• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.6
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• pp.71-78
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• 1999

In this paper, a new model for optical phase-locked loop(OPLL) is proposed that includes VCO laser frequency response as well as loop propagation delay. It is found that both of them greatly affect the OPLL performance. Our model can be used for realizing high-performance microwave-range OPLL.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.21 no.4 s.100
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• pp.118-128
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• 2006

테라헤르츠 대역(100GHz-10THz)은 광파와 전파의 경계 영역에 존재하며 기술적으로 뒤늦게 개발된 주파수 대역으로 테라헤르츠 대역을 개척하기 위해 최신의 레이저기술, 반도체 기술 및 고온초전도 기술을 사용하는 새로운 전자기파 기술로 발전하였다. 테라헤르츠 전자파 펄스는 펨토초 광펄스에 의한 초고속 광스위치(광전도 안테나),반도체 표면, 양자우물 구조 등의 여기(excitation)에 의해 발생하고, 두 가지 연속파(CW) 레이저 빔을 혼합하면 주파수 가변의 테라헤르츠 전자파가 발생한다. 본 논문에서는 이와 같은 THz 전자파 펄스의 발생 및 검출과 THz 응용분야에 대해 기술하고자한다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.10 no.2
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• pp.7-12
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• 2011

In this paper, a laser scattering mechanism are designed to detect micro defects such as dent, scratch, pinhole, etc. Its influential parameters are experimentally selected and scattering patterns of micro defects have been analyzed for silicon wafer in solar cell. As a result of experiments, scattered lights are rather increased in wafer surface with micro defects, in comparison to no micro ones. Scattering parameters are optimally selected for obtaining robust and high quality laser scattering images of micro defects. It is shown that scattered light components are linearly increased according to the increase of micro defect sizes, and the depth of micro-defects give a large influence on optical deflection.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.32-33
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• 2000

최근 다른 두께로 조합된 양자 우물 구조를 이용한 연구가 다음과 같이 각각 다른 목적으로 진행되고 있다. 이러한 불균일 양자 우물 구조는 주로 광대역폭 반도체 광 증폭기를 위한 구조$^{l),2)}$ 광대역폭 Superluminescent Diode에 적용하기 위한 구조, $^{3)}$ 광대역폭 및 온도 비의존성 면발광 레이저를 위한 구조$^{4)}$ 로 이용되고 있으며 10여년 전에는 파장 조절 및 파장 스위칭을 위한 구조로 연구되었다.$^{5).6)}$ 이들 소자의 실현을 위해 우선 불균일 양자 우물 구조의 특성을 알아볼 필요가 있다. 본 연구에서 사용한 양자 우물 구조는 그림 1과 같이 각 양자 우물의 두께가 다르게 분포되어 있다. 그리고 이 구조를 CBE로 성장하고 릿지형 반도체 레이저를 제작하여 공진기 길이와 주입전류에 따른 발광 파장 특성으로부터 불균일 양자 우물 구조에서의 캐리어 분포 특성을 유추하였다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.94-95
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• 2003

최근 들어 저가용 광통신 소자를 제조하기 위한 방법으로 TEC를 사용하지 않는 비냉각형(uncooled) 레이저에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 반도체 레이저를 형성하는 화합물 반도체 재료 적인 측면에서는 기존에 널리 사용되는 InGaAsP계 물질에 비해 AlGaInAs계 물질구조는 큰 conduction band offset ($\Delta$Ec=$\Delta$O.72Eg) 등으로 인해 고온에서 전자의 overflow를 억제하고 균일한 hole injection으로 인해 우수한 고온특성과 높은 이득(gain)을 보이는 장점을 지니고 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.15 no.2
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• pp.177-182
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• 2004

We have observed the saturated absorption spectrum of the P(16) line of the V$_1$＋V$_3$ band of $^{13}$ C$_2$H$_2$ molecule by using the external cavity spectroscopy method. The frequency of laser has been stabilized to the saturated absorption spectrum. The relative contrast of the saturation spectrum is about 7 % with respect to the linear absorption and the linewidth is about 1.8 MHz. The frequency fluctuation of the stabilized LD is about $\pm$20 KHz during the sampling time 100 S.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.8
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• pp.2029-2036
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• 2014

The performance analysis of optoelectronic oscillator(OEO) based on a directly modulated semiconductor laser was theoretically achieved. First, the analysis was performed on the open response of the key components that constitute the OEO loop. Using the results, we simulated the open-loop characteristics of the OEO loop. By combining oscillation conditions of loop oscillator in addition to the open-loop magnitude and phase responses, theoretical performance analysis such as OEO's oscillation frequency, spurious tones and phase noise was successfully completed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.74-74
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• 2011

최근 새로운 형태의 디스플레이에 관한 관심이 집중되고 있다. 이들 중 특히 투명 산화물 반도체는 기존의 실리콘 기반의 반도체에 비해 가시광 영역에서 높은 투과도를 보이며, 또한 기존의 비정질 실리콘 소자에 비해서 10 cm2/Vs이상의 높은 전하 이동도 값을 가진다. 본 연구에서는 투명 산화물 반도체 소재 중 InGaZnO4를 사용하여 펄스 레이저 방법으로 Al2O3 (0001)기판 위에 비정질 상태인 a-InGaZnO4 박막을 성장 시켰다. 박막의 증착 온도를 변화(RT, $50^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $550^{\circ}C$)시켜 성장된 박막의 구조적, 화학적, 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착 온도가 $450{\sim}550^{\circ}C$ 사이에서 박막의 상태가 비정질(amorphous)에서 polycrystalline으로 성장되는 것을 X-Ray Diffraction과 Field Emission-Scanning Electron Microscope를 이용하여 확인하였고 이는 InGaZnO4 박막의 결정화 온도가 $450^{\circ}C$ 이상임을 알 수 있었다. X-ray Photoelectron Spectroscopy를 통해서 target 물질과 성장된 박막의 조성 및 화학적 상태를 고찰한 결과, 박막의 결정성 변화가 화학적 상태 변화와는 무관하다는 사실을 알 수 있었다. 온도 의존 비저항 측정을 통해 박막이 반도체 성향을 가지는 것을 확인 하였다. 또한 Hall 측정 결과 증착 온도가 올라 갈수록 전하 밀도는 증가 하지만, 전하 이동도는 다결정 박막($550^{\circ}C$)에서 급격히 감소하고, 이로 인해 비저항 값이 크게 증가함을 알 수 있었다. 이는 다결정 박막 내 존재하는 grain boundary들이 이동도 값에 영향을 준다는 것으로 추측할 수 있다. Ultra violet-Visible-Near Infrared 측정을 통해 가시광 영역에서 80%이상의 투과율을 나타내며 증착 온도가 증가함에 따라 에너지 밴드갭(Eg)이 커지는 것을 확인 할 수 있는데 이는 Hall 측정 결과에서 확인한 전하 밀도의 증가로 인해 에너지 밴드갭이 커지는 Burstein-Moss 효과로 설명할 수 있다.

• ETRI Journal
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• v.8 no.4
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• pp.42-54
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• 1986

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.299-300
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• 2009