• Korean Journal of Crystallography
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• v.10 no.1
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• pp.83-87
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• 1999

부유대용융법에 의하여 전이금속, 희토류금속, 및 3A족 금속이온의 종류와 농도를 조절하면서 Rutile 단결정을 성장하였으며, 결정결함과 1.55 ㎛에서의 광 투과도에 미치는 각 불순이온의 영향을 조사하였다. 주입된 불순이온 중에서 양호한 결정형을 나타내는 이온은 V5+, Fe3+, Al3+, Zr4+, Ga3+, Sc3+이었으며, Al3+, Zr4+, Sc3+ 이온은 우수한 투과도를 나타내었다. 성장된 결정 중에서 가장 양호한 결정형을 제공하고, 산소결핍 및 low-angle grain boundaries의 형성을 최대로 억제하며, 양호한 투과도를 나타낸 우수한 품질의 Rutile 단결정은 TiO2 99.4 at%-Al2O3 0.6 at%로 평가되었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.2
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• pp.111-118
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• 1994

Silicon single crystals were continuously grown by a modified process. Polycrystalline silicon powder was fed from the top reservoir to the growth chamber. Silicon single crystals were grown from the botton of the growth chamber. The balance between the gravitational force of melt and the centrifugal force originated from the rotation of seed was the one of the main factors to control the diameter of crystals grown and quality, etc.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.05c
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• pp.208-211
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• 2001

Hot wall epitaxy 법으로 GaAs(100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mn_xTe(0{\leq}x{\leq}1)$ 단결정 박막을 성장하였다. XRD 스펙트럼으로부터 $Zn_{1-x}Mn_xTe$ epilayer들이 전 영역에 걸쳐 zincblende 구조임을 알았다. double crystal rocking curve(DCRC)로부터 격자상수를 계산하고 이훌 이용하여 조성비를 계산하였다. ZnMnTe 단결정 박막의 DCRC 반치폭은 Mn 조성비가 증가함에 따라 급격하게 증가하다가 포화되는 모습을 나타내었다

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.5 no.4
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• pp.287-293
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• 1995

자성물질의 자구를 관측하고, 표면의 자기전하를 측정하는 간단하면서도 정량적인 방법을 제시하였다. 관측방법은 자기 garnet film을 사용하며, 이 방법을 이용하여 {100} 철단결정 표면의 자구를 관측할 수 있었다. garnet film의 자구는 garnet 면과 수직한 자기장에 의해서만 변하고 임계 자기장에서는 사라진다. 그러나, 철단결정의 자구는 단결정 표면에 평행하게 걸어준 자기장에 대하여서는 영향을 받지만 수직하게 가한 자 기장에는 아무런 영향을 받지 않는다. 위와 같이 성질을 이용하여 철단결정과 평행한 자기장을 가할 때 철단결정의 자구에 유도된 전하에 인하여 garnet film의 자구가 변화하며, 이 garnet film의 자구는 편광된 빛을 이용하여 직접 관측할 수 있다. 이 방법으로 철단결정의 표면에 유도 되는 자기전하 분포를 측정할 수 있었고, 또한 단결정에 걸어준 전류가 변할때 단결정 자구의 움직임을 관측할 수 있었다. 이 관측한 결과 를 이용하여 철단결정에 전류를 가할 때의 비대칭적으로 유도되는 교류 자기감수율 실험의 결과를 설명할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.95-95
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• 2010

나노 크기에서 존재하는 Grain Boundary나 Dislocation과 같은 결함들은 거시적인 물성을 크게 좌우하는 요인들이 되기도 한다. 또한 다결정을 이루고 있는 입도(Grain Size)에 따라 기계적인 강도 특성도 달라지는데, 금속의 경우에 입도가 비교적 큰 영역(d > $d_c$)에서는 입도가 작고 균일해지면서 강도가 증가하는 'Hall-Petch 효과'를 보인다. 반면 입도가 작은 영역(d < $d_c$)에서는 입도가 줄어들 때 강도가 감소하는 경향을 보이는데 이를 '역 Hall-Petch 효과'라고 한다. 본 연구에서는 분자 동역학을 이용한 단결정과 다결정의 Si에 대한 기계적 성질에 대해 조사한다. 입도와 온도 변화에 따른 단결정 Si와 다결정 Si의 Strain-Stress Curve와 Young's Modulus, Yield Point에 대해 관찰하고 특이점을 제시한다. 이를 통해 나노 영역에서의 기계적 성질의 예측과 거시적 영역에서의 성질의 연관성을 추구한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.155-156
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• 2007

본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 빛의 반사율을 최소화하기 위해서 단결정 실리콘 기판 표면에 다공성 실리콘층을 적용하여 반사방지막(Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서, 기판 성질에 따라 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면에 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 낮출 수 있다. 본 연구는 일정한 면저항을 가지는 단결정 실리콘 기판에 다공성 실리콘층을 여러 조건으로 형성하여 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.24 no.3
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• pp.71-75
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• 2014

Ground state energy levels of the $Fe^{3+}$ paramagnetic impurity ion in stoichiometric $LiTaO_3$ and in congruent $LiTaO_3$ single crystals were calculated with electron paramagnetic resonance constants. Energy levels between six energy levels were obtained with spectroscopic splitting parameter g and zero field splitting constant D for $Fe^{3+}$ ion. The energy diagrams of $Fe^{3+}$ ion were different from different magnetic field directions ([100], [001], [111]) when magnetic field increases. The calculated ZFS energies of $Fe^{3+}$ ion in stoichiometric and congruent $LiTaO_3$ single crystals for ${\mid}{\pm}5/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}3/2$ > and ${\mid}{\pm}3/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}1/2$ > transitions were 12.300 GHz and 6.150 GHz, and 59.358 GHz and 29.679 GHz, respectively. It turns out that energy levels of $Fe^{3+}$ paramagnetic impurity in $LiTaO_3$ crystal are different from different crystal growing condition.

• The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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• v.20 no.1
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• pp.31-36
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• 2008

Purpose: X ray irradiates material for dose distribution confirmation through material color variation to evaluate about possibility. Materials and Methods: That is rare earth material to pure KCl and KCl impurity Eu adding 0.5mol% by Czochralski method each single crystal grow and observed color variation of KCl X ray irradiation use of linear accelerator. Results: High energy X ray irradiation KCl:Eu show the blue fluorescence with purple color that pure KCl single crystal can confirm by show was not observed, but was colored violet. Conclusion: Colors variation of KCl founds stable color center from radiation and this color variation will be used usefully to X ray measurement material and phantom.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.15 no.1
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• pp.1-9
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• 2005

A stoichiometric mixture of evaporating materials for AgGaS₂ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, AgGaS₂ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were 590℃ and 440℃, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the AgGaS₂ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, E/sub g/(T) = 2.7284 eV - (8.695×10/sup -4/ eV/K)T²/(T + 332 K). After the as-grown AgGaS₂ single crystal thin films was annealed in Ag-, S-, and Ga-atmospheres, the origin of point defects of AgGaS₂ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of V/sub Ag/, V/sub s/, Ag/sub int/, and S/sub int/ obtained by PL measurements were classified as a donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the Ag-atmosphere converted AgGaS₂ single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in AgGaS₂/GaAs crystal thin films did not form the native defects because Ga in AgGaS₂ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.4
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• pp.202-209
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• 2002

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CuInSe_2$single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuInSe_2$compound crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuInSe_2$single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the $CuInSe_2$single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting $\Delta$So and the crystal field splitting $\Delta$Cr. From the photoluminescence measurement on $CuInSe_2$single crystal thin film, we observed free exciton ($E_x$) existing only high quality crystal and neutral bound exciton ($A^{\circ}$, X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at-half-maximum (FWHM) and binding energy of neutral donor bound exciton were 7 meV and 5.9 meV, respectivity. By haynes rule, an activation energy of impurity was 59 meV.