• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.193.1-193.1
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• 2016

본 연구에서 개발된 새로운 유형의 마이크로파 대기압 플라즈마 공진기는 전송선로 이론을 기반으로 하여 임피던스 값을 $50{\varphi}$으로 설계함으로써 장비 자체에 구조적인 매칭이 이루어지도록 구성하였다. 안정적인 마이크로파 대기압 플라즈마 발생을 위해 컴퓨터 시뮬레이션(HFSS, High Frequency Structural Simulator)을 이용하여 공진기의 반사계수, 공명주파수, 급전점 그리고 전기장을 계산하였다. 전송선로의 이론에서 구한 급전점과 실제 제작한 마이크로파 대기압 플라즈마 공진기의 급전점 값이 큰 차이가 없음을 확인하였다. 이를 바탕으로 제작한 공진기는 급전점 5.6 mm에서 공명주파수는 0.89 GHz, 반사계수는 -37.5 dB임을 측정하였고 신호가 입사되는 정도는 90 % 이상인 것을 확인하였다. 공진기에서 발생된 플라즈마는 6 W의 정도의 저 전력으로 발생되었으며 기체유량과 인가전력에 따른 플라즈마의 기체온도를 측정하고 광 방출 특성을 고찰하였다. 실제 제작한 마이크로파 대기압 플라즈마 발생장치는 생의학적 응용을 포함한 여러 넓은 분야에서 활용될 전망이다.

• 전자통신동향분석
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• 제15권1호통권61호
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• pp.38-40
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• 2000

자동 요금 징수 시스템인 ETC(Electronic Toll Collection) 시스템에서 차량의 탑재장치와 비컨(Beacon) 간에 마이크로파가 전파되는 경로를 모델화하였으며 다중 경로에 따른 페이딩 효과를 분석하였다. 또한 환경 변화 즉 강우 시 마이크로파 전파도 고려하여 수치분석을 하였다. 분석결과 강우에 의한 반사면의 반사계수가 변하여 페이딩 효과가 크게 증가하였다. 이런 수치해석 결과를 탑재장치에서 수신된 전압의 크기와 비컨과 차량 사이의 거리로 도시하였다.

• 비파괴검사학회지
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• 제32권2호
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• pp.192-197
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• 2012

본 연구는 금속의 표면균열 검출을 위해 마이크로파를 이용한 비파괴측정에 관한 것이다. X-band 대역인 11 GHz 주파수와 종단 개방 동축선 센서를 이용하여 금속 표면에 주사된 마이크로파의 반사계수를 측정하여 균열 여부 및 균열의 폭을 판단하게 된다. 또한 반사계수의 최대값과 최소값의 차이를 매개변수(K)로 하여 균열의 깊이를 평가하였는데 K값과 균열의 깊이는 선형 관계를 보였다. 따라서 본 연구는 종단 개방 동축선 센서를 이용한 비접촉식 금속표면균열 평가의 가능성을 보여주었다.

• 비파괴검사학회지
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• 제28권1호
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• pp.16-24
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• 2008

섭동이론인 형태 섭동과 물질 섭동을 적용하여 도파관 공진기를 사용한 마이크로파 근접장 현미경의 특성에 대해 연구하였다. 먼저, Ansoft사의 HFSS (high frequency structure simulator)를 사용하여 공진기 내부의 모드해석과 함께 공진기에서 선형 및 고리형 탐침에 대해 전력전달이 최대가 되고 탐침의 감도 향상을 기대할 수 있는 위치를 확인하였다. 더불어, 유전율이 서로 다른 유전체 시료 (teflon, glass, $Al_2Q_3,\;LaAlO_3,\;SrTiO_3$)에 대해 마이크로파 반사계수$(S_{11})$를 측정하였다. 측정결과로부터 유전율이 증가함에 따라 마이크로파 반사계수$(S_{11})$는 증가하고 공진주파수는 감소하였다. 이를 통해, 도파관 공진기를 이용한 마이크로파 근접장 현미경에서 선형 및 고리형 탐침의 위치에 따른 공진기의 감도 및 공진특성에 대해 알아보았다.

• 대한원격탐사학회지
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• 제13권2호
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• pp.151-163
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• 1997

본 논문에서는 동축선 끝단에서의 마이크로파 반사를 측정하여 수분 함유량을 산출하는 알고리즘을 제시한다. 전파 반사는 공기층과 토양층 사이의 유전율 변화에 의해 발생하므로 반사 계수에서 유전율을 얻는 기술을 연구하였다. 우선, 유전체에 접촉한 동축선 끝단의 등가회로를 선 정하여 미지의 회로 정수를 설정하였다. 다음에, 수분함유량을 알고 있는 토양을 측정하여 미지 회로 정수를 발견하고 반사 계수와 유전율의 관계식을 실험적으로 찾았다. 토양의 유전율은 주파 수, 토양 형태에도 영향을 받지만 주로 수분 함유량에 의해 결정되므로 기존의 실험식을 이용하 여 유전율로부터 수분 함유량을 계산할 수 있었다. 본 연구에서는 Network Analyzer을 이용하여 4.65 GHz에서 각종 토양의 반사 계수의 크기와 위상을 측정하기를 반복하여 복소수 형태의 유전 율과의 관계식을 산출하였다. 이 실험식은 다른 토양에 이용되어 그 정확도가 검증되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.984-987
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• 2003

유기발광소자 안에 존재하는 비발광영역(dark spot)의 전압에 대한 영향을 근접장 마이크로파 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 관찰하였다. 유기발광소자는 glass/indiumtin oxide(ITO)/Cu-Pc/tris-(8-hydroquinoline)aluminum(Alq3)/aluminum(Al) 의 기본구조로 제작하였다. Dark spot은 ITO 기판을 부분적으로 에칭하여서 형성시켰다. Dark spot에 $0{\sim}l5 V$ 까지 전압을 인가시키면서 인가 전압에 따른 전기적 특성을 근접장 마이크로파 현미경 image의 변화와 반사계수인 $S_{11}$ 측정을 통하여 연구하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.147-150
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• 2003

유기발광소자 안에 존재하는 비발광영역(dark spot)의 전압에 대한 영향을 근접장 마이크로파 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 관찰하였다. 유기발광소자는 glass/indiumtin oxide(ITO)/Cu-Pc/tris-(8-hydroquinoline)aluminum(Alp3)/aluminum(Al)의 기본구조로 제작하였다. 비발광영역은 ITO 기판을 부분적으로 에칭하여서 형성시켰다. Dark spot에 0~15V 전압을 인가시키면서 인가 전압에 따른 dark spot 구조적 및 전기적 특성을 근접장 마이크로파 현미경 Image의 변화와 반사계수인 $S_11$측정을 통하여 연구하였다.

• 비파괴검사학회지
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• 제27권1호
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• pp.23-30
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• 2007

본 연구에서는 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 NaCl 용액의 농도검출센서로의 응용 가능성에 대해 알아보았다. 근접장 마이크로파 현미경은 높은 Q 인자를 갖는 유전체 공진기를 이용하여 고감도 특성을 갖는다. 측정과정에저 탐침이 액체 시료표면에 근접했을 때 발생할 수 있는 표면장력의 영향을 피하기 위해 튜닝폭 피드백시스템을 이용하여 탐침과 시료 사이의 거리를 $1{\mu}m$로 유지하였다. 측정은 4GHz에서 이루어졌으며 NaCl 용액의 농도 변화, 농도 및 온도 변화, 부피 변화에 따른 마이크로파 반사계수($S_{11}$)을 관측하여 농도를 측정하였다. 또한 선택적 반응 감도 특성을 알아보기 위하여 NaCl과 글루코스의 혼합용액에서 글루코스의 농도 및 NaCl 용액의 농도를 관측하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권5호
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• pp.10-17
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• 1989

마이크로와 광대역증폭기용 유손실 정합회로를 설계하기 위한 새로운 방법을 제시한다. 이 방법은 트랜지스터를 모델링 없이 측정된 산란계수를 이용하여 표시하며, 유손실 정합회로를 무손실 정합회로 사이에 유손실 직렬 임피던스 또는 병렬 어드미턴스가 삽입된 구조로 생각한다. 증폭기의 이득과 반사계수사이의 선형관계식을 유도하고 이를 이용하여 적절한 이득과 반사계수를 선택하는 법을 제시한다. 증폭기의 이득 및 반사계수와 유손실 정합 소자의 임피던스 사이에는 쌍 일차 변환의 관계가 있으며 일정 이득 원이나 일정 반사계수원을 임피던스 평면 또는 스미스 차트에 그려 적절한 정합 소지값을 선택 할 수 있다. 본 논문에서 제안된 방법이 유용함을 보이기 위하여 증폭기설계 예를 제시하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권12호
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• pp.1940-1946
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• 1989

A design method of lossy interstage networks for broadband microwave amplifiers is presented. A lossy interstage network is assumed as the combination of two lossless networks between which a lossy serial impedance or a lossy parallel admittance is inserted. For the circuit with two transistors and a lossy element, realizable ranges of gain and reflection coefficients are derived. And the relationships between gain and reflection coefficients are derived. Illustrative examples are presented by using the proposed method.