• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.02a
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• pp.41-41
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• 1996

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.3
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• pp.89-95
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• 2001

The CZ-silicon crystal was annealed at $1350^{\circ}C$ to dissolve the vacancy type grown-in defects. A this temperature, the equilibrium concentration of the oxygen in the silicon crystal is around $1.7{\times}10^{18}$ which induces the oxygen undersaturation in the silicon crystal. This situation results in the faster dissolution of the grown-in defects in the bulk of the silicon wafer than near the surface. This indicates the possibility that the presence of the higher concentration of silicon interstitial hinders the dissolution of the grown-in defects, which were known to compose of the vacancy clusters with surrounding silicon oxide film. This expectation was confirmed by the observation that the slower dissolution of the grown-in defects near the surface of the silicon wafer in the oxygen atmosphere than in the argon atmosphere. This result is quite opposite to the previous argument hat presence of the excess silicon interstitial leads to faster dissolution of the vacancy type defects.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.36 no.6
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• pp.451-459
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• 2016

Crack detection on panels during manufacturing process is an important step for ensuring the product quality. The accuracy and efficiency of traditional crack detection methods, which are performed by eye inspection, are dependent on human inspectors. Therefore, implementation of an on-line and precise crack detection is required during the panel pressing process. In this paper, a regular CCTV camera system is utilized to obtain images of panel products and an image process based crack detection technique is developed. This technique uses a comparison between the base image and a test image using an amplitude mapping of the local image. Experiments are performed in the laboratory and in the actual manufacturing lines to evaluate the performance of the developed technique. Experimental results indicate that the proposed technique could be used to effectively detect a crack on panels with high speed.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.19 no.6
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• pp.852-859
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• 2009

Normally, to extract the defect in TFT-LCD inspection system, the image is obtained by using line scan camera or area scan camera which is achieved by CCD or CMOS sensor. Because of the limited dynamic range of CCD or CMOS sensor as well as the effect of the illumination, these images are frequently degraded and the important features are hard to decern by a human viewer. In order to overcome this problem, the feature vectors in the image are obtained by using the average intensity difference between defect and background based on the weber's law and the standard deviation of the background region. The defect detection method uses non-linear SVM (Supports Vector Machine) method using the extracted feature vectors. The experiment results show that the proposed method yields better performance of defect classification methods over conveniently method.

• Journal of Adhesion and Interface
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• v.21 no.2
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• pp.41-50
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• 2020

Organic-inorganic metal halide perovskite has shown a great promise in photovoltaic applications because of the skyrocketing power-conversion efficiencies up to 25.2% and their potentially low production cost. However, it also has critical issue of substantial material degradation during device operation to be overcome for successful commercialization. Understanding the nature of defects and their photochemistry related to material degradation is needed. Furthermore, strategy to passivate defects in perovskite should be adopted to improve the stability of perovskite. In this article, we present predominant defects formation in perovskite that contribute to material degradations in perovskite solar cells. We then discuss how material stability can be improved through reliable defect passivation engineering.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.80-80
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• 2018

실리콘 관통전극 (Through Silicon Via, TSV)는 메모리 칩을 적층하여 고밀도의 집적회로를 구현하는 기술로, 기존의 와이어 본딩 (Wire bonding) 기술보다 낮은 소비전력과 빠른 속도가 특징인 3차원 집적기술 중 하나이다. TSV는 일반적으로 도금 공정을 통하여 충전되는데, 고종횡비의 TSV에 결함 없이 구리를 충전하기 위해서 3종의 유기첨가제(억제제, 가속제, 평탄제)가 도금액에 첨가되어야 한다. 이러한 첨가제 중 결함 발생유무에 가장 큰 영향을 주는 첨가제는 평탄제이기 때문에, 본 연구에서는 이미다졸(imidazole) 계열, 이민(imine) 계열, 디아조늄(diazonium) 계열 및 피롤리돈(pyrrolidone) 계열과 같은 평탄제(leveler)의 작용기에 따라 TSV 충전 성능을 조사하였다. TSV 충전 시 관능기의 거동을 규명하기 위해 QCM (quartz crystal microbalance) 및 EQCM (electrochemical QCM)을 사용하여 흡착 정도를 측정하였다. 실험 결과, 디아조늄 계열의 평탄제는 TSV를 결함 없이 충전하였지만 다른 작용기를 갖는 평탄제는 TSV 내 결함이 발생하였다. QCM 분석에서 디아조늄 계열의 평탄제는 낮은 흡착률을 보이지만 EQCM 분석에서는 높은 흡착률을 나타내었다. 즉, 디아조늄 계열의 평탄제는 전기 도금 동안 전류밀도가 집중되는 TSV의 상부 모서리에서 국부적인 흡착을 선호하며 이로 인하여 무결함 충전이 달성된다고 추론할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.329-334
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• 1996

손상 핵연료의 온도 및 산소대 금속 비율의 변화모형을 연구하였다. 열역학적 분석과 산화과정에 대한 분석을 통해 손상핵연료에서의 핵연료 온도와 핵연료내 O/U값 변화를 기술함으로써 결함발생에 의한 핵연료내 냉각수 침투는 Gap conductance를 떨어뜨리고 소결체 산화에 따른 O/U값 증가로 열전달특성의 저하를 가져와 핵연료의 온도를 상승시킨다는 결과를 얻어냈다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.13 no.1
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• pp.4-10
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• 2000

차세대 고집적 광기록 기기의 광원으로 사용될 GaN계 자색 LD의 개발은 괄목할만한 속도로 이루어지고 있으며, 이미 Pick-up용으로 사용될 수 있는 저출력 5 mW급 LD는 시제품이 나오고 있다. 2002년경에는 30 mW급 고출력 자색 LD를 장착한 DVDR이 시장에 출현할 것으로 예상되며, 이를 위해서는 저결함 박막성장이 절실하게 요구된다. 결정내결함을 감소시키기 위한 방법으로 ELOG 성장법이 보편적으로 사용되나 궁극적으로는 GaN 기판 개발이 필연적으로 뒤따라야할 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1990.07a
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• pp.45-58
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• 1990

회전 편광자 영의 Spectroscople Ellipsometer를 제작하였다. 각 부품의 미소결함에 의한 오차를 추정하고 이들 각 부품의 미소결함이 Ellipsometric 상수들에 미치는 영향을 보정하여 정확도를 향상시키는 관련표현들을 유도하였다. Straight through operation에 대한 성능 평가 결과 파장 대역 400nm-600nm 내에서 tan$\psi$ 와 cos$\Delta$ 의 편차는 0.2% 내외로 만족할 만한 것으로 판단되었다. 광학 박막을 중심으로 Spectroscopic Ellipsomter를 사용한 연구에 대하여 실험예를 중심으로 논의하였다.

• Journal of the Korean Society of Laryngology, Phoniatrics and Logopedics
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• v.7 no.1
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• pp.106-112
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• 1996

조음장애(articulation disorders)란 조음기관(예 : 혀, 입술. 치아, 입천장)을 통하여 말소리가 만들어지는 과정에서의 결함을 나타내는데, 이러한 조음장애를 보이는 아동은 '불명료한' 구어를 사용하게 되므로 해서 결국 의사소통의 어려움을 나타내게 된다. 음소를 생략하거나, 다른 음소로 대치하거나, 또는 같은 음소내에서 소리를 왜곡시키는 조음 장애 현상들은 순수 조음 장애 아동들 뿐 아니라, 정신지체, 청각장애, 구개파열, 뇌성마비 등의 장애자들에게서 중복적인 결함으로 나타나기도 한다. 본고에서는 소아의 조음장애를 다루는 임상가가 알아두어야 할 관련 요인들, 조음 오류 평가. 그리고 치료방법에 대하여 고찰하고자 한다.