• 전자공학회논문지T
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• 제35T권1호
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• pp.29-32
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• 1998

실리콘 산화막에서 저레벨 누설전류를 조사하였다. 저레벨 누설전류는 전이요소와 직류요소로 구성되어 있다. 전이요소는 스트레스에 의해 두 계면트랩 가까이 발생된 트랩의 충방전에 의한 터널링으로 나타났으며 직류요소는 산화막을 통한 트랩 어시스트 터널링으로 나타났다 그리고 저레벨 누설전류는 산화막에서 발생된 트랩의 수에 비례하였다. 저레벨 누설전류는 트랩의 충방전 누설전류이며 비휘발성 소자의 데이터 유지능력에 영향을 주었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.479-481
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• 2003

송전용 애자의 누설전류 측정을 위한 실증 시험장치로 애자의 누설전류 특성에 관한 조사를 하였다. 자기, 유리 및 폴리머 애자에 선간전압 154 [kV]의 전압을 인가하여 바닷가 주위에서 누설전류 파형과 일일 누설전류 및 외부 환경적 parameter들과의 상관 관계에 대하여 고찰하였다. 그 결과 자기 및 유리애자는 습기가 높은 새벽과 밤에는 높은 누설전류가 나왔으며 폴리머 애자는 hydrophobicity의 특성 때문에 환경적 변화에 크게 영향을 받지 않았다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2019년도 전력전자학술대회
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• pp.386-387
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• 2019

본 논문에서는 단상 컨버터/3상 인버터 시스템에서 공통모드에 의한 누설전류를 분석하였다. 컨버터/인버터 시스템의 공통모드 전압은 시스템에 존재하는 기생 임피던스를 충방전함으로써 수 A의 누설전류를 발생시킨다. 이에 본 논문에서는 단상 컨버터/3상 인버터 시스템에서 컨버터 입력 측 변압기와 전동기의 기생 임피던스를 고려하여 누설전류를 분석하였으며, 누설전류를 감소하기 위해 공통모드 전압 저감하는 방법을 제안한다. 모의실험을 통하여 제안된 기법에 의한 누설전류의 저감효과를 확인하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.64-65
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• 2014

신재생에너지원의 급속한 보급, 고신뢰 및 고효율 전원망에 대한 고객의 요구, 디지털부하의 급증 등 기술적 사회적 환경의 변화에 따라 직류배전망에 대한 관심이 높아지고 있다. 이에 따라 직류배전망의 안전성에 대한 문제도 지속적으로 제기되고 있다. 특히 지락, 단락사고, 절연고장, 낙뢰, 아크, 전식 등으로부터 인체 감전과 기기의 소손, 정지 또는 오동작이 발생될 수 있으며 이로 인해 심각한 문제를 야기될 수 있다. 국제표준 IEC 60364에서는 전기설비에 따른 접지시스템을 TT, TN 및 IT접지의 3가지로 분류하고 있다. TN접지방식은 전원선과 설비외함의 노출 도전부를 보호도체를 사용하여 공통으로 접지하는 계통을 말한다. 따라서, 전원선이 외함에 접촉되거나 인체의 감전에 의한 누전사고가 발생하였을 때 전원선 전체를 통하여 흐르는 전류의 차이를 검출함으로서 사고전류의 검출이 즉각 이루어 질 수 있다. 교류계통에서는 영상전류검출기에 의하여 누설전류의 검출이 가능하지만 직류계통에서는 영상전류검출기를 사용할 수 없으므로 새로운 방식의 누전검출장치의 개발이 요구된다. 또한 감전 사고는 인체의 사고와 설비의 사고 두 가지로 구별되며, 효율적인 전력운영과 안전을 위하여 두가지 사고에 대해 통합적으로 구분 동작이 가능한 누설전류 검출기 개발이 요구된다. 본 연구에서는 TN접지계통에서 직류누설전류 검출이 가능한 홀 센서(HCT)를 사용하여 인체 및 설비의 누설전류 패턴에 따라 구분 동작이 가능한 직류용 누설전류 검출기 개발에 관한 연구를 수행하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.53-60
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• 2009

반도체 공정의 발달로 집적도가 증가하고 문턱전압이 감소하면서, 반도체 집적회로 소모 전력에서 누설전류(leakage current)의 비중이 점차 증가하고 있다. 대기 상태에서 CMOS 조합 회로(combinational circuit)는 입력 값에 따라 누설전류가 크게 달라진다. 본 연구에서는 누설전류로 인한 소모전력을 줄이기 위해 대기 상태 (standby state) 회로의 입력 신호를 제어하며, 작은 누설전류를 갖는 입력 신호를 찾기 위한 새로운 효율적인 알고리즘을 개발하였다. 이 방법을 벤치마크 예제에 실험적으로 적용하여 누설전류 평균값에 비해 15.7%, simulated evolution 방법에 비해 6.7% 누설전류를 줄일 수 있음을 보였다. 또한 순차 회로에서도 idle 입력을 이용하여 누설전류 평균값에 비해 6.8%, simulated evolution 방법에 비해 3.2% 누설전류를 줄일 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.370-374
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• 2019

본 논문에서는 전기재해를 일으킬 수 있는 요소를 미리 제거하기 위해 보다 효율적이고 신뢰성 있는 누설전류 검출방법을 찾고자 온도, 습도가 다른 환경에서 누설전류 및 절연저항을 측정하여 그 측정값에 대한 차이점을 비교하고 분석하였다. 식당과 상점에서 누설전류 및 절연저항을 비교한 결과 식당에서 누설전류와 절연저항은 모두 허용값을 만족하였지만 2개 회로는 누설전류가 높게 나타났을 때 절연저항도 높게 나타나는 비정상적인 비례관계를 나타내었다. 상점에서 누설전류와 절연저항은 1개 회로에서 누설전류가 허용값 이하로 부적합하였지만 절연저항은 모두 허용값을 만족하였다. 누설전류 및 절연저항이 허용값 이내일 때도 비정상적인 비례관계를 나타냈으며 이러한 부하는 대부분 전열부하로 분석되었다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.51-54
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• 2009

변압기 누설전류 통합 감시 장치는 변압기 중성점 접지선에 흐르는 누설전류를 검출하여 실시간으로 모니터링이 가능한 장치로, 지정 값 이상의 누설전류가 검출되면 관리자에게 경보함으로써 전기적인 사고를 사전에 예방할 수 있다. 본 논문에서는 변압기 누설전류 통합 감시장치에 대해 설명하고 실제 변압기 누설전류 통합 감시장치가 설치된 수용가의 누설전류량 측정을 통해 안전성 여부를 판단하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.530-532
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• 2004

옥외 장기실증시험 설비를 구축하여 154(kV) 송전 전압으로 1년 동안 자기애자(36,000lbs) 및 폴리머 애자(154 [kV] 용)에 대하여 비 또는 눈이 올 때 각 계절에 대한 누설전류 특성에 관하여 조사하였다. 그 결과 자기애자는 누설전류가 장마철, 한여름, 가을의 경우 잦은 집중호우로 첫날은 급격한 증가가 보였으면 폭우 후에는 자연세정으로 인한 폭우 전보다 더 낮게 나타났다. 그리고 겨울에 눈이 올 경우에는 적은 양의 눈으로도 자기 애자 표면에 눈의 쌓여 누설전류가 넓은 시간 높게 나타났으며, 겨울비가 올 경우에는 겨울 동안 눈으로 인해 염분 및 진애의 누적으로 폭우에 대하여 사계절 중 가장 높은 누설전류를 나타났다. 한편 폴리머 애자의 경우에는 사계절에 관계없이 누설전류 증감은 크지 않았으나 겨울비가 을 경우에는 누설전류가 수 백 $[\muA]$까지 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.345-345
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• 2007

본 연구는 x선 영상검출기 적용을 위한 $HgI_2$ 필름의 누설전류 특성 향상을 위한 연구로서, $HgI_2$기반의 다양한 물질을 이용하여 다층구조 방식으로 제작된 필름의 누설전류 특성평가 및 제작된 다층구조의 상부전극물질의 변화에 따른 누설전류 특성을 평가하였다. $HgI_2$기반 다층구조의 제작 물질은 Parylene, $PbI_2$, a-Se을 사용하여 시편(parylene/ITO, ITO/$HgI_2/PbI_2$/ITO, ITO/$HgI_2$/a-Se/ITO)을 제작하였으며, 필름 제작공정은 Screen print, PVD공정으로 다층구조 필름을 제작하였다. 또 한, 다층구조로 제작된 필름에 상부 전극물질은 Au, In, ITO를 사용하여 누설전류의 특성을 평가하였다. 측정 장치로 DC Power Supply(556H. EG&G : 50~200V), X 선 발생장치(Toshiba KXO-50N), 차폐체 (Al 및 Cu), Oscilloscope (LeCroy, LC334AM, USA), Electrometer (Keithley, 6517), Ion chamber 2060 (Radical Co.)을 이용하여, 제작된 $HgI_2$기반 다층구조 sample의 누설전류 특성을 실험하였다. 이 결과로 다층구조에 제작된 물질 및 상부전극에 따른 누설전류의 특성을 평가하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권2호
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• pp.1-1
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• 2001

DRAM에서 셀 캐패시터의 누설 전류 영향을 고려하여 소프트 에러율을 예측하였다. DRAM의 동작 과정에서 누설 전류의 영향으로 셀 캐패시터는 전하량이 감소하고, 이에 따른 소프트 에러율을 DRAM의 각 동작 모드에 대하여 계산하였다. 누설 전류가 작을 경우에는 /bit mode가 소프트 에러에 취약했지만, 누설전류가 커질수록 memory 모드가 소프트 에러에 가장 취약함을 보였다. 실제 256M급 DRAM의 구조에 적용하여, 셀 캐패시턴스, bit line 캐패시턴스, sense amplifier의 입력 전압 감도들이 변화할 때 소프트 에러에 미치는 영향을 예측하였고, 이 결과들은 차세대 DARM 연구의 최적 셀 설계에 이용될 수 있다.