• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1609-1610
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• 2006

이 논문은 인위적으로 전자파를 발생시켜 이 전자파에 의한 반도체 소자의 피해 효과를 조사한 것이다. 동작주파수가 2.45 GHz인 마그네트론으로부터 발생되는 전자파는 끝단이 개방되어있는 도파관을 통해 자유공간으로 전파되고, 도파관 끝단으로부터 $30\;cm\;{\sim}\;50\;cm$인 지점에 반도체 소자들을 위치시켜 동작상태를 확인하였다. 시험에 사용된 피시험체인 반도채 소자로는 TTL과 CMOS 기반기술의 반도체를 사용하였고, LED 구동회로를 구성하여 LED의 점등 여부로 오동작 및 파괴 여부를 육안 식별하였다. 또한 시험 전후의 반도체 소자 표면을 제거 후 칩 상태를 SEM 분석하였다. 시험 결과 도파관 끝단으로부터 50 cm, 40 cm 떨어진 지점에 반도체 소자를 위치시키고 도파관 끝단에서 발생되는 전자파에 의한 반도체 소자의 피해는 전혀 없었다. 그러나 30 cm 떨어진 지점에서 오동작 및 파괴가 일어났다. 오동작 및 파괴가 일어난 시료의 칩 상태를 SEM 분석한 결과 칩 내부의 onchipwire의 용융으로 인한 파괴와 bondingwire의 완전파괴를 확인할 수 있었다. 위의 시험 결과는 인위적인 전자파 환경에서 반도체 소자의 결합 기구를 해석하는 기초 자료로 활용되며, 전자 장비들의 전자파 장해에 대한 이해에 도움이 되는 자료로 활용될 수 있을 것이다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.16 no.3
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• pp.65-70
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• 2017

This paper presents the implementation for the master changing algorithm between nodes in a general electric vehicle. The packet processing method based on the unique network method of an electric vehicle is that the method of processing a communication packet has the priority from the node of a vehicle installed at both ends. An important factor in deciding master or slave in a train is that the request data, the status data, and transmits or control codes of sub-devices are controlled from the node which master becomes. If the request data or the status data is transmitted from the non- master side, it is very important that only one of the devices of both stages be master since the data of the request data may collide with each other. This paper proposes an algorithm to select master or slave depending on which vehicle is started first, which node is master or slave, and whether the vehicle key is operation. Finally experimental results show the stable performance and effectiveness of the proposed algorithm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.253-253
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• 2016

최근 세계적으로 대체 에너지는 중요한 이슈가 되고 있으며 그 중 열전 재료는 유망한 에너지 기술로서 주목 받고 있다. 특히 고 직접화 전자 소자의 발열 문제를 해결하기 위해, 소형화와 정밀 온도 제어가 가능한 박막형 열전 소자에 연구가 주목 받고 있다. 박막형 열전소자 중 산화물 반도체계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 산화물 반도체계 중 In2O3는 BiTe, PbTe 등의 기존의 재료에 비해 독성이 낮을 뿐만 아니라 내 산화성 및 고온에서 열적 안정성이 우수하여 고온에서 적용 불가능한 금속계 열전 재료의 한계를 극복 할 수 있다는 장점을 가진다. 우수한 성능 가장 낮은 캐리어 밀도를 가지기 때문에 의 열전 재료는 높은 전기 전도도 및 제백 계수 그리고 낮은 열전도도 특성을 가져야만 한다. IZO:Sn(Zn 10 wt.%, Sn 800 ppm) 박막의 경우, 높은 전기 전도성을 가지면서 비정질 구조를 가진다. 이와 같이 비정질 구조를 가지는 박막 열전 재료는 격자에 의한 열 전도도가 낮기 때문에 결정질 구조에 비해 전체 열 전도도 값이 낮을 것으로 기대된다. 따라서 높은 전기 전도도를 가지면서 동시에 낮은 열 전도도를 가지게 되어 우수한 열전 특성을 가질 것이라 예상된다. 이러한 특성을 바탕으로 본 연구에서는 비정질 구조를 갖는 Zn와 미량의 Sn을 동시에 첨가한 In2O3박막의 전기적 특성및 열전 특성을 관찰하고자 한다. 본 연구에서는 magnetron sputtering법으로 IZO:Sn(Zn 10 wt.%, Sn 800 ppm) 타깃을 이용하여 기판 가열없이 DC Power 70 W, 작업 압력 0.7 Pa으로 SiO2 기판 위에 $400{\pm}20nm$ 두께의 박막을 증착하였다. 이러한 공정으로 만들어진 박막은 대기 중 후 열처리를 각각의 200, 300, 400, 500, $600^{\circ}C$ 온도에서 진행하였다. 박막의 미세 구조는 XRD를 통해 관찰하였다. 그리고 박막의 전기적 특성은 Hall effect measurement을 통해 측정하였고, 열전 특성은 Seebeck 상수의 측정을 통하여 평가하였다. XRD 확인 결과 RT에서 증착한 박막과 후 열처리 200, 300, 400, $500^{\circ}C$ 결과 비정질 구조를 보였고, 후열처리 $600^{\circ}C$에서는 결정의 회절 피크를 보였다. 전기적 특성의 경우, 후 열처리 온도가 증가함에 따라 전기 전도도는 감소한다. 이는 공기중의 산소가 박막에 침투하여 oxygen vacancy를 막아 캐리어 밀도가 감소한것에 기인 된 것으로 판단된다. 열전 특성의 경우 제백상수는 후 열처리 $600^{\circ}C$에서 가장 높은 제백상수를 나타낸다. 제백 상수는 수식에 따라 캐리어 밀도의 -2/3승에 비례하게 된다. 수식에 따라 후 열처리 $600^{\circ}C$에서 가장 낮은 캐리어 밀도를 가지기 때문에 가장 높은 제백 상수를 가지게 된다. 열전 성능 척도인 Power factor는 제백 상수의 제곱과 전기전도도의 곱으로 나타내는데, 후 열처리 $200^{\circ}C$에서 가장 높은 Power factor를 보인다. 이는 캐리어 밀도 감소에 따라 전기 전도도는 감소하였지만 이로 인해 제백상수는 증가하였고, 또한 캐리어 밀도 감소에 따라 이온화 불순물 산란의 감소에 의해 이동도의 증가에 의한 것으로 판단된다. 박막의 경우 기판의 영향으로 인해 열 전도도 측정이 어려워 열전 성능 지수(ZT)를 계산을 할 수 없지만, 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 IZO:Sn 박막은 비정질 구조를 가지므로 격자진동에 의한 열 전도도가 낮아 전체 열 전도도가 결정질에 비해 낮을 것이며 이는 높은 열전 성능 지수를 가질 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.16-16
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• 2009

ZnO($Zn_{1+x}O$)는 n-type 반도성 세라믹스로 우수한 전기적, 광학적, 화학적 특성을 갖고 있어 바리스터, 투명 전도막, 화학 및 바이오 센서, UV light emitter 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 또한 ZnO에 각종 천이 금속 산화물을 일정량 첨가함에 따라 발생하는 결함준위와 입계 특성의 변화에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 다양한 천이 금속 산화물의 첨가에 따른 전기적 광학적 특성의 변화에 대한 결과들이 많이 보고되고 있지만 서로 상충되거나 해석상 다소 어려운 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 ZnO에 $Cr_2O_3$를 2.0 at% 첨가하여 Cr 첨가에 따른 ZnO의 결함준위와 입계 특성 변화에 대하여 각종 유전함수($Z^*$, $Y^*$, $M^*$, $\varepsilon^*$, and $tan{\delta}$)를 이용하여 고찰하였다 ZnO에 Cr을 첨가할 경우 결함 중 장범위 쿨롱 인력에 의한 결함(0.13~0.18 eV)이 ~100K 영역에서 나타났으며, ZnO 내 결함 중 대표적인 $Zn_j$와 $V_o$는 서로 겹쳐서 나타났다. 이들 중첩된 결함에 대하여 각종 유전함수를 이용할 경우 서로 분리해 낼 수 있는 강점이 있음을 논하였다. 또한 각 결함준위가 강는 정전용랑(C)과 저항(R)을 impedance-modulus spectroscopy를 이용하여 구한 결과, 소결온도가 높아질수록 정전용량은 증가하였으며, 측정온도가 놓아질수록 높아지는 경향을 나타내었다. 입계의 정전용량은 소결온도가 높아질수록 높아 지지만 측정온도가 높아질수록 낮아지는 경향을 나타내었다. 각 저항값은 소결온도 및 측정온도가 높아질수록 지수적으로 감소하였다. 또한 분포함수를 이용하여 입계 안정성에 대하여 고찰하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.33 no.5
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• pp.400-404
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• 2020

In this paper, we study the correlation between the crystallinity of semiconductive compounds for eco-friendly power cables and the dispersive properties of carbon black. The crystal structure of the polymer material is advantageous for mechanical properties and heat-resistance. However, the polymer acts as an inhibitor to the dispersibility of carbon black. The purpose of this study is to develop a TPE semiconductive compound technology. The high heat resistance and ultra-smoothness characteristics which are required for high voltage and ultra-high voltage cables should be satisfied by designing and optimizing the structure of a non-crosslinking-type eco-friendly TPE semiconductive compound. The application of excess TPE resin was found to not only inhibit the processability in the compounding process, but also reduced the dispersion properties of carbon black due to higher crystallinity. After the crystallinity of the compound was identified through DSC analysis, it was compared with the related dispersion characteristics. Through this analysis and comparison, we designed the optimal structure of the eco-friendly TPE semiconductive compound.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.6 no.6
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• pp.572-581
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• 2001

A heat pipe heat sink device which is to evacuate maximum heat of about 1800W from a powersemiconductor was designed and manufactured One set of cooling device os composed of an Aluminum block (130${\times}$160${\times}$35mm) 4 PFC heat pipes $(d_0 22.23mm)$ and 126 Aluminium fins (250${\times}$58${\times}$0.8mm) Experimental data obtained at a power of 1~2kW revealed that the total thermal resistance of the device varied 0.02~0.018$^{\circ}C$/W along with increasing air velocity from 2m/s to 3 m/s. The result represented a good satisfaction of requirement condition to maintain temperature rise of semiconductor lowe that $40^{\circ}C$ at 1800W and air velocity of 3 m/s Some important resistance such as convective resistances at both fins and heat pipes showed good agreement between mathematical predictions and measurement data.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.48 no.3
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• pp.401-404
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• 2010

A spray-type cleaning agent in utilizing dust-remover on PCB was chosen to study. In cleaning of electronic and semiconductor equipment, a substrate(IPC-A-36) was used to test the jet forces of the agent. And according to the jet forces time of the cleaning agent, the corresponding moving distances were compared with the spray times, and for the pollutants of iron powder and dust, the cleaning efficiency was tested with the IPC-A-36 by a weight method. The moving distance increased with the spray cleaning time longer. For a spray cleaning time of 3sec, the cleaning efficiency decreased with the amount of dust and the iron powder. It was also observed that the dust was remarkably removed, compared to the iron powder.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.11
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• pp.27-32
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• 1999

Metal-ferroelectric-semiconductor devices by susing rapid thermal annealed $LiNbO_3/Si$(100) structures were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region of the fabricated FET were about $600cm^2/V{\cdot}s$ and 0.16mS/mm, respectively. The ID-VG characteristics of MFSFET's showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the $LiNbO_3 films. The drain current of the on state was more than 4 orders of magnitude larger than the off state current at the same read gate voltage of 0.5V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as ${\pm}3V$, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to $10^{10}$ switching cycles with the application of symmetric bipolar voltage pulse (peak-to-peak 6V, 50% duty cycle) of 500kHz.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.15 no.3
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• pp.181-185
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• 2005

We have investigated the effects of Al codoping on the structural, electrical transport, and magnetic properties of oxide diluted magnetic semiconductor $Zn_{1-x}Cr_xO$ thin films prepared by reactive sputtering. Nondoped $Zn_{0.99}Cr_{0.01}O$ thin films show semiconducting transport behavior and weak ferromagnetic characteristic. The Al doping increases the carrier concentration and results in an decrease of resistivity and metal-insulator transition behavior. With increasing carrier concentration, the magnetic properties drastically change, exhibiting a remarkable increase of the saturation magnetization. These results show carrier-enhanced ferromagnetic order in Cr-doped ZnO.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.58-64
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• 1980

A new type of multimicroelectrode array has been developed using integrated circuit technology in order to record action potentials from nervous systems. The size and pattern of the electrode array are determined accurately in a frow $\mu$m range by optical photolithogaphy. The electrical characteristics of the integrated microelectrode array were investigated. The practical applications of this electrode array in recording action potentials from a ventral nerve of a cockroach are shown.