GaAs기판상에 나노 구조를 이용하여 격자상수차이를 극복하여 성장된 1um 두께의 고품질 InSb (47,000c$m^2$ /Vs)
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- Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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- 2007.08a
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- pp.346-346
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- 2007