E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)

  • 제13권1호
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  • Pages.4-10
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  • 2000
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  • 2982-6268(pISSN)
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  • 2982-6306(eISSN)
한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

GaN계 Laser Diode 개발 기술

  • 발행 : 2000.01.01
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초록

차세대 고집적 광기록 기기의 광원으로 사용될 GaN계 자색 LD의 개발은 괄목할만한 속도로 이루어지고 있으며, 이미 Pick-up용으로 사용될 수 있는 저출력 5 mW급 LD는 시제품이 나오고 있다. 2002년경에는 30 mW급 고출력 자색 LD를 장착한 DVDR이 시장에 출현할 것으로 예상되며, 이를 위해서는 저결함 박막성장이 절실하게 요구된다. 결정내결함을 감소시키기 위한 방법으로 ELOG 성장법이 보편적으로 사용되나 궁극적으로는 GaN 기판 개발이 필연적으로 뒤따라야할 것으로 판단된다.

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