• Membrane Journal
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• v.24 no.6
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• pp.472-483
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• 2014

This study is preparation of microporous membranes by using macrocyclic metal ion complexes and extended cage complexes. It is a more favorable way to existing methods because polymer and metal ion-ligand complex system provides a fine control over the phase transition behavior. Chemical functionalization of the polar surface can be obtained. Metal-templated condensation of cyclohexanedione dioxime, hydroxyphenylboronic acid in the presence of metal salts proceeds cleanly in methanol to furnish the metal clathrochelate complexes. Organic/inorganic hybrid membranes were prepared with polyethersulfone (PES), polyvinylpyrrolidone (PVP), ethyleneglycol butyl ether (BE), metal clathrochelate s and DMF by using nonsolvent induced phase inversion method. The structure of membranes was characterized with scanning electron microscopy (SEM) and microflow permporometer. The addition of Fe(II) clathrochelate complex with p-hydroxyphenyl group leads to changes of membrane morphology such as narrow mean pore size distribution, increase of surface pore density and decrease of the largest pore size.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.37 no.2
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• pp.1-5
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• 2000

We have investigated dielectric properties of IMI-O LB films for the effect of complex concentration by electrical conductivity, dielectric constant and dielectric relaxation time at different frequencies. In the surface pressure-area$\pi$-A) isotherms for the increase of $FE^{3+}$ concentration, the molecular area was expanded with $FE^{3+}$concentration increase by electrostatic repulsion between the polymer chains and hydrophobic increase of ionic strength. In the I-V characteristics, it is found that the limiting area has effects on the change of conductivity And, the dielectric relaxation time decreased for increase of the $FE^{3+}$concentration.

• Water for future
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• v.42 no.11
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• pp.42-50
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• 2009

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.15-21
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• 2001

전자파 차폐 및 반사방지용으로 사용되는 SiO$_2$/ITO 이층박막의 전기적 특성에 미치는 전이금속이온의 영향에 대해 고찰하고 전자파 차폐이론식으로부터 박막의 전도특성에 모사하여 효과적인 전자파 차폐효과를 얻기 위한 전도막을 설계하고자 하였다. ITO 상층부에 전이금속염을 첨가한 실리카 복합졸을 코팅하여 SiO$_2$/ITO 이층막을 제조한 결과 최저 표면저항치를 나타내는 첨가량은 전이금속의 종류에 따라 차이를 보이지만 Sn 및 Zn이 첨가된 졸로부터 형성된 박막은 $10^{5}$Ω/$\square$ 이하의 낮은 저항치를 보였으며 가장 안정된 표면저하을 나타내었다. 또한 전자파 차폐효과와 전도박막의 표면저항을 차폐이론식으로부터 모사한 결과 Zn과 Sn의 전이금속염이 첨가된 SiO$_2$/ITO 투명전도막은 TCO99에서 정한 전자파 차폐기준에 부합하였다.다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.263-266
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• 2000

This paper is focused on the fabrication of reliable Al/$TiO_2-SiO_2$/Mo antifuse, which could operate at low voltage along with the improvement in on/off state properties. Mo metal as the bottom electrode had smooth surface and high melting point, and was being kept as-deposited $SiO_2$film stable. The breakdown voltage of TiO_2-SiO_2$ stacked antifuse was better than that of same-thickness (100 $\AA$) $SiO_2$antifuse because of Ti diffusion in $SiO_2$. The improving breakdown-voltage and on-resistance can be obtained as well as the influence of hillock in the bottom metal is reduced by using double insulator. Low on-resistance (65 $\Omega$) and low programming voltage (9.0 V) can be obtained in these antifuses with 250 $\AA$ double insulator.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.75-75
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• 2000

플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용하여 양질의 Si3N4 금속-유전막-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 커페시터를 구현하였다. Fig.1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘 웨이퍼의 열 산화막 위에 1%의 실리콘을 함유하는 알루미늄을 스퍼터링으로 증착하여 전극을 형성하고 두 전극사이에 Si3N4 박막을 증착하여 MIM구조의 박막 커패시터를 제조하였다. Si3N4 유전막은 150Watt의 RF 출력하에서 반응 가스 N2/SiH4/NH3를 각각 300/10/80 sccm로 흘려주어 전체 압력을 1Torr로 유지하면서 40$0^{\circ}C$에서 플라즈마 화학증착법을 이용하여 증착하였으며, Al과 Si3N4 층의 계면에는 Ti과 TiN을 스퍼터링으로 증착하여 확산 장벽으로 이용하였다. 각 시편의 커패시턴스 및 바이어스 전압에 따른 누설 전류의 변화는 LCR 미터를 이용하여 측정하였고 각 시편의 커패시턴스 및 바이어스 전압에 따른 누설 전류의 변화는 LCR 미터를 이용하여 측정하였고 각 시편의 유전 특성의 차이점을 미세구조 측면에서 이해하기 이해 극판과 유전막의 단면 미세구조를 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope, TEM)을 이용하여 분석하였다. 유전체인 Si3N4 와 전극인 Al의 계면반응을 억제시키기 위해 TiN을 확산 장벽으로 사용한 결과 MIM커패시터의 전극과 유전체 사이의 계면에서는 어떠한 hillock이나 석출물도 관찰되지 않았다. Fig.2와 같은 커패시턴스의 전류-전압 특성분석으로부터 양질의 MIM커패시터 특성을 f보이는 Si3N4 의 최소 두께는 500 이며, 그 두께 미만에서는 대부분의 커패시터가 전기적으로 단락되어 웨이퍼 수율이 낮아진다는 사실을 알 수 있었다. TEM을 이용한 단면 미세구조 관찰을 통해 Si3N4 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.17 no.2
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• pp.194-200
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• 2006

Titanium oxide films were deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD for the application of metal-oxide films. In the case of TTNB, after depositing films, films must be annealed at a proper temperature, but in the case of titanium ethoxide, titanium oxide films could be directly deposited by titanium ethoxide without general annealing. We could confirm that ratio of O to Ti in the films was about 2 : 1 at RF-power of 240 watt, distance between cathode and substrate of 3 cm, deposition time of 20 min, and ratio of Ar to $O_2$ of 1 : 1. Therefore, we could obtain the titanium oxide film deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD without an annealing process and could apply in the metal-oxide deposition process at a low temperature.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.37.1-37.1
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• 2009

최근 휘어짐이 가능한 flexible display의 개발이 활발히 진행됨에 따라 OLED(organic light emitting diode)의 발전 가능성은 커지고 있다. 하지만 cathode 재료인 Cr, Al등은 tensile 또는 bending에 취약하다. 따라서 본 연구에서는, 인장시험용 아령모형의 PET($125\;{\mu}m$) 필름에 Al, Cr, Cr+Al을 각각 코팅하고 부분적으로 hole을 patterning함으로써 인장 시 미소크랙의 발생을 감소시켜 전기저항(R) 변화를 최소화하는 패턴형상을 design하고 세 가지 금속의 전기저항 변화를 통해 좀 더 우수한 flexible display용 금속을 찾는데 그 목적이 있다. 전극에 형성된 미세패턴의 영향과 패턴 된 hole size에 따른 전기저항의 변화를 알아보기 위해 hole size는 $50\;{\mu}m$, $30\;{\mu}m$, $10\;{\mu}m$로 제작하였고 각각의 금속막에 patterning하였다. 제작된 시편을 인장시험 장치에 설치 후 2mm/min의 속도로 인장응력을 가하면서 Load의 증가에 따른 금속막의 전기저항($\bigtriangleup$R)을 동시동작으로 측정하였다. 실험결과 인장시험 시 저항변화는 Cr이 짧은 시간에 가장 급격하게 변하였으며 다음으로 Cr+Al, Al순 이였다. 또한, hole size의 크기에 따른 전기저항의 변화는 $50\;{\mu}m$ size의 hole을 pattern한 시편이 가장 안정한 저항 변화를 보였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.45 no.5
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• pp.523-528
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• 2007

The objectives of this research are to investigate the mechanism of coagulation affecting UF, find out the effect of metal salt coagulant on membrane fouling. Either rapid mixing + UF or slow mixing + UF process caused much less flux decline. For PACl coagulant, the rate of flux decline was reduced for both hydrophilic and hydrophobic membrane than alum due to higher formation of flocs. In addition, the rate of flux decline for the hydrophobic membrane was significantly greater than for the hydrophilic membrane, regardless of pretreatment conditions. In general, Coagulation pretreatment significantly reduced the fouling of the hydrophilic membrane, but did little decrease the flux reduction of the hydrophobic membrane. When an Al(III) salt is added to water, monomers, polymers, or solid precipitates may form. Different Al(III) coagulants (alum and PACl) show to have different Al species distribution over a rapid mixing condition. During the rapid mixing period, for alum, formation of dissolved Al(III) (monomer and polymer) increases, but for PACl, precipitates of $Al(OH)_{3(s)}$ increases rapidly. This experimental results pointed out that precipitates of $Al(OH)_{3(s)}$ rather than dissolved Al(III) formation is major factor affecting flux decline for the membrane.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.7 no.3
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• pp.34-40
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• 1993

전기전자산업에 유기분자집합체에 대한 전자 device적 기능을 갖게 하는 초전막형성 기술의 하나로서 LB막이 이용되게 된다. 10여년전에 만들어 대기중에 방치되었던 Langmuir Blodgett(LB) 초전막 시료에 대해서 MIM구조소자에 전하가 발생하는 특성을 검토하였다.그 결과 LB막이 무극성일 때는 상하부전극을 동일 금속으로 하면 전압이 발생하지 않고, 서로 다른 금속전극으로 할 때는 전압이 발생하였는데 양전극금속의 일함수값의 차가 클수록 발생전압이 높았고 LB막이 유극성일때는 동일 전극이라도 전압이 발생하였다.따라서 LB초전막의 MIM 소자에서 발생하는 전하는 단순한 화학작용에 의한 것이 아니고양전극 금속의 일함수와 극성에 관계가 있다고 생각된다.