• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.539-539
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• 2008

본 논문에서는 투명전도박막의 균일한 표면특성을 확보하기 위해 광역평탄화 공정을 적용하여 투명전도 박막의 표면 거칠기를 연구하였으며 슬러리의 종류에 따른 박막의 연마특성을 연구하였다. 본 실험에서 사용된 ITO 박막은 RF Sputtering에 의해 제작되었고 하부 기판은 석영 Glass가 사용되었다. 광역평탄화를 위한 CMP 공정은 고분자 물질계열의 패드위에 슬러리입자를 공급하고 웨이퍼 캐리어에 하중을 가하며 웨이퍼의 표면을 연마하는 방법으로 가공물을 탄성패드에 누르면서 상대 운동시켜 가공물과 친화력이 우수한 부식액으로 화학적 제거를 함과 동시에 초미립자로 기계적 제거를 하는 것이다. ITO 박막의 평탄화를 위한 공정조건은 Polisher pressure 300 g/$cm^2$, 슬러리 유속 80 ml/min, 플레이튼속도 60 rpm으로 하였다. 위의 조건에 따라 공정을 진행 후 연마특성을 측정하였으며 이때 사용된 슬러리는 산화막에 사용되는 실리카슬러리와 금속연마용 슬러리인 EPL을 사용하였다. 연마율은 실리카 슬러리가 EPL슬러리에 비해 높음을 확인 하였다. CMP 공정에 의해 평탄화를 수행 할 경우 실리카슬러리와 EPL슬러리 모두 CMP전에 비해 돌출된 힐록들이 감소되었음을 알 수 있었다. 비균일도 특성은 모든 슬러리가 양호한 특성을 나타내었다. 평탄화된 박막의 표면과 거칠기 특성은 AFM(XE-200, PSIA Company) 을 이용하여 분석을 하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제19권8호
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• pp.134-140
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• 2002

Chemical mechanical polishing of aluminum and photoresist using colloidal silica-based slurry was experimented. The effects of slurry pH, silica concentration, and oxidizer ($H_2O_2$) concentration on surface roughness and removal rate were studied. The optimum slurry conditions for reduction of micro-scratch were investigated. The optimum chemical mechanical polishing with the colloidal silica-based slurry was compared with conventional chemical mechanical polishing with alumina-based slurry. Chemical mechanical polishing of the aluminum with the colloidal silica-based slurry showed improved result but chemical mechanical polishing of the photoresist did not. The improved result was comparative with that of chemical mechanical polishing with filtered alumina-based slurry which one of desirable methods to reduce the micro-scratch.

• 열처리공학회지
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• 제30권6호
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• pp.264-270
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• 2017

본 연구에서는 다이아몬드의 기계적 화학적 연마(MCP) 에 주목하여 기존에 알려진 다이아몬드 가공연마판을 주물 또는 파우더 소결 방식이 아닌 플라즈마 열분사 기법을 통하여 경제성이 높게 제작하고 이를 상용화 하고자 하였다. 저렴한 주철 모재에 연성이 높고 밀착성이 우수한 Al을 중간 코팅층으로 코팅하고, 상부 코팅층으로 다이아몬드와 화학반응을 하게 되는 Fe-Cr-Ni 및 Ti 코팅층을 플라즈마로 코팅하여 다이아몬드 연마판을 제작하였다. 또한, 물리적인 코팅방법인 플라즈마 열분사 코팅층의 밀착력을 개선 하기 위하여 $550^{\circ}C$ 6시간 동안 열처리를 수행하고 모재와 Al 코팅층 사이에 약 $5{\mu}m$ 정도의 확산층을 형성하여 밀착력을 개선할 수 있었다.

• 한국정밀공학회지
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• 제19권2호
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• pp.49-57
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• 2002

The effect of mechanical parameters on chemical mechanical polishing (CMP) of blanket and patterned aluminum thin films are investigated. CMP process experiments are conducted using the soft pad and the slurry mainly composed of acid solution and A1$_2$O$_3$ abrasive. The result for the blanket film showed that as the concentration of abrasive in slurry is increased, the surface roughness gets worse but the waviness gets better. The planarity of the patterned Al films is slowly improved by CMP when the width of and gap between the patterns are relatively small. It is tried to find the optimized CMP process conditions by that the patterned Al thin film can be planarized with fine surface. The most satisfiable film surface is obtained when the applied pressure is low (10kPa) and the abrasive concentration is relatively high (5wt%).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.141-141
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• 2009

Blue light-emitting diodes (LEDs), violet laser diodes 같은 광전소자들은 질화물 c-plane 기판위에 소자로 응용되어 이미 상품화 되어 왔다. 그러나 2족-질화물 재료들은 wurtzite 구조를 가지므로 c-plane에 평행한 자연적인 극성을 띌 뿐만 아니라 결정 내부 stress로 인한 압전현상 또한 나타나 큰 내부 전기장을 형성하게 된다. 이렇게 생성된 내부 전기장은 전자와 홀의 재결합 효율을 감소시키고 소자 응용 시 red-shift의 원인이 되곤 한다. 따라서 최근 들어 m-plane(1-100), a-plane (11-20)같은 무극성을 뛰는 기판 위에 소자를 만드는 방법이 각광을 받고 있는 추세다. 그러나 무극성 기판을 소자에 응용 시 Chemical Mechanical Planarization (CMP)에 의한 가공은 반도체 기판으로써 이용하기 위한 필수 불가결의 공정이다. c면(0001) SiC wafer에 대한 연구는 현재 많이 발표가 되어 있으나 무극성면 SiC wafer에 대한 CMP 공정에 대한 연구사례는 없는 실정이다. 본 연구에서는 C면 (0001)으로 성장된 잉곳을 a면(11-20)과 m(1-100)면으로 절단 후, slurry type (KOH-based colloidal silica slurry, NaOCl), 산화제, 연마제등을 변화하여 CMP 공정을 거침으로서 일어나는 기계 화학적 가공 양상에 대하여 알아보았다. 그 후 표면 형상 분석 하기위해 Atomic Force Microscope(AFM)을 사용하였고, 표면 스크레치를 SEM을 이용해서 알아보았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권1호
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• pp.51-56
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• 2018

PVT법으로 성장된 AlN 단결정의 표면 평탄화 최적화 하기 위하여 기계적 연마 후 $SiO_2$ slurry를 이용한 CMP 공정을 진행하였고 이에 따른 표면 형상, slurry 변화에 따른 가공 특성을 분석하였다. Slurry의 pH가 표면 연마 과정에 미치는 영향을 알아보기 위해 $SiO_2$ slurry의 pH를 조절하였으며, 제타전위측정기를 통해 각각의 pH에 따른 zeta potential의 영향과 MRR(material removal rate) 결과를 비교하였으며, 최종적으로 원자간력 현미경(atomic force microscope)을 이용한 표면 거칠기 RMS(0.2 nm)를 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 기술교육전문연구회
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• pp.31-34
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• 2003

The sapphire wafers for blue light emitting devices were manufactured by the implementation of the surface machining technology based on micro-tribology. This process has been performed by chemical and mechanical polishing(CMP) process. The sapphire crystalline wafers were characterized by double crystal X-ray diffraction. The sample quality of sapphire crystalline wafer at surfaces has a full width at half maximum 89 arcses. The surfaces of sapphire wafers were mechanically affected by residual stress and surface default. Sapphire wafers's waveness has higher abrasion rate in the edge of the wafer than its center due to Newton's Ring interference.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1068-1071
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• 2001

Recently, the minimum line width shows a tendancy to decrease and the multi-level to increase in semiconductor. Therefore, a planarization technique is needed, which chemical polishing(CMP) is considered as one of the most important process. CMP accomplishes a high polishing performance and a global planarization of high quality. But there are several defects in CMP such as microscratches, abrasive contaminations, and non-uniformity of polished wafer edges. Spin Etching can improve the defects of CMP. It uses abrasive-free chemical solution instead of slurry. Wafer rotates and chemical solution is simultaneously dispensed on a whole surface of the wafer. Thereby chemical reaction is occurred on the surface of wafer, material is removed. On this study, TEOS film is removed by CMP and Spin Etching, the results are estimated at a viewpoint of material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU).

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.935-938
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• 1997

Recently, the minimum line width shows a tendency to decrease and the multi-level increase in semiconductor. Therefore, a planarization technique is needed and chemical mechanical polishing(CMP) is considered as one of the most suitable process. CMP accomplishes a high polishing performance and a global planarization of high quality. But there are several defects in CMP such as micro-scratches, abrasive contaminations, and non-uniformity of polished wafer edges. Wet etching include of Spin-etching can improve he defects of CMP. It uses abrasive-free chemical solution instead of slurry. On this study, ILD(INterlayer-Dielectric) was removed by CMP and wet-etching methods in order to investigate the superiority of wet etching mechanism. In the thin film wafer, the results were evaluated at a viewpoint of material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU). And pattern step height was also compared for planarization characteristics of the patterned wafer.

• 한국정밀공학회지
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• 제22권2호
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• pp.46-52
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• 2005

The sapphire wafer was polished by the implementation of the surface machining technology based on nano-tribology, The removal process has been performed by grinding, lapping and chemical-mechanical polishing. For the chemical mechanical polishing process, the chemical reaction between the slurry and sapphire wafer was investigated in terms of the change of Zeta-potential between two materials. The Zeta-potential was -4.98 mV without the slurry in deionized water and was -37.05 mV for the slurry solution. By including the slurry into the deionized water the Zeta-potential -29.73 mV, indicating that the surface atoms of sapphire become more repulsive to be easy to separate. The average roughness of the polished surface of sapphire wafer was ranged to 1∼4$\AA$.