• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.105-109
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• 2006

[ $500^{\circ}C$ ]에서 30초 동안 급속 열처리 하여 니켈실리사이드를 형성하고 니켈실리사이드의 후속 공정시의 열 안정성을 개선 시키기 위해 $SiO_2$ 박막을 FECVD로 증착하였다. 실리사이드의 열 안정성은 면저항 측정을 통하여 평가하였다. 후속 열처리 시 $SiO_2$ 보호층을 증착한 경우 열 안정성이 개선 되었다. 이 이유를 알아보기 위해 열처리 전후의 스트레스를 측정하였다. 그 결과 후속열처리 시 $SiO_2$ 보호층이 없을 때는 열처리 전과 후의 스트레스 큰 차이가 없었으나 $SiO_2$ 보호층이 있을 매는 스트레스가 크게 감소하였다. 이 스트레스의 감소가 니켈실리사이드의 응집현상을 억제하여 니켈실리사이드의 열 안정을 개선시키는 이유라고 판단된다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1999.11a
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• pp.58-58
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• 1999

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2011.12a
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• pp.140-141
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• 2011

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.08a
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• pp.154-154
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• 2006

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.27 no.1
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• pp.44-49
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• 2010

본 논문에서는 6,13-bis (triisopropylsily lethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) 유기 박막 트랜지스터에 니켈 버퍼층을 적층했을 때의 효과를 연구하였다. 니켈 (Nickel) / 은(Silver) 소스 드레인 전극은 은 (Silver) 전극이 단독으로 쓰일 때 보다 에너지 레벨차이를 줄여 캐리어의 주입이 더 잘되도록 도와주므로써 전기적 특성을 향상 시켜준다. 또한 유기 게이트 절연체의 추가로 TIPS-pentacene 은 규칙적 배열된 형태를 가지므로써 소자 성능의 향상을 가지고 온다. 제작한 유기박막트랜지스터 에서 $0.01\;cm^2$의 포화영역 이동도를 얻을 수 있었으며, 또한 드레인 전압을 50 V로 하고 게이트 전압을 20 V에서 -50 V 까지 인가하였을 때 $2{\times}10^4$의 전멸 비를 얻을 수 있었다. 이러한 결과를 polyethylene terephthalate (PET) 기판을 이용한 유연한 OTFTs 에 적용시켜본 결과 유리기판위에 제작했을 때와 비슷한 성능을 얻음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.240-243
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• 2004

Bias인가된 Hot filament CVD방법을 이용해 Ni을 RF sputtering법으로 고속도강에 피복하여 중간층으로 한후 다이아몬드 박막을 피복할 때 기판온도. Bias인가효과 및 계면층의 특성을 조사하였다. 증착시 Bias인가 할 경우 필라멘트에서 전자방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진하였으며 본 실험에서 최적조건은 증착압력 20~40 torr, Bias인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났으며 강에의 다이아몬드 박막 형성시 Ni은 중간층으로써 적합한 원소로 나타났다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1400-1402
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• 2002

금속유도 측면 결정화 (Metal Induced Lateral Crystallization; MILC)를 통하여 형성한 다결정 실리콘 박막에 엑시머 (excimer) 레이저를 조사하여 우수한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제작하였다. MILC 공정 중에 형성되는 금속 유도 결정화 (Metal Induced Crystallization; MIC) 실리콘 박막은 다량의 Ni을 함유하고 있기 때문에, 이에 인접한 MILC 실리콘 박막 내에는 니켈 농도의 점진적인 차이가 발생한다. MILC 다결정 실리콘 박막 내의 Ni 농도 차이는 실리콘 박막의 용융점 차이를 유발하여 레이저 결정화 시에 매우 큰 실리콘 결정립의 성장을 유도한다. 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 레이저 결정화 방식으로 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비하여 40% 향상된 전계효과 이동도를 나타내었다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.25 no.8
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• pp.88-95
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• 2008

Young's modulus of electroplated nickel thin film is systematically investigated using the resonance method of atomic force microscope. Thin layers of nickel to be measured are electroplated onto the surface of an AFM silicon cantilever and Young's modulus of plated nickel film is investigated as a function of process conditions such as the plating temperature and applied current density. It is found that Young's modulus of plated nickel thin film is as high as that of bulk nickel at low plating temperature or low current density, but decreases with increasing plating temperature or current density. The results imply that the plating rate increases as increasing the plating temperature or current density, therefore, slow plating rate produces a dense plating material due to the sufficient time fur nickel ions to form a dense coating.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2003.04a
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• pp.1321-1325
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• 2003

Nickel thin film is one of the most important materials used in micromachined structure. To measure the mechanical properties of electroplated nickel thin film, two techniques are adopted and compared quantitatively with. One is nano-indentation test to measure the elastic modulus. The other is tensile test to measure not only elastic modulus but also yield strength and plastic deformation, ultimate strength. To perform the tensile test, the test apparatus was constructed with linear guided servo motor for actuation, load cell for force measurement and dual microscope for strain measurement.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.28 no.11
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• pp.1727-1732
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• 2004

A nickel layer was deposited onto the PZT thin films, serving both as a selective radiation absorption layer and as a top electrode. The absorption properties of such nickel coated multi-layered infrared detectors were studied in the visible and infrared wavelength ranges. The optimal thickness of the nickel layer on our substrate was 10nm. The maximum absorption coefficient of the deposited 10nm thick nickel layer was 0.7 at a 632nm wavelength. However, a striking asymmetric polarization hysteresis loop was observed in these PZT thin films with nickel as the top electrode. This asymmetric polarization was attributed to the difference between the dynamic pyroelectric responses in these Ni/PZT/Pt films poled either positively or negatively before the measurement. A positively poled film showed a 40% higher voltage response than a negatively poled detector.