• Journal of the Korean Wood Science and Technology
• /
• 제42권3호
• /
• pp.251-257
• /
• 2014

거대억새의 활용방안을 찾기 위하여 거대억새 파티클로 보드를 제조한 후 수지함침율 50%일 때 탄화온도 $600{\sim}1,200^{\circ}C$별로, 탄화온도 $800^{\circ}C$일 때 수지함침율 30~60%별로 탄화하여 세라믹을 제조한 후 물성을 조사하였다. 탄화온도가 증가함에 따라 탄화 후 밀도, 두께감소율, 길이감소율 및 중량감소율도 증가하였다. 수지함침율이 증가함에 따라 탄화 후 밀도, 길이감소율 및 중량 감소율은 증가하였으나 두께감소율은 감소하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
• /
• 제45권3호
• /
• pp.335-342
• /
• 2017

본 연구는 제재과정에서 발생하는 톱밥과 농업부산물인 귤박의 새로운 활용 방안을 찾기 위하여 수행되었다. 귤박 혼합율 및 밀도별로 혼합보드를 제조한 후 수지함침율, 탄화온도 및 귤박혼합율별로 세라믹화 하여 물리적 성질을 조사하였다. 수지함침율이 증가할수록 두께와 길이감소율 및 밀도는 증가하였고, 중량감소율은 감소하였다. 탄화온도가 증가할수록 중량감소율은 증가되었고, 길이와 두께 감소율은 $1000^{\circ}C$까지 증가하고 그 이후의 증가는 완만하였다. 귤박혼합율이 높을수록 중량과 두께 및 길이 감소율은 감소하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
• /
• 제33권3호통권131호
• /
• pp.38-44
• /
• 2005

소나무, 낙엽송 및 잣나무 간벌재로 톱밥보드를 만든 후 소성시 승온속도와 최고온도에서 유지시간을 달리하여 우드세라믹을 제조하고 그 물성을 조사하였다. 승온속도가 빠를수록 밀도 및 두께감소율은 감소하였고 길이감소율 및 중량 감소율은 증가하였다. 최고온도에서 유지시간이 증가할수록 길이감소율 및 두께감소율은 증가하였다. 열전도성은 승온속도 $2^{\circ}C/min$와 최고온도에서 유지시간 2시간일 때의 조건으로 제조된 우드세라믹이 가장 우수하였다.

• 한국안광학회지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.49-52
• /
• 2008

목적: 이 논문은 다양한 두께에 따른 니켈박막에 대한 광투과율을 연구한 논문이다. 방법: 다양한 두께를 가진 니켈박막을 통과하는 광투과율을 측정하였다. 결과: 열증착법으로 만든 니켈박막을 통과하는 광투과율의 두께의존성을 연구하였다. 니켈박막의 두께가 70 nm 이하인 경우에 니켈의 박막두께가 증가할수록 광투과율이 급격히 감소하는 경향을 보였고, 70 nm 이상의 경우에는 박막의 두께가 증가할수록 선형적으로 조금씩 감소하는 모습을 보여주었다. 광분산에 대한 실험에서는 빛의 입사하는 방향으로 대부분의 빛이 투과되었다. 이 결과로부터 니켈박막에서는 빛의 분산현상이 거의 없다는 것을 확인할 수가 있었다. 결론: 니켈박막두께가 증가할수록 광투과율이 급격히 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.280-281
• /
• 2012

차세대 디스플레이에서 3차원 감성 터치 또는 플렉시블 기판 등에 사용되고 있는 ITO(Tin-doped Indium Oxide) 박막은 고 해상도 및 소자 효율 향상을 위해 전 가시광 영역에서 높은 투과율이 요구되고 있다. 일반적으로 ITO 박막은 두께 감소에 따라 빛의 두께 산란 없이 전 가시광 영역에서 높은 투과율을 가지는 반면, 두께가 감소할수록 박막 성장 시 비정질 기판의 영향을 크게 받아 박막 결정성 감소와 더불어 전기전도성이 감소되는 경향을 보인다. 특히, 매우 얇은 두께에서의 ITO 박막 물성은 초기 박막 핵 생성 및 성장과 증착 공정 중에 발생하는 고 에너지 입자(산소 음이온, 반사 중성 아르곤 등)의 박막 손상에 대한 영향을 크게 받을 뿐만 아니라 ITO 박막 내의 SnO2 도핑함량에도 매우 의존한다. 따라서, 매우 얇은 두께에서 높은 투과율과 뛰어난 전기전도성을 동시에 가지는 고품질 ITO 초박막 제조를 위해서는 박막 초기 핵 성장 제어기술 및 SnO2 함량에 따른 ITO 초박막의 전기적, 광학적 거동에 관한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 다양한 SnO2 함량에서 고품질의 ITO 초박막을 DC/RF 중첩형 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 박막 증착 중에 발생하는 고에너지 입자의 기판충격으로 인한 박막손상을 최소화하여 증착된 박막의 전기적, 광학적 특성 및 미세구조를 관찰하였다. 그리고 전체파워에서 RF/(RF+DC) 비율을 제어하여 증착한 ITO 초박막의 물성을 최적화 하였으며, 상온 및 결정화 온도 이상에서 다양한 SnO2 함량을 가진 ITO 박막을 두께(150 nm, 25 nm)에서 각각 증착하여 전기적, 광학적 거동 및 XRD를 통한 박막의 미세구조 변화를 비교 분석하였다. 그리고 증착된 모든 ITO 초박막에서 가시광 투과율은 빛의 두께 산란 없는 높은 투과율(>85 %) 을 보이는 것을 확인 할 수 있었다. 증착된 ITO 박막의 전기적 특성 및 미세구조는 RF/(DC+RF)비율 50%에서 최적임을 확인하였다. 이는 RF/(DC+RF) 비율 증가에 따른 캐소드 전압 최적화로 박막의 초기 핵 성장 과정에서 기판상의 고에너지 입자로 인한 박막 손상의 감소 및 리스퍼터 되는 산소량을 최적화 시키고, 이는 박막의 결정성 향상으로 이어져, 박막내의 결함 밀도 감소 및 SnO2 고용 효율을 증가시켜 전기전도성 향상에 기인하였다고 판단된다. 또한, 증착된 ITO 초박막은 SnO2 함량 변화에 따라 박막의 결정성 및 전기적 특성에서 미세한 변화를 보였다. 이러한 ITO 박막의 물성변화는 박막 두께 감소에 따른 결정성 감소와 함께 SnO2의 고용 한계 변화로 인한 것으로 판단된다. 또한, RF/(DC+RF) 비율의 증가에 따른 ITO 초박막의 전기적, 광학적 및 미세구조는 Vp-Vf의 변화와 관련하여 설명되어 진다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.156-156
• /
• 2009

전자기기의 Slim화에 따라 부품 일장용 Board 기판의 두께도 날로 감소해지고 있다. 이와는 정 반대로 기판의 층수는 더 늘어나고 있다. 이에 따라 기판의 구성요소인 절연재의 두께도 감소하고 있다. 전자기기는 각각의 Module이 저항을 가지는데 이를 matching하기 위해서 각 module이나 package가 가지는 저항값을 상호 비슷하게 맞춘다. 하지만, 기판의 절연재의 두께 감소는 이러한 저항값이 낮아지게 한다. 이렇게 낮아진 저항값을 높이기 위해서는 전도체의 폭을 줄여야 한다. 하지만, 이렇게 전도체의 폭을 줄이는 것은 기판 제작 비용의 상승 및 제작 물가에 이르게 할 수 있다. 이를 해결하기 위해서는 절연재의 유전율을 낮추는 것이 가장 효과적이다. 본 연구에서는 PCB 기판의 유전율을 낮추기 위해 Liquid Crystalline Polymer(LCP)에 PTFE powder를 넣어 기판 재료의 가능성을 조사하였다. 유전율은 PTFE의 첨가량이 증가함에 따라 감소하여 40wt% 첨가할 경우 유전율이 2.4 정도로 낮아졌다. 이에 반해 열팽창계수는 증가가 크지 않고 peel strength는 감소함을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제23권5호
• /
• pp.218-223
• /
• 2013

본 연구에서는 LCD 또는 LED를 이용한 디스플레이 장치의 BLU 반사판으로 사용할 목적으로 무전해도금에 의하여 플라스틱 기판위에 성장되어진 은 나노코팅의 반사율 특성을 조사하였다. 은 나노코팅의 미세구조는 아주 미세한 나노크기의 은 결정들로 이루어진 다결정 나노코팅인 것을 확인할 수 있었으며 코팅 층의 두께가 증가함에 따라 환원, 석출된 은 나노결정입자의 크기도 비례하여 증가되었다. 은 나노코팅의 두께가 증가함에 따라 가시광선 영역의 반사율이 감소하였으며 파장이 짧을수록 반사율의 감소가 더 심하였다. 나노코팅의 두께 증가에 따른 반사율의 감소는 환원 석출된 은나노결정의 크기와 밀접하게 관련된 것으로 은 결정입자가 클수록 요철의 정도가 심하여 반사율이 감소하는 것으로 생각되어진다. 그래서 가능한 미세한 은 나노결정을 환원, 석출시키고 코팅두께를 얇게 하는 것이 반사율 관점에서 바람직한 것으로 판단되어진다.

• 한국자기학회지
• /
• 제4권3호
• /
• pp.208-213
• /
• 1994

복합 Ferrite 전파흡수체의 성능은 두께가 얇으며 대역폭이 넓을수록 우수하다. 본 연구에서는 복합 Ferrite 전파흡수체의 정합두께를 감소시키기 위하여 Ferrite-Iron-Rubber 복합체를 제조하고 그 특성을 고찰하였다. ${\alpha}-Fe$ 분말의 첨가에 의하여 복합체의 유전율 실수항과 투자율 실수항이 증가하여 정합주파수와 정합두께의 고하기 항인 $f_{m}.d_{m}$ 항이 감소하였고, 3~17 GHz의 주 파수 범위에서 Ferrite-Rubber 복합체에 비하여 정합두께가 0.5 mm~2 mm 정도 감소함을 확인할 수 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
• /
• pp.50.1-50.1
• /
• 2010

결정질 실리콘 태양전지의 원가에서 Wafer는 60~70%의 매우 높은 비중을 차지하고 있다. 많은 연구들이 원가 절감을 위하여 Wafer의 두께를 감소시키는 것에 집중하고 있다. 그러나 Wafer 두께의 감소는 태양전지의 효율 감소와 공정 진행 중에 파손율이 상승하는 등의 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 결정질 태양전지 구조 중에서 24.7% 이상의 최고 변환 효율을 갖는 PERL(Passivated Emitter, Rear Locally diffuse) 구조를 대상으로 wafer 두께 감소에 따른 변환 효율 감소의 원인과 해결 방안을 제시하고자 한다. Simulation으로 확인한 결과 370 um 두께의 wafer에서 24.2 %의 효율은 50 um 두께의 wafer에서는 20.8 %로 감소함을 확인할 수 있었다. 얇아진 wafer에서 감소한 효율을 개선하기 위하여 후면 recombination velocity, 후면 fixed charge density, 후면 산화막 두께 등을 다양화하여, 각각의 경우에 대한 cell의 효율 변화를 살펴보았다. 그 결과 후면 recombination velocity, 후면 fixed charge density, 후면 산화막 두께를 최적화 하여, 각각 2.8 %p, 1.5 %p, 2.8 %p의 효율 개선 효과를 얻었다. 위 세 가지 효과를 동시에 적용하면 50 um wafer에서 370 um wafer 효율의 결과와 근접한 24.2 %의 효율을 얻을 수 있었다. 향후에는 위의 결과를 바탕으로 실제 실험을 통하여 확인할 계획이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.107-107
• /
• 2000

최근 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화의 경향에 다라 MOSFET 소자 제작에 이동되는 게이트 산화막의 두께가 수 nm 정도까지 점점 얇아지는 추세이고 Giga-DRAM급 차세대 UNSI소자를 제작하기 위해 5nm이하의 게이트 절연막이 요구된다. 이런 절연막의 두께감소는 게이트 정전용량을 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압동작을 가능하게 하기 때문에 게이트 산화막의 두께는 MOS공정세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 따라서 절연막 두께는 소자의 동작 특성을 결정하는 중요한 요소이므로 이에 대한 정확한 평가 방법의 확보는 공정 control 측면에서 필수적이다. 그러나, 절연막의 두께가 작아지면서 게이트 산화막과 crystalline siliconrksm이 계면효과가 박막의 두께에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵고 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 난다. 따라서 차세대 반도체 소자의 개발 및 양산 체계를 확립하기 위해서는 산화막의 두께가 10nm보다 작은 1nm-5nm 수준의 박막 시료에 대한 두께 계측 방법이 확립이 되어야 한다. 따라서, 본 연구에서는 습식 산화 공정으로 제작된 3nm-7nm 의 게이트 절연막을 현재까지 알려진 다양한 두께 평가방법을 비교 연구하였다. 절연막을 MEIS (Medim Energy Ion Scattering), 0.015nm의 고감도를 가지는 SE (Spectroscopic Ellipsometry), XPS, 고분해능 전자현미경 (TEM)을 이용하여 측정 비교하였다. 또한 polysilicon gate를 가지는 MOS capacitor를 제작하여 소자의 Capacitance-Voltage 및 Current-Voltage를 측정하여 절연막 두께를 계산하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다