Assuming that the performance of holographic storage media is ideal, we estimate the area storage density of disk-type holographic memories, when the method of either angle multiplexing, or rotational multiplexing, or both are used. The area storage density is strongly dependent on the f numbers (ratio of focal length to diameter) of both the Fourier transform lens in the signal arm, denoted by $F/#_2$, and the angle range over which the reference beam is incident (or, the equivalent f number corresponding to the angle range denoted by $F/#_1$). The area storage density is largely independent of the pixel pitch of the spatial light modulator when the Fourier plane holograms are recorded, while it is sensitive to the pixel pitch when the image plane holograms are recorded. In general, to obtain high area storage density, the Fourier or at least near Fourier plane holograms rather than the image plane holograms should be recorded. In addition, when the thickness of the recording materials are less than approximately $500\mu\extrm{m}$, rotational multiplexing gives higher area storage densities than angle multiplexing does. To increase the storage density further, however, it is desirable to use both of the two multiplexing methods in combination.nation.
Park, Moon-Chan;Jung, Boo-Young;Hwangbo, Chang-Kwon
Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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v.8
no.2
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pp.111-117
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2003
We collected the domestic and foreign half-mirror coating lens for sunglasses. Their reflectance is measured using Spectrophotometer in order to analysis their optical property and the result which is calculated using Macleod program was compared with measured reflectance. In addition, we designed the new half-mirror coating lens with gold color using TiN material and investigated the optical property of the new half-mirror coating lens. The results obtained from analysis of half-mirror coating lenses are as follow : Two-tone half-mirror coating with silver color is fabricated with [air|$SiO_2$(or $Al_2O_3$)|Cr|glass]. The role of $SiO_2$(or $Al_2O_3$) on Cr improve the hardness of the lens and the thickness of the $Al_2O_3$ with 10 nm is good to show the lens silver color. Incase of color half-mirror coating lens. Blue system is designed by [air|$SiO_2$(66.3)|$TiO_2$(129.0)|$SiO_2$(62.9)|$SiO_2$(26.0)|$TiO_2$(120.3)|$SiO_2$(9.1)|glass], gold system [air|$SiO_2$(60.6)|$TiO_2$(86.2)|$SiO_2$(13.5)|$TiO_2$(86.8)|$SiO_2$(214.38)|glass], green system[air|$SiO_2$(74.3)|$TiO_2$(75.8)|$SiO_2$(44.3)|$TiO_2$(11.6)|$SiO_2$(160.8)|$TiO_2$(12.9)|$SiO_2$(183.3)|$TiO_2$(143.8)|glass], silver system[air|$SiO_2$(21.2)|$TiO_2$(49.7)|$SiO_2$(149.3)|glass]. White half-mirror coating lens has [air|$SiO_2$(17 nm)|$TiO_2$(43 nm)(or $ZrO_2$)|$SiO_2$(87 nm)|polysiloxane($4.46{\mu}m$|glass or CR-19]. It has half-mirror coaling lens which has about 19% reflectance and about 80% transmittance in the range of visible light(400~700nm). we designed the new half-mirror coating lens with gold color, the (x, y) value of the CIE is almost similar to the CIE value of [air|$SiO_2$(170 nm)|TiN(15 nm)|glass].
Purpose: To represent the shape of toric corea in the elliptical function for the determination of curvature distribution and lacrimal thickness between cornea and contact lens when the lens is fitted. Methods: Topography measurements of corneal curvature and curvature equation derived from the assumed elliptical function were evaluated using the Excel program which included the necessary equation derived. Results: Mathematical expressions for the cornea whose ribbon shaped-topography image, in which the center does not coincide with the corneal apex, can be determined. Conclusions: For the application where the higher accuracy on the cornea is not required, such as higher order aberration, the cornea cal be expressed in the simple elliptical function.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.282.2-282.2
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2016
중적외선 물질에는 Ge, ZnS, ZnSe, Si 등이 있으나 고굴절율이므로 반사가 매우 크게 발생을 한다. 이를 줄이기 위해 다층 박막 무반사 코팅을 일반적으로 사용하지만 열에 취약함, 적합한 물질을 찾는 것이 매우 어려움, 다층 박막으로 제작 시 두께가 매우 두꺼워짐의 단점이 있다. 또한 Ge, ZnS, ZnSe 의 소재는 가격이 Silicon에 비해 매우 비싸다. 그러므로 RCWA(Rigorous Coupled Wavelength Analysis) 시뮬레이션을 이용하여 상대적으로 저렴한 소재임에도 고투과성을 지닌 중적외선용 무반사 실리콘 서브파장구조(Subwavelength Structures, SWSs)를 제안한다. 본 연구에서는 원기둥, 원뿔, 파라볼라, 잘린 원뿔(truncated cone) 등의 형태에 따른 투과율 특성을 파악하여 최적구조가 파라볼라 형태임을 증명하였다. 또한 서브파장구조의 주기, 높이의 특성을 조절하여 공정 시의 종횡비(Aspect ratio)를 고려한 최적형태를 제안하였다. 중적외선 영역($3{\mu}m{\sim}5{\mu}m$)에서 일반 Silicon의 적외선 영역에서 평균 55%의 낮은 투과율을 보이나, 양면에 무반사 구조를 설계 하였을 때 평균 94%의 높은 투과율을 확인할 수 있다. 다양한 형태를 가진 무반사 실리콘 서브파장 구조물을 RCWA 방식으로 계산함으로서 특성을 파악하며 최적구조를 설계 할 수 있다. 또한 단면에 비하여 양면으로 SWSs 구조를 제작할 시 매우 두드러지는 투과특성을 확인할 수 있다. 고굴절율이지만 뛰어난 투과특성을 이용하여 초소형 적외선 카메라 렌즈 뿐만 아니라 적외선 광검출기, 광학 필터 등에 이용 가능할 것으로 예상된다.
An F/1.2 infrared optical system that involves two aspheric BD-2 lenses and an aspheric diffractive surface was designed over $8-14{\mu}m$ with a field angle of $15.2^{\circ}$. The system may be used in uncooled cameras and is analyzed using beam synthesis propagation (BSP). The diffractive surface is modeled as a physical surface with a given thickness, and results are compared with those obtained by conventional methods, such as the exit-pupil method and a method which superposes diffraction orders.
초박형 라이트필드 카메라 시스템은 이미지 센서 위에 렌즈 어레이를 부착하는 방식으로 만들어진다. 이러한 초박형 라이트필드 카메라는 하나의 이미지 센서를 여러 개의 sub-aperture가 나눠쓰는 방식으로 되어있어 개별 이미지의 분해능이 낮으며, sub-aperture 이미지들을 융합해 추가적인 분해능 향상이 수행되어야 한다. 본 연구에서는 초박형 라이트필드 카메라 시스템을 개발했으며, 개발된 카메라 시스템을 위한 실시간 분해능 향상 알고리즘을 개발, 실험을 통해 검증했다. 개발된 초박형 라이트필드 카메라는 두께 2mm, 24개(6×4)의 551×551 해상도의 sub-aperture로 구성되어 있으며, 임베디드 컴퓨팅 보드를 사용해 휴대가 가능하도록 제작되었다. 실시간 분해능 향상 알고리즘은 임베디드 컴퓨팅 보드의 GPU에서 병렬처리를 통해 라플라시안 피라미드 기반의 이미지 융합 알고리즘을 수행한다. 실험을 통해 검증한 결과로, 개발 시스템은 MTF50값이 평균 35% 정도 개선되었으며, 10.65fps의 처리속도로 실시간 처리가 가능함을 확인했다.
Optical simulation methods were applied to the edge-lit LED backlight for LCD TV applications in order to optimize the optical structure of the light guide plate(LGP), and thus to improve the uniformity properties by removing the bright spots caused by LED's. The edge-lit LED backlight consisted of three white LED's with a lamp cover, a light guide plate, and a reflection film. When there was no pattern on the entrance side surface of the LGP, the illuminance uniformity was sensitively dependent on the distance d between the LED and the entrance surface. The illuminance uniformity increased with d but its increasing rate slowed down when d was beyond ~ 1.5 mm. When micro-patterns such as a lenticular lens array (LLA) or a serration pattern were formed on the entrance surface, the illuminance uniformity was improved substantially even for the case of very small d. At the same simulation condition, the lightguide with serration pattern showed a better uniformity than that with LLA pattern. Additional improvement could be achieved by changing the refractive index of the micro-patterns. These results suggest that using micro-patterns is a very effective way to reduce the bright spots due to their refracting function for the concentrated incident rays onto the LGP.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.123-123
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2010
3족 질화물계 물질은 발광다이오드와 같은 광전자소자적용에 있어서 매우 우수한물 질이다.일반적으로, GaN 에피 성장에 있어서 저온 중간층을 삽입한 2 단계 성장 방법은 낮은 결함밀도와 균일한 표면을 얻기 위해 도입된 기술이다. 특히 AlN 중간층은 GaN 중간층과 비교하였을 때 결정성뿐만 아니라 높은 온도에서의 열적안정성, GaN 기반의 자외선 검출기서의빛 흡수 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 패턴 사파이어 기판위 GaN 에피 성장은 측면성장 효과를 통해 결함 밀도 감소와 광 추출 효율을 향상시키는 것으로 알려져 있다.또한 열응력으로 인한 기판의 휨 현상은 박막성장중 기판의 온도 분포를 불균일하게 만드는 원인이 되며 이는 결국 박막 조성 및 결정성의 열화를 유도하게 되고 최종적으로 소자특성을 떨어 뜨리는 원인이 되는데 AlN 중간층의 도입으로 이것을 완화시킬 수 있는 효과가 있다. 하지만, AlN 중간층이 패턴된 기판 위에 성장시킨 GaN 에피층에 미치는 영향은 명확하지 않다. 본 연구팀은 일반적인 c-plane 사파이어 기판과 플라즈마 건식 에칭을 통한 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판을 이용해서 AlN 중간층과 GaN 에피층을 유기금속 화학기상증착법으로 성장하였다. 특히, 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판은 패턴 모양과 패턴 밀도가 성장에 미치는 영향을 연구하기 위해 두가지 패턴의 사파이어 기판을 이용하였다. AlN 중간층 두께를 조절함으로써 최적화된 GaN 에피층을 90분까지 4단계로 시간 변화를 주어 성장 양상을 관찰한 결과, GaN 에피박막의 성장은 패턴 기판의 trench 부분에서 시작하여 기판의 패턴부분을 덮는 측면 성장을 보이고있다. 또한 TEM과 CL을 통해 GaN 에피박막의 관통 전위를 분석해 본 결과 측면 성장과정에서 성장 방향을 따라 옆으로 휘게 됨으로 표면까지 도달하는 결정결함의 수가 획기적으로 줄어드는 것을 확인함으로써 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다. 그리고 패턴밀도가 높고 모양이 볼록할수록 측면 성장 효과로 인한 결정성 향상과 난반사 증가를 통한 임계각 증가로 광추출 효율이 향상 되는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 최적화된 AlN 중간층을 이용하여 패턴 기판위에서 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다.
유리기판위에 큰 결정입자를 갖는 실리콘 (폴리 실리콘) 박막을 제조하는 것은 가격저가화 및 대면적화 측면 같은 산업화의 높은 잠재성을 가지고 있기 때문에 그동안 많은 관심을 가지고 연구되어 오고 있다. 다양한 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막을 만들기 위해 노력해 오고 있으며, 태양전지에 응용하기 위하여 연속적이면서 10um이상의 큰 입자를 갖는 다결정 실리콘 씨앗층이 필요하며, 고속증착을 위해서는 (100)의 결정성장방향 등 다양한 조건이 제시될 수 있다. 다결정 실리콘 흡수층의 품질은 고품질의 다결정 실리콘 씨앗층에서 얻어질 수 있다. 이러한 다결정 실리콘의 에피막 성장을 위해서는 유리기판의 연화점이 저압 화학기상증착법 및 아크 플라즈마 등과 같은 고온기반의 공정 적용의 어려움이 있기 때문에 제약 사항으로 항상 문제가 제기되고 있다. 이러한 관점에서 볼때 유리기판위에 에피막을 성장시키는 방법으로 많지 않은 방법들이 사용될 수 있는데 전자 공명 화학기상증착법(ECR-CVD), 이온빔 증착법(IBAD), 레이저 결정화법(LC) 및 펄스 자석 스퍼터링법 등이 에피 실리콘 성장을 위해 제안되는 대표적인 방법으로 볼 수 있다. 이중에서 효율적인 관점에서 볼때 IBAD는 산업화측면에서 좀더 많은 이점을 가지고 있으나, 박막을 형성하는 과정에서 큰 에너지 및 이온크기의 빔 사이즈 등으로 인한 표면으로의 damages가 일어날 수 있어 쉽지 않는 방법이 될 수 있다. 여기에서는 이러한 damage를 획기적으로 줄이면서 저온에서 결정화 시킬 수 있는 cold annealing법을 소개하고자 한다. 이온빔에 비해서 전자빔의 에너지와 크기는 그리드 형태의 렌즈를 통해 전체면적에 조사하는 것을 쉽게 제어할 수 있으며 이러한 전자빔의 생성은 금속 필라멘트의 열전자가 아닌 Ar플라즈마에서 전자의 분리를 통해 발생된다. 유리기판위에 다결정 실리콘 씨앗층을 제조하기 위하여 전자빔을 조사하는 방법과 Al을 이용한 씨앗층 제조법이 비교되어 공정 수행이 이루어진다. 우선, 전자빔 조사를 위해 DC 및 RF 스퍼터링법을 이용하여 ${\sim}10^{20}cm^{-3}$이상의 농도를 갖는 $p^+^+$ 비정질 실리콘 박막을 제조한다. Al의 증착은 DC 스퍼터링법을 이용하여 제조하고 그 두께는 실리콘 박막의 두께와 동일한 조건(350nm)으로 제조한다. 제조된 샘플은 E-beam gun이 달린 챔버로 이동하여 1.4keV의 세기를 가지고 각각 10, 20, 50, 100초를 조사한 후 단면의 이미지를 SEM으로, 결정화 정도를 Raman으로, 결정화 방향 등에 대한 조사를 XRD로 분석 측정한다. 그리고 Hall effect를 통해 전자빔의 조사 전후의 캐리어 농도, 이동도 및 비저항 등에 대한 조사가 이루어진다. 동시에 Al을 촉매로 한 layer교환에 대하여 마찬가지로 분석을 통하여 최종적으로 비교분석이 이루어 진다. 전자빔을 조사한 샘플에 대하여 빠른 시간 및 캐리어농도 제어 등의 우수성이 보이며, 특히 ~98%이상의 결정화율을 보일 것으로 예상된다.
The Sea:JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF OCEANOGRAPHY
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v.11
no.1
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pp.21-30
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2006
This study investigated the temperature-salinity spatio-temporal variability around the Ulleung-do Island (UI) by using CTD profiles obtained by the ARGO floats far the period of Oct.,2003 to Aug.,2005. The waterbody in the upper 700 m around the UI could be classified into five water masses, which is consistent to traditional water characteristics in the East Sea. In the upper surface layer, the temperature and salinity in fall season became even lower than those properties in the summer time. The East Sea Intermediate Water (ESIW) characterized by the salinity minimum layer shows the range of potential temperature between 1 to $5^{\circ}C$ and salinity lower than 34.06 psu. The ESIW lies approximately at 265 m depth with average thickness of 175 m. This thickness of the ESIW continues to be relatively uniform regardless of spatio-temporal space. However, the depth of the ESIW shows vertical variation influenced by the Ulleung warm eddy (UWE). Since the UWE lies in the upper layer, the Upper Portion of the Japan Sea Proper. Water (UPJSPW) is also affected to show the vertical variation. The influence extorted by the UWE reached down to 700 m depth in terms of temperature. The CTD profiles obtained with the high sampling rate by ARCO floats over two-year period provided with very useful and detailed informations in investigating the spatio-temporal variability In the study area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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