• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.110-110
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• 2011

현재 전력 반도체는 신재생/대체 에너지 시스템, 자동차/전기자동차, 디스플레이/LED 드라이브 IC 등과 같이 산업용뿐만 아니라 가정용에서도 그 수요가 급증하고 있다. 이러한 전력 반도체는 각 시스템에서 전력 변환, 분배 및 관리를 하는 역할을 하게 되는데, 이러한 전력 시스템에 적용되기 위해서는 고속 스위칭, 낮은 전력 손실 및 발열, 소형화 등의 특성이 요구되어진다. 이러한 특성을 만족하기 위해 현재 전력반도체는 수평형 소자에서 수직 형태로의 구조적 변경을 꽤하고 있으며, 또한 수직형 구조에서도 더욱 소형화와 고밀도 전류, 낮은 전력 손실 특성을 구현하기 위해 여러 가지 형태의 어레이 기술을 개발하고 있다. 본 연구에서는 사각 형태의 어레이 (square array, mesh type)를 가지는 수직형 TDMOS (Trench double diffused metal oxide effect transistor)에서 트렌치 부분을 중심으로 액티브 영역과 그 외각 영역의 도핑 농도와 접합 깊이의 변화에 따른 전기적 특성 변화를 파악함으로써 TDMOS의 안정적인 구동 영역을 확보하기 위한 연구를 수행하였다. 본 연구는 silvaco 시뮬레이션 툴을 이용하여 실제 소자 제작 공정과 유사한 형태로의 공정을 가상적으로 진행하고, 액티브 영역과 그 외각 영역의 도핑 및 접합 깊이를 결정하는 이온 주입량과, 후속 열처리의 온도와 시간 등을 변화함으로써 그 전기적 특성을 상호 비교하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.260-260
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• 2010

현대 사회가 고도의 정보화 사회로 변화하는 가운데 능동행렬 액정 표시 소자(AMLCD : Active Matrix Liquid Crystal Display)는 정보 디스플레이 분야에서 없어서는 안될 중요한 위치를 차지하게 됐다. AMOLED는 자체발광형이므로 LCD에 비해 시야각, contrast, 시인성이 우수하며, 화소를 낮은 전류 밀도로 구동시킨다는 장점이 있다. OLED 소자는 각 화소를 구동할 수 있는 박막 트랜지스타가 필요하며, OLED 소자와 결합된 TFT의 연구도 진행되고 있다. 더욱이 모바일 소자에서 낮은 구동 전압과 비용의 절감을 위해 System On Panels (SOP)에 대한 연구가 또한 진행되고 있다. LCD 패널위에 콘트롤러와 메모리와 같은 소자를 직접화시킴으로써 액정 표시 장치를 소형화시킬 수 있으며 신뢰성을 향상시킬 수가 있다. 본 연구에서는 SOP를 위한 ELA 방법을 통하여 결정화한 poly-Si TFT memory를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SP
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• v.45 no.2
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• pp.65-73
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• 2008

The characterization process for the accurate color reproduction in mobile phone with camera and LCD is popular. The camera and LCD characterization, gamut mapping process is necessary to map the camera's input color stimulus, CIEXYZ value, into the LCD's output color stimulus. Each characterization is the process estimating the relation between input and output signals. In case of LCD, because of output device, the output color stimulus for the arbitrary input signal can be measured by spectro-radiometer However, in the camera, as the input device, the characterization is an inaccurate and needs the manual works in the process obtaining the output signal because the input signal can not be generated. Moreover, after gamut mapping process, the noise is increased because the optimized gamma tone curve of camera for the noise is distorted by the characterization. Thus, this paper proposed the system of obtaining the output signal of camera and the method of gamma correction for the noise. The camera's output signal is obtained by RGB values of patches from captured the color chart image. However, besides the illumination, the error for the location of the chart in the viewfinder is generated when many camera modules are captured the chart. The method of correcting the position to correct the error from manual works. The position of camera is estimated by captured image. This process and moving of camera is accomplished repeatedly, and the optimized position can be obtained. Moreover, the lightness curve of camera output is corrected partly to reduce the noise from the characterization process.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.287.1-287.1
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• 2014

본 연구에서는 현재 디스플레이에서 가장 널리 이용되는 저온 polycrystalline silicon (poly-Si)의 결정화 방법에 따른 thin-film transistor (TFT)의 전기적 특성을 분석하였다. 분석에 이용된 결정화 방식은 Excimer Laser Annealing (ELA)와 Metal Induced Crystallization (MIC)이다. ELA와 MIC TFTs의 전기적 특성 측정을 통한 분석결과 ELA와 MIC poly-Si TFTs의 전기적 특성 [field-effect mobility (${\mu}_{FE}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), sub-threshold swing (SS)]은 큰 차이는 없지만, ELA를 이용한 poly-Si TFT의 전기적 특성이 조금 우수하다. 하지만, MIC poly-Si TFT의 경우 threshold voltage ($V_{TH}$)가 0V에 보다 가까울 뿐만 아니라, 전기적 스트레스를 통한 신뢰성 확인 시 ELA poly-Si TFT보다 조금 더 안정적이다. 이는 ELA의 경우 좁은 면에 선형 레이저 빔으로 조사하면서 생기는 hill-lock의 영향으로 표면이 거칠고 균일하지 못하여 바이어스 인가시 생기는 문제이다. 또한 MIC는 금속 촉매를 이용해 결정립 경계를 확장하고 결정 크기를 키워 대면적화에 유리하다. Thermal Stress에서는 (from 293K to 373K) TFT에 점차 높은 온도를 가하자 MIC poly-Si TFT의 경우 off 상태에서 누설 전류 값이 증가하며 열에 민감한 반응을 보이는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.141.2-141.2
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• 2014

크라이오 펌프는 반도체 임플란타 공정, OLED 분야, 신소재 개발, 표면분석 및 처리, 의료분야, 입자가속기, 핵융합 등 다양한 진공분야에 응용되는 고진공용 극저온펌프이다. 특히 향후 디스플레이 분야에서 OLED가 시장을 주도할 것으로 예상되는 가운데, 점점 대형화 되어가는 OLED 장비에 가장 적합한 고진공 펌프로써 크라이오 펌프가 주목을 받고 있다. OLED 디스플레이 제조공정 중에서도 화소형성 공정을 위한 챔버는 특별히 진동특성에 민감하다. 유기물 증착공정을 진행하기 위해서 글라스 전단에 쉐도우 마스크를 설치하는데, 글라스의 크기가 증가하면서 초래된 처짐문제 그리고 장비의 진동특성과 글라스와 마스크 사이의 간섭문제 등이 제품의 수율에 큰 영향을 미치면서 향수 시급히 해결해야 할 필수 과제로 주목 받고 있다. 그러나 대부분의 상용 크리이오 펌프는 G-M형식의 냉동기를 장착하기 때문에 그 원리 상 제조사에 관계없이 일반적으로 큰 진동특성을 가진다. 이에 GVT에서는 OLED 공정에 적합한 보다 정숙하고 진동특성이 개선된 550 mm구경의 크라이오 펌프 개발을 진행하였다. 그 결과 펌프의 성능은 동종 경쟁모델과 동등 이상의 수준을 유지하고 진동성분은 동종모델 대비 50%이상 개선된 펌프를 개발할 수 있었다. 그리고 시장에 보다 좋은 제품을 출시하기 위해서 현재 성능과 진동특성을 계속해서 튜닝 중에 있다. 진동개선은 크게 2가지 방향으로 진행되었는데, 첫째는 펌프 측면에서 진행한 것이고 둘째는 냉동기 측면에서 진행한 것이다. 후자는 현재 대외비로 개발을 진행 중에 있으며 본 발표에서는 전자에 관한 것으로 펌프 측면에서 진동특성을 개선한 부분이다. 결국 크라이오 펌프의 진동은 진동원인 냉동기에서 발생하는 것이므로 냉동기와 펌프를 구조적으로 고립시키는 방법을 사용하였다. 즉, 냉동기와 펌프 사이에 댐핑 시스템 플랜지를 장착하여 진동원인 냉동기로부터 진동성분이 펌프 측으로 전달되는 것을 차단한 것이 본 기술의 핵심이다. GVT에서는 당 기술로 국내특허등록을 완료하였다(특허-10-1289394_진동 저감을 위한 댐핑 플랜지 조립체 및 이를 갖는 크라이오 펌프).

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.51 no.1
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• pp.179-184
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• 2014

The discharge characteristics of an open dielectric structure were investigated, especially such as a firing voltage and related wall voltage, compared with conventional panel structure based on the Vt close curve measurement in AC plasma display panel. While the front panel of the conventional structure in AC plasma display panel was composed of the glass, electrodes, and dielectric, the open dielectric structure could easily produce the discharge between the scan and the sustain electrodes by erasing the dielectric layer between two electrodes. As the open dielectric structure differ from the conventional structure, various problems were produced when driving with the conventional driving waveform. Especially, due to the changes in the discharge firing characteristics of the open dielectric structure between the scan and the sustain electrodes on the front panel, the conventional reset waveform including the address waveform needed to be modified. In this study, the Vt close curves were measured to compare the discharge firing voltages on three electrodes in the conventional and open dielectric structure and based on the Vt close curve analysis, the modified driving waveform suitable for the open dielectric structure was proposed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.244-244
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• 2010

최근 활발히 연구되고 있는 AMOLED는 평판 디스플레이 분야를 이끌어 갈 차세대 선두 주자로 크게 주목 받고 있다. AMOLED는 전압 구동 방식인 AMLCD와 다르게 전류 구동 방식으로 a-Si TFT 보다 LTPS-TFT 사용이 요구되며, 대면적 기판으로 갈수록 결정립의 균일도가 매우 중요한 인자로 작용한다. 현재 양산이 가능한 AMOLED는 핸드폰이나 15인치 TV정도로 크기가 소형이며 대형 TV나 컴퓨터 모니터 등을 양산하기 위해 많은 방법이 시도되고 있다. 양산체제에서 사용되는 결정화 방법으로는 ELC가 가장 많은 부분을 차지하고 있다. 그러나 레이저를 사용하는 ELC 방법은 대면적으로 갈수록 레이저 빔 자체의 불균일성, shot to shot 불균일성, 레이저빔 중첩의 부정확도 등으로 인한 균일도의 부정확성이 커짐으로 인한 mura 현상이 나타나고 레이저 장비의 사용에 대한 비용 부담을 피할 수 없다. 따라서 non-laser 방식에 결정화 방법이 요구되나 SPC 경우는 상대적으로 고온에서 장시간이 걸리고, MIC 뿐만 아니라 MIC 응용 방법들은 금속 오염에 대한 문제가 발생하고 있는 실정이다. 이러한 문제로 인하여 결정립 크기의 균일도가 우수한 다결정 실리콘 박막을 제조하는 신기술에 대한 필요성이 매우 높은 실정이다. 본 연구에서는 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기 도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열로 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정을 개발하였다. 본 공정은 상온에서 수 micro-second 내에 결정화를 수행하는 것이 가능하며 도전층과 실리콘 박막 사이에 barrier층 삽입를 통하여 금속 오염을 막을 수 있으며 공정적인 측면에서도 별도의 chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 JIC 결정화 공정 조건에 따른 결정화 기구 및 JIC poly-Si의 미세구조 및 물리적 특성에 관한 논의가 이루어질 것이다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.16 no.9
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• pp.6227-6235
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• 2015

The HUD has recently been downsized due to the development of micro display and LED technology as a see through information display device, gradually expands the application areas. In this paper, using a DLP micro display device designed a compact head-up display(HUD) optical system for biocular observation of the image exhibition area 5 inches. It was analyzed for each design element of the optical system in order to design a compacted HUD. DLP, projection optical system and concave image combiner were discussed the design approach and the characteristics. Through a connection structure analysis of each optical system, detailed design specifications were set up and designed the optical system in detail. Put a folded configuration in the form of a white diffuse reflector between the projection lens and concave image combiner was designed to be independent, respectively. Distance of the projected image is adjustable up to approximately 2m ~ infinity and observation distance is 1m. Resolution could be recognized by 1 ~ 2pixels in HD($1,280{\times}720pixels$) class, various characters and symbols could be read. In addition, color navigation map, daytime video camera and thermal imaging cameras can be displayed.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.51 no.8
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• pp.167-171
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• 2014

While the development of a portable plate panel display, thinning, high color reproduction, high brightness studies have been actively performed. LED, OLED is used as a light source. The research on quantum dot is much accomplished by the material of light source. Such quantum dot is the next generation semiconductor nano fluorescent substance because quantum dot has the high color reproduction and flexible display characteristic. In this study, we presented to method of using the quantum dot for implementation of the plate panel display. Quantum Dot (CdSe/ZnS), having a 100um thickness, is spread in PET barrier film. A Blue LED having a wavelength of 455nm as a light source irradiating light to the optical characteristic of the devices produced and evaluated. Also we presented the possibility for application with the color change film of the LCD.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.8 no.4
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• pp.738-742
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• 2007

The variations in the device characteristics of hydrogenated amorphous thin-film transistors (a-Si:H TFTs) were studied according to the processes of pixel electrode fabrication to make active-matrix flat-panel displays. The off-state current was about 1 pA and the switching ratio was over $10^6$ before fabrication of pixel electrodes; however, the off-state current increased over 10 pA after fabrication of pixel electrodes. Surface treatment on SiNx passivation layers using plasma could improve the off-state characteristics after pixel electrode process. $N_2$ plasma treatment gave the best result. Charge accumulation on the SiNx passivation layer during the deposition of transparent conducting layer might cause the increase of off-state current after the fabrication of pixel electrodes.