• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.886-887
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• 2011

To obtain a transparent electrode, AZO thin film was deposited on SiOC film with various flow rates by rf magnetron sputtering system. SiOC film was deposited with various DMDMOS/O2 flow rate ratio by CVD, The optical electrical properties of the SiOC film and SiOC/AZO were analyzed by the uv visible spectrometer and 4 point prove system. The reflectance of SiOC/AZO film was changed in compared with that of SiOC film. The resistance was decreased with low RF power because of increasing the concentration of carriers.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.42.1-42.1
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• 2011

박막형 디스플레이구서에 있어서 투명전극은 필수적이다. 투명전극은 정보를 표시하기 위해 빛을 외부로 방출시키거나 태양광 등을 소자 내부로 입사시켜야 한다. 또한 전극을 형성하는 박막은 높은 광투과율과 ${\sim}10-4{\Omega}cm$ 정도의 낮은 전기비저항을 가져야 한다. 가장 널리 사용되는 투명전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)는 인듐의 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가 및 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 $400^{\circ}C$정도의 높은 온도와 수소플라즈마 분위기에서 장시간 노출시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제로 지적된다. 이러한 문제 해결의 대안으로 ZnO 산화물 반도체가 있는데 ITO 박막에 비해 비저항이 높기 때문에 도핑을 이용한 비저항을 ${\sim}10-4{\Omega}cm$ 정도로 낮추어야 한다. 투명전도막으로는 ITO, FTO 등과 더블어 체적 저항율은 다소 높으나 환원성 분위기에 대한 내성, 가시광 영역에서의 높은 광투과율과 저렴한 가격 등의 장점 등으로 AZO 박막이 주목 받고 있다. ZnO는 ITO 나 FTO에 비해서 700 kJ/mol의 큰 분해에너지를 가지므로 코팅 때 발생하는 전도도 및 투과율이 나빠지는 현상이 발생하지 않는 특징이 있으며, 위의 두 재료에 비해 밴드갭도 가장 낮아서 자외선 투과율이 낮다. 그러나 내습성이 약하기 때문에 이를 보완하기 위하여 내습성향상과 전도성 향상을 위해서 3족 원소인 B, In, Al, Ga 등을 도핑한 ZnO 투명전도막의 연구가 진행되고 있다. 이러한 원소들 중에서 Al로 도핑했을 때 가장 낮은 비저항을 얻을 수 있다고 알려져 있다. 본 연구에서는 SiOC 박막위에 AZO 박막을 제조하기 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 박막을 성장시켰으며, 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. AZO 박막은 rf power가 5~200 W인 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었다. SiOC 박막은 산소와 DMDMOS 전구체의 유량비를 다르게 하여 플라즈마 발생 화학적 기상 증착방법으로 증착되었다. 증착된 SiOC박막은 UV visible spectroscopy에 의해서 분석하였다. 투명전극의 비저항은 rf 전력이 작을 수록 낮았으며, SiOC 절연막 위에 AZO를 증착시킨 후 반사률은 반대로 바뀌는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Solar Energy Society
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• v.26 no.4
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• pp.55-61
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• 2006

Titanium oxide ($TiO_2$) films are deposited on the indium tin oxide (ITO) substrate in an $Ar/O_2$ atmosphere by using reactive RF (Radio Frequency) magnetron sputtering technique, and Electrochromic properties and durability of $TiO_2$ films deposited at different preparation conditions are investigated by using UV-VIS spectrophotometer and cyclic voltammetry Li+ interalation/deintercalation in $TiO_2$ films shows that the electrochromic properties and durability of as-deposited films strongly depend on gas pressure $TiO_2$ films formed in our sputtering conditions are found to remain transparent, irrespective of their Li+ ion contents. The optimum sputtering conditions for film as passive counter electrode in electrochromic devices are working pressure of $1.0\;{\times}\;10^{-2}\;torr$ and oxygen flow raes of $10{\sim}15\;sccm$, respectively.

• Journal of the Korean Solar Energy Society
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• v.30 no.3
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• pp.90-97
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• 2010

$TiO_2$ thin films for solar energy utilization were prepared on ITO coated glass by r.f magnetron sputtering with variations of working pressure, oxygen flow rate and annealing temperature. Ion insertion and extraction reaction, and ion storage properties of films were investigated by using a cyclic voltammetry. Transmittance of thin films in as-prepared, colored and bleached states was measured by UV-VIS spectrophotometer. The samples deposited in our sputtering conditions showed poor electrochromic properties. Improvement in ion storage properties of $TiO_2$ thin film was observed after annealing at temperature of $400^{\circ}C$ in air for 2 hours. It was found that $TiO_2$ thin film in electrochromic device could be used as a passive counter-electrode.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.506-506
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• 2012

플라즈마 제트 장치를 이용하여 두 개의 플라즈마 plume을 평행하게 발생시킨다. 두 개의 플라즈마 plume의 전위차를 전극에서부터 plume 끝단까지 위치별로 측정한다. 두 개의 플라즈마 제트 장치에 인가하는 전압의 위상이 서로 반대일 경우, 두 개의 플라즈마 plume의 전위차로 인하여 plume사이에 streamer가 발생한다. 대기압에서 streamer가 발생하려면 십여 kV 이상의 전위차가 있어야 한다. 반대로 동일한 위상의 전압을 인가할 경우, 두 개의 플라즈마 plume의 전위차는 없기 때문에 plume사이에 streamer가 발생하지 않는다. 두 개의 플라즈마 제트 장치를 등가회로로 구성하고 위상차로 인한 streamer 발생여부를 확인한다. 그리고 두 개의 플라즈마 plume 사이에 발생한 streamer와 플라즈마 제트 장치를 등가회로로 구성하여 발생시킨 streamer 양을 비교한다. 이를 통해 플라즈마 plume의 전위차를 확인한다.

• KSBB Journal
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• v.4 no.2
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• pp.150-156
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• 1989

The chaacterisitics of a commercial membrance-coverd electrode in air-saturated saline solution were investigated in terms of a steadystate one-dimensional model. The electrode system miiersed in an aqueous medium consists of three layers: an external concentration boundary layer, a membrance, and an inner electrolyte layer. The membrance can be permeabld to the water and impermeable to the ionic species. In stationary midium, the water migrates from the external medium to the inner electrolyte layer until a thermodynamic equilibrium is reached. In a following midium, however, there is a reverse direction of water movement due to the hyrodynamic pressure differential until both thickness of the electrolyte layer and the membrance are equal.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.505-505
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• 2012

플라즈마 제트에서 발생하는 전기적 충격을 제거하기위한 특성을 조사하였다. 바이오 플라즈마 연구에 사용되는 대기압 플라즈마 제트는 일반적으로 아르곤 등의 불활성 가스를 주입하고 고전압을 전극에 인가하여 플라즈마를 발생하는 방식이다. 저주파(수십~수백 kHz) 전원 장치로 발생하는 일반적인 플라즈마 제트에서의 전기적 데미지는 전류 값이 2 mA 이상일 때 발생한다. 본 실험에 사용한 장치는 석영관의 양단 끝에서 가스를 주입하여 석영관 중앙에 위치한 홀로 가스가 빠져나가는 구조이다. 석영관 양단 끝에 위치한 전극에 서로 반대 위상의 교류전원을 인가하고, 그로 인해 발생된 플라즈마는 중앙에 위치한 홀로 방출된다. 따라서 홀이 위치한 석영관 중앙의 전압은 수십 V로 측정되었으며, 이로 인한 전기적 충격이 없었다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2004.05a
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• pp.24-28
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• 2004

본 연구는 기존에 제안한 방전 AND gate PDP의 결점을 개선한 연구로써 AND gate를 구성하는 DC 방전의 극성을 반대로 설계하여 인접 주사전극에 대한 cross talk를 개선하였다. 또한 기존의 AND gate가 공간전하에 의한 방전의 비선형성에 의존한 것과는 달리 본 연구에서 제안한 AND gate는 방전 경로에 따른 전압의 변화에 의존하는 것으로 AND gate의 동작이 한층 안정해 졌다. 실험 결과 4개의 수평 주사전극에 대해 선택적인 어드레스 방전이 가능하였으며 각각 34V와 70V의 AND 방전 및 Data 방전의 동작마진을 얻을 수가 있었다.

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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• 2002.05a
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• pp.115-119
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• 2002

고분자 전해질 연료전지는 전해질로 고체고분자막을 사용하는 연료전지로 고분자막은 수소 이온의 활발한 전달을 위해 일정량의 수분이 존재해야 한다. 따라서 연료전지의 운전 중에 고분자막은 항상 수화되어 있어야 하며 수분이 부족하게 되면 수소이온 전도도가 떨어지고, 막의 수축으로 인해 전극과 막 계면의 저항이 증가한다. 반대로 수분이 많이 존재하면 촉매 표면에 반응기체의 확산이 어려워져 전지 성능이 감소하게 된다.(중략)

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.8 no.4
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• pp.821-825
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• 2004

The a-Si：H TFTs decreasing parasitic capacitance of source-drain is fabricated on glass. The structure of a-Si：H TFTs is inverted staggered. The gate electrode is formed by patterning with length of 8 ${\mu}m∼16 ${\mu}m. and width of 80∼200 ${\mu}m after depositing with gate electrode (Cr) 1500 under coming 7059 glass substrate. We have fabricated a-SiN：H, conductor, etch-stopper and photoresistor on gate electrode in sequence, respectively. The thickness of these thin films is formed with a-SiN：H (2000 ), a-Si：H(2000 ) and n+a-Si：H (500). We have deposited n+a-Si：H ,NPR(Negative Photo Resister) layer after forming pattern of Cr gate electrode by etch-stopper pattern. The NPR layer by inverting pattern of upper gate electrode is patterned and the n+a-Si：H layer is etched by the NPR pattern. The NPR layer is removed. After Cr layer is deposited and patterned, the source-drain electrode is formed. The a-Si：H TFTs decreasing parasitic capacitance of source-drain has channel length of 8 ~20 ${\mu}m and channel width of 80∼200 ${\mu}m. And it shows drain current of 8 ${\mu}A at 20 gate voltages, Ion/Ioff ratio of 108 and Vth of 4 volts.