• Title/Summary/Keyword: 막저항

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Image Processing Algorithms for DI-method Multi Touch Screen Controllers (DI 방식의 대형 멀티터치스크린을 위한 영상처리 알고리즘 설계)

  • Kang, Min-Gu;Jeong, Yong-Jin
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SP
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    • v.48 no.3
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    • pp.1-12
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    • 2011
  • Large-sized multi-touch screen is usually made using infrared rays. That is because it has technical constraints or cost problems to make the screen with the other ways using such as existing resistive overlays, capacitive overlay, or acoustic wave. Using infrared rays to make multi-touch screen is easy, but is likely to have technical limits to be implemented. To make up for these technical problems, two other methods were suggested through Surface project, which is a next generation user-interface concept of Microsoft. One is Frustrated Total Internal Reflection (FTIR) which uses infrared cameras, the other is Diffuse Illumination (DI). FTIR and DI are easy to be implemented in large screens and are not influenced by the number of touch points. Although FTIR method has an advantage in detecting touch-points, it also has lots of disadvantages such as screen size limit, quality of the materials, the module for infrared LED arrays, and high consuming power. On the other hand, DI method has difficulty in detecting touch-points because of it's structural problems but makes it possible to solve the problem of FTIR. In this thesis, we study the algorithms for effectively correcting the distort phenomenon of optical lens, and image processing algorithms in order to solve the touch detecting problem of the original DI method. Moreover, we suggest calibration algorithms for improving the accuracy of multi-touch, and a new tracking technique for accurate movement and gesture of the touch device. To verify our approaches, we implemented a table-based multi touch screen.

Removal of Aqueous Iron Ion by Micellar Enhanced Ceramic Microfiltration Adding Surfactant (계면활성제를 첨가한 미셀 형성 세라믹 정밀여과에 의한 용존 철 이온 제거)

  • Park, Jin Yong;Yu, Byeong Gwon
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.47 no.2
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    • pp.190-194
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    • 2009
  • In this study sodium dodecyl sulfate (SDS), which was anionic surfactant, was added for forming micelles to remove iron ion that could be contained with small amount in industrial water. Then aggregates binding between iron ions and micelles were rejected by a ceramic microfiltration membrane. As result of SDS concentration effect on removal rates of iron and SDS in modified iron solution, the removal rate of iron was the highest value of 92.26% and the removal rate of SDS was 61.10% a little higher than the result of calcium ion at 8 mM which was CMC (Critical micelle concentration) of SDS. As final resistance of membrane fouling $R_f$ increased the more at the higher SDS concentration, it showed the highest value at 4 mM and the lowest at 10 mM of SDS. The final permeate flux $J_{180}$ had the highest value and the largest total permeate volume could be finally acquired at SDS 10 mM. In case of CMC 8 mM, low $R_f$ was shown as same as that of 10 mM until 80 minutes of operation, and tended to increase dramatically to 120 minutes and increase slowly again until 180 minutes.

Preparation and Properties of Sufonated High Impact Polystyrene(HIPS) Cation Exchange Membrane Via Sulfonation (술폰화 반응에 의한 High impact polystyrene(HIPS) 양이온교환막의 제조 및 특성)

  • Kim, Yong-Tae;Kwak, Noh-Seok;Lee, Choul-Ho;Jin, Chang-Soo;Hwang, Taek-Sung
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.49 no.2
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    • pp.211-217
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    • 2011
  • In this study, ion exchange membranes were prepared using high impact polystyrene(HIPS) with various crosslinking and sulfonation time. Degree of sulfonation(DS) of sulfonated HIPS(SHIPS) membrane was increased with sulfonation time and decreased with crosslinking time. The highest value of DS was 66%. Also, water uptake and ion exchange capacity(IEC) of SHIPS membrane were decreased with degree of crosslinking and increased with sulfonation time. Then their values were 35.2% and 1.55 meq/g, respectively. Electrical resistance and ion conductivity of the membranes were showed more excellent value with sulfonation time. The maximum value of electrical resistance and ion conductivity were $0.4\Omega{\cdot}cm^{2}$ and 0.1 S/cm, respectively. It is indicated that the SHIPS membrane has the higher performance compare with Nafion 117. Durability of SHIPS membranes in a organic solvent was increased with increasing crosslinking time. The surface roughness of HIPS membranes were confirmed with SEM that was become uneven surface with progressing sulfonation.

Probiotic Potential of Indigenous Bacillus sp. BCNU 9028 Isolated from Meju (메주로부터 분리한 토착 Bacillus sp. BCNU 9028의 프로바이오틱스로서 이용 가능성)

  • Shin, Hwa-Jin;Bang, Ji-Hun;Choi, Hye-Jung;Kim, Dong-Wan;Ahn, Cheol-Soo;Jeong, Young-Kee;Joo, Woo-Hong
    • Journal of Life Science
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    • v.22 no.5
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    • pp.605-612
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    • 2012
  • Spore-forming bacteria are being used as probiotic supplements for human and animal use, due to their low pH stability and ability to survive the gastric barrier. In this study, the BCNU 9028 strain was screened from meju, a Korean fermented soybean food starter. Biochemical and physiological characteristics, as well as 16S rDNA sequence analyses, indicate that this strain belongs to the genus $Bacillus$. $Bacillus$ sp. BCNU 9028 showed a 92% survivability at pH 2.5 and could also withstand 0.3% ox bile. Furthermore, it was postulated that $Bacillus$ sp. BCNU 9028 could prevent biofilm formation and adherence of food-borne pathogens such as $Listeria$ $monocytogenes$, $S.$ $aureus$ and $E.$ $coli$ on the basis of its autoaggregation and coaggregation capacity with food-borne pathogens. It was shown that BCNU 9028 has good abilities to adhere to the intestinal tract from its hydrophobic character (63.3%). The $Bacillus$ sp. BCNU 9028 strain especially elicited antibacterial activity against both Gram-positive and -negative pathogens. These findings suggested that the $Bacillus$ sp. BCNU 9028 strain could be used as a potential probiotic.

Fabrication of a Schottky Type Ultraviolet Photodetector Using GaN Layer (GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작)

  • Seong, Ik-Joong;Lee, Suk-Hun;Lee, Chae-Hyang;Lee, Yong-Hyun;Lee, Jung-Hee;Hahm, Sung-Ho
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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    • v.36D no.6
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    • pp.28-34
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    • 1999
  • We fabricated a planar ultra-violet photodetector whose ohmic and schottky contacts were respectively formed with evaporated Al and Pt on the GaN layer. To examine the applicability of the device to the UV sensor, we investigated its electrical and optical characteristics. The GaN layer on the sapphire waver had $7.8{\times}10^{16}cm^{-3}$ of doping concentnation and the $138 cm^2/V{\cdot}s$ of electron mobility and it absorbed the spectrum of the light below 325 nm wavelength. It had the responsivity of 2.8 A/W of at 325 nm, and the signal to noise ratio(SNR) of $4{\times}10^4$, and the noise equivalent power(NEP) of $3.5{\times}10^9$W under 5 V reverse bias. These results confirmed that the GaN schottky diode had a solar blind properly when it was applied to the UV photodetector.

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반도체 검출기의 절연 최적화를 위한 다층 절연막 평가

  • Park, Jeong-Eun;Myeong, Ju-Yeon;Kim, Dae-Guk;Kim, Jin-Seon;Sin, Jeong-Uk;Gang, Sang-Sik;Nam, Sang-Hui
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.372-372
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    • 2014
  • 반도체 검출기는 입사되는 X선 에너지에 의하여 이온화되어 발생하는 전자 전공쌍을 수집함으로 방사선 정보를 확인하는 선량계로써 많은 연구와 활용이 이루어지고 있다. 하지만, X선 에너지에 의하여 반도체 검출기에서 발생하는 전기적 신호량이 높지 않기 때문에 누설 전류의 저감이 필수적이다. 누설 전류를 저감시키기 위한 방안으로 반도체 층과 전극 층의 Schottky Contact 구조의 설계, Insulating Layer의 사용, 높은 비저항의 반도체 물질 연구 등이 이루어지고 있다. 하지만, 기존에 누설 전류 저감을 위하여 Insulating Layer를 전극층과 반도체 층 사이에 형성하는 연구에 있어서 Insulating Layer와 반도체 층의 계면 사이에서 발생하는 Charge Trapping으로 인하여 생성되는 신호의 Reproducibility 저하, 동영상 적용의 제한 등의 문제점을 겪어왔다. 이에 본 논문에서는 누설 전류를 저감시킴과 동시에 Charge Trapping의 최소화를 이루기 위하여 Insulating Layer의 두께 최적화 연구를 수행하였다. 본 연구에서 사용한 Insulating Layer는 검출기 표면에 입사하는 X선 정보 손실을 최소화 시키는 동시에 누설 전류와 Charge Trapping을 최소화 시키는 방법으로써 CVD방법으로 검출기 표면에 균일하게 Insulating Layer를 코팅하였다. Insulating 물질은 Parylene을 사용하였으며, 그 중 온도, 습도 등 외부환경에 영향을 적게 받는 type C를 사용하였다. 증착에 사용한 장비의 진공도는 Torr로 설정하여 증착되는 Parylene의 두께가 약 $0.3{\mu}m$가 되게 하였으며, 실험에는 반도체 물질 PbO를 사용하였다. Parylene의 절연 특성은 Dark Current와 Sensitivity를 측정한 SNR을 이용하여 Parylene코팅이 되지 않은 동일 반도체 검출기와의 신호를 비교하였으며 또한 Parylene를 다층 제작한 검출기의 수집 신호량을 비교하였다. 제작한 검출기의 X선 조사 시의 수집 전하량 측정 결과, 100 kVp, 100mA, 0.03s의 X선 조건에서 $1V/{\mu}m$의 기준 시, Parylene를 코팅하지 않은 PbO 검출기의 Dark current는 0.0501 nA/cm2, Sensitivity는 0.6422 nC/mR-cm2, SNR은 12.184이었으며, Parylene단층의 두께인 $0.3{\mu}m$로 증착된 시편의 Dark current는 0.04097 nA/cm2, Sensitivity는 0.53732 nC/mR-cm2으로 Dark current가 감소되고 sensitivity도 감소하였지만 SNR은 13.1150으로 높아진 것을 확인할 수 있었다. Perylene이 $0.6{\mu}m$로 증착된 시편의 경우, Dark Current는 0.04064 nA/cm2, Sensitivity는 0.31473 nC/mR-cm2, SNR은 7.7443으로써 Insulating Layer가 없는 시편보다 SNR이 약 40% 낮아진 것을 확인할 수 있었다. Parylene이 $0.9{\mu}m$로 증착된 시편의 경우 Dark current는 0.0378 nA/cm2, Sensitivity 0.0461 nC/mR-cm2로 Insulating Layer가 없는 시편에 비해 SNR은 약 1/12배 감소한 1.2196이었고, Parylene이 $1.2{\mu}m$로 증착된 시편의 SNR은 1.1252로서 더 감소하였다. 따라서 Parylene을 다층 코팅한 검출기일수록 절연 효과의 영향이 커짐으로써 SNR 비교 시 수집되는 신호량이 줄어드는 것을 확인하였다. 반도체 검출기의 누설 전류를 저감시킴과 동시에 신호 수집율에 영향을 최소화시키기 위하여 Insulating Layer의 두께를 적절하게 설정하여 적용하면 Insulating Layer가 없는 검출기에 비해 누설전류를 최소한으로 줄일 수 있고 신호 검출효율이 감소하는 것을 방지할 수 있을 것이라 사료된다.

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Pulsed Laser Deposition을 이용하여 GZO/Glass 기판상에 성장시킨 염료감응형 태양전지용 $TiO_2$ Blocking Layer의 특성 연구

  • Yeo, In-Hyeong;Kim, Ji-Hong;No, Ji-Hyeong;Kim, Jae-Won;Do, Gang-Min;Sin, Ju-Hong;Jo, Seul-Gi;Park, Jae-Ho;Mun, Byeong-Mu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.259-259
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    • 2011
  • 염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells:DSSC)는 환경 친화적이며, 저가의 공정에 대한 가능성으로 기존의 고가의 결정질 실리콘 태양전지의 경제적인 대안으로 각광을 받고 있다. 최근 염료감응형 태양전지는 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide : TCO)으로 사용되는 Fluorine Tin Oxide (FTO)가 증착된 유리기판 위에 주로 제작된다. FTO는 낮은 비저항과 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 우수한 전기-광학적 특성을 갖지만, 비교적 공정이 까다로운 Chemical Vapor Deposition (CVD)법으로 제조하며, 전체 공정비용의 60%를 차지하는 높은 생산단가로 인해 현재 FTO를 대체할 재료개발 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO (Zinc Oxide)는 우수한 전기-광학적 특성과 비교적 저렴한 가격으로 새로운 TCO로써 주목받고 있다. ZnO는 넓은 energy band gap (3.4 [eV])의 육방정계 울자이트(hexagonal wurtzite) 결정 구조를 가지는II-VI족 n형 반도체 물질이며, III족 금속원소인 Al, Ga 및 In 등의 불순물을 첨가하면 TCO로서 우수한 전기-광학적 특성과 안정성을 나타낸다. 이들 물질중 $Zn^{2+}$ (0.060 nm)의 이온반경과 유사한 $Ga^{2+}$0.062 nm) 이온이 ZnO의 격자반경을 최소화 시킬 수 있다는 장점으로 최근 주목 받고 있다. 하지만 Ga-doped ZnO (GZO)의 경우 DSC에 사용되는 루테늄 계열의 산성 염료 하에 장시간 두면 표면이 파괴되는 문제가 발생하며, $TiO_2$ paste를 Printing 후 열처리하는 과정에서도 박막의 파괴가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해 $TiO_2$ Blocking Layer를 GZO 투명전극 위에 증착하였다. 또한, $TiO_2$ Blocking Layer를 적용한 GZO 박막을 전면전극으로 이용하여 DSC를 제작하여 효율을 확인하였다. 2wt%의 $Ga_2O_3$가 도핑된 ZnO 박막은 20mTorr 400$^{\circ}C$에서 Pulsed Laser Deposition (PLD)에 의해 성장되었고, $TiO_2$박막은 Ti 금속을 타겟으로 이용하여 30mTorr 400$^{\circ}C$에서 증착되었다. Scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용한 박막 분석 결과 $TiO_2$가 증착된 GZO 박막의 경우 표면 파괴가 일어나지 않았다. Solar Simulator을 이용하여 I-V특성 측정결과 상용 FTO를 사용한 DSC 수준의 효율을 나타내었다. 이에 따라 Pulsed Laser Deposition을 이용해 제작된 GZO 기판은 $TiO_2$ Blocking Layer를 이용하여 표면 파괴를 방지할 수 있었으며, 이는 향후 염료감응형 태양전지의 투명전극에 적용 가능 할 것으로 판단된다.

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이중구조 투명전극을 이용한 실리콘 박막 태양전지 효율향상 기법

  • Kim, Hyeon-Yeop;Kim, Min-Geon;Choe, Jae-U;Lee, Jun-Sin;Kim, Jun-Dong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.591-591
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    • 2012
  • 본 연구는 Transparent conducting oxide (TCO, 산화물투명전극)를 이용한 박막태양전지 효율향상에 관한 것으로, 이중의 TCO층(Double-stacked TCO layer)의 효과적인 광학 및 전기적 설계에 관한 것이다. 기존 박막 태양전지에서는 투명전극 TCO layer로서, ITO (Indium-Tin-Oxide), FTO (Fluorine- Tin-Oxide), 및 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 등을 사용해 왔다. 각 TCO layer마다 장점이 있지만 단점 또한 존재한다. ITO의 경우 높은 전기적 특성을 가지는 반면 수소 플라즈마에 취약하고 기계적 강도에 취약해 ITO 단일층만으로 박막 태양전지에 적용하는 것에 제한을 받는다. 한편, AZO의 경우 전기적 특성도 우수할 뿐만 아니라 수소 플라즈마에도 내구성이 강한 장점이 있지만, 일함수가 p형 반도체보다 낮아 Schottky junction이 되어, 높은 전위장벽이 형성된다. 이는 정공의 이동을 방해하고, 정공의 축적이 일어나서 순방향 전압을 인가할 때 많은 전류의 감소를 가져온다. 또한, AZO와 p형 반도체 사이의 높은 직렬저항으로 인해 광전압(Voc, Open circuit voltage)와 충실률 (FF, Fill factor)가 떨어진다는 단점이 있다. 본 실험에서는 ITO/AZO 2중구조의 TCO층을 적용하여 상기의 문제점을 해결하고자 한다. 이중 구조 TCO층은 Magnetron sputter system을 이용하여, 단계적으로 증착되었다. 빛이 입사하는 유리에 ITO를 제1전도층으로 증착하였는데, ITO는 입사광의 투과도와 전기전도성이 우수하다. 제2전도층으로는 AZO층을 이용하였으며, 실리콘 반도체층과 접하게 된다. AZO는 실리콘 증착시 발생하는 수소 플라즈마에 안정적이고, 물리적 강도 또한 우수한 장점이 있다. 이중 구조층위에 실리콘 광흡수층(Si absorber)을 증착하였으며, pin 구조를 가진다. 기존, 단일막 TCO층과 2중구조 TCO층을 이용하여, 실리콘 박막 태양전지를 구성하였다. 이때, ITO/AZO의 2중구조를 적용하였을 때 태양 전지 특성이 크게 향상된 결과를 얻을 수가 있었다. 특히, 전류밀도의 경우 ITO, FTO, AZO 각각 14.5 mA/cm2, 11.2 mA/cm2, 8.18 mA/cm2를 나타낸 반면 ITO/AZO 2중구조의 경우 약 17mA/cm2 로 크게 향상 되었고, 태양전지 변환 효율도 각각 7.5%, 6.9%, 4%에서 ITO/AZO 2중 구조의 경우 8.05%로 크게 향상되었다. 본 발표에서는 2중구조 TCO를 이용한 현공정에 적용 가능한 박막태양전지 효율향상 기법에 대해 논의하고자 한다.

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A Study on the Fabrication of the Solar Cells using the Recycled Silicon Wafers (Recycled Si Wafer를 이용한 태양전지의 제작과 특성 연구)

  • Choi, Song-Ho;Jeong, Kwang-Jin;Koo, Kyoung-Wan;Cho, Tong-Yul;Chun, Hui-Gon
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.9 no.1
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    • pp.70-75
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    • 2000
  • The recycled single crystal silicon wafers have been fabricated into solar cells. It can be a solution for the high cost in materials for solar cells and recycling of materials. So, p-type (100) single crystal silicon wafers with high resistivity of $10-14\;{\Omega}cm$ and the thickness of $650\;{\mu}m$ were used for the fabrication of solar cells. Optimistic conditions of formation of back surface field, surface texturing and anti-reflection coating were studied for getting high efficiency. In addition, thickness variation of solar cell was also studied for increase of efficiency. As a result, the solar cell with efficiency of 10% with a curve fill factor of 0.53 was fabricated with the wafers which have the area of $4\;cm^2$ and thickness of $300\;{\mu}m$. According to above results, recycling possibility of wasted wafers to single crystal silicon solar cells was confirmed.

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Surface Electrode Modification and Improved Actuation Performance of Soft Polymeric Actuator using Ionic Polymer-Metal Composites (이온성고분자-금속복합체를 이용한 유연고분자 구동체의 표면특성 개선과 구동성 향상)

  • Jung, Sunghee;Lee, Myoungjoon;Song, Jeomsik;Lee, Sukmin;Mun, Museoung
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.16 no.4
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    • pp.527-532
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    • 2005
  • Ionic polymer metal composites (IPMC) are soft polymeric smart materials having large displacement at low voltage in air and water. The polymeric electrolyte actuator consists of a thin and porous membrane and metal electrodes plated on both faces, in impregnation electro-plating method. The response and actuation of actuator are governed. Among many factors governing the activation and response of IPMC actuator, the surface electrode plays an important role. In this study, the well-designed modification of electrode surface was carried out in order to improve the chemical stability well as electromechanical characteristics of the IPMC actuator. We employed Ion Beam Assisted Deposition (IBAD) method to prepare the topologically homogeneous thin surface electrode. After roughing the surface of Nafion membrane in order to get a larger surface area, the IPMC was prepared by impregnation for electro-plating and re- coating on the surface through traditional chemical deposition, followed by an additional surface treatment with high conductive metals with IBAD. It was observed that our IPMC specimen shows the enhanced surface electrical properties as well as the improved actuation and response characteristics under applied electric field.