지 저장용량이 작아 응용분야가 제한적이다. Si wafer 위에 형성된 고단차의 3차원 구조 위에 박막 배터리를 형성한다면 표면적 증가에 의해 에너지 저장용량 역시 크게 증가할 것이며, Si 기반의 반도체, 디스플레이, 태양전지 등과 쉽게 집적이 가능할 것이다. 본 연구에서는 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition)으로 리튬 배터리의 cathode 물질인 $LiCoO_2$를 박막으로 제조하고 그 특성을 연구하였다. 펄스 레이저 증착법은 저온 증착이 가능하고 타겟 물질과 같은 조성의 박막을 증착하는 것이 용이한 장점이 있다. Pt, TiN 등의 기판 위에 $LiCoO_2$ 박막을 증착하고 증착 온도와 산소($O_2$) 분압이 박막의 조성, 미세구조, 결정성, 그리고 전하저장용량에 미치는 영향을 고찰하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.87.2-87.2
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• 2012

고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.4 no.2
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• pp.206-211
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• 1993

We carried out the second harmonic generation of low power CW laser diode with maximum power of 30 mW in $LilO_3$ crystals. We used a ring enhancement cavity to increase the second harmonic conversion efficiency. The ring enhancement cavity was Composed of two flat mirrors and two concave mirrors. The focal length of concave mirrors was 25 mm, and 5 mm long and 10 mm long $LilO_3$ crystals were used. We measured the second harmonic power according to the pumping power and compared with theoretical value. We obtained 397 nm second harmonic power of about $6.6{\mu}W$ in 10 mm long $LilO_3$ crystal with the fundumental 794 nm pumping power of 28 mW.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.5
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• pp.1076-1081
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• 2003

A new technique for generating millimeter-wave signals from a semiconductor laser is presented. The method multiples the signal frequency by using optical injection of short optical pulses at a sub-harmonic of the cavity round-trip frequency to drive the laser oscillating at its resonant frequency. A 32GHz signal is generated using a multisection semiconductor laser operated under continuous wave conditions, by injection optical pulses at a repetition rate equal to the fourth subhamonic(8GHz). The generated millimeter-wave signal exhibits a large submamonic suppression ratio(＞17 dB), large frequency detuning range (>300 MHz) low levels of phase-noise(-77.5 dBc/Hz), and large locking (>400 MHz)