• 제목/요약/키워드: 금속결함

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진공중 Electron Beam & Laser에 의하여 열처리된 세라믹 코팅층의 결정학적 변화

  • 박순홍
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.208.1-208.1
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    • 2014
  • 반도체 공정이나 디스플레이 공정에는 세라믹 부품이나 금속 부품이 많이 포함되어 있는데 이들 부품이 공정중에 발생하는 플라즈마 또는 여러가지 부산물에 의하여 부품의 표면에 다양한 코팅층이 형성된다. 그리고 이러한 공정에 들어가는 부품은 플라즈마 또는 각종 산에 취약한 특성을 나타내는데 이에 대하여 해결하기 위하여 세라믹 부품의 표면에 용사코팅이나 각종 물리, 화학적 방법을 이용하여 표면에 코팅층을 형성한다. 이렇게 형성된 코팅층중 특히 용사코팅에 의하여 형성된 코팅층은 플라즈마 공정이나 각종 부식성 산에 의하여 박리 또는 크랙이 발생하게 된다. 이러한 특성은 용사코팅층의 특성상 발생하고 있는 물리적 흡착에 의하여 흡착된 계면에서 박리가 발생할 가능성이 크게 된다. 이러한 현상을 줄이기 위하여 고열원을 통하여 열처리 실험을 실시한다. 특히 전자빔이나 레이저 열원은 고온 급속 가열에 의하여 고융점인 세라믹 용사코팅층 및 금속 코팅층을 재용융 및 응고과정을 통하여 미세구조를 변화시킨다. 특히 전자빔 열처리는 진공중에서 코팅층의 열처리를 행함으로써 코팅층 내에 있는 기공을 제거하거나 불순물을 제거하기에 용이하다. 본 연구에서 수행된 열처리는 기 코팅된 세라믹이나 금속재의 표면을 다량의 Electron의 Flux를 통하여 표면의 온도를 Melting point 직하 온도까지 상승하였다가 응고시킴으로써 코팅층의 특성을 변화시켰다. 이렇게 열처리된 시험편의 XRD를 통해 결정구조를 파악하고, SEM, OM을 통하여 기공의 제거, 결함의 제거 등을 확인하였으며 경도 변화를 통하여 물리적 특성의 변화를 함께 확인하였다. 평가 결과 결정구조의 변화와 더불어 경도등의 상승효과가 발생하였으며 코팅층 내에 존재하는 결함이 감소함을 확인하였다.

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저 소비전력 AC PDP용 보호막의 개발동향

  • 김용석
    • 인포메이션 디스플레이
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    • 제13권3호
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    • pp.11-18
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    • 2012
  • 보호막으로서 우수한 성능을 발휘하여 왔던 MgO 박막을 대체하여, 고 Xe 방전 개스에서 방전 전압이 낮고, 높은 방전 효율을 나타낼 수 있는 차세대 보호막의 개발 현황에 대하여 간략하게 살펴보았다. 차세대 보호막은 1) FCC와 같은 등방성 결정 구조를 가져야 하고, 2) band gap 에너지가 작아야 하며, 3) 수화물 및 탄산염이 쉽게 분해되는 산화물이어야 하고, 4) 재료내에 비 화학 당량 결함이 많은 천이 금속 산화물과 같이 결함이 많아서는 되지 않아야 하고, 5) 이온간의 결합력이 커서 내 스퍼터링 특성이 우수하여야 하는 조건을 만족하여야 한다. 이러한 특성을 만족시킬 수 있는 것으로 다양한 재료가 개발되어 왔으나, 실용적으로 적용 가능성이 있는 것으로(Mg,Ca)O 합금 보호막이 가능한 것으로 판단된다.

광산란을 이용한 미소표면결함의 비접촉측정법에 관한 연구

  • 강영준
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1991년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.113-120
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    • 1991
  • 근년, 정밀가공기술의 진보에 따라 AI 합금이나 동등의 연질금속을 이용한 고출력 Laser용 Mirror, 전자계산용 자기Disc기반, Laser Printer용 PloygonMirror등의 Opto-electronics 부품이 경면(Mirror Surface)절삭가공에 의해서, 또 LSI용 Silicon Wafer의 가공은 연마가공에 의해서 nmRmax의 표면조도로 마무리 가공되고 있다. 본 연구에서는 고출력 Laser용 Mirror, 자기Disc기반, Silicon Wafer와 같은 경면(표면 조도 submicron이하)에 존재하는 미소표면결함을 정량적이며, 고속측정이 가능한 방법인 새로운 측정법을 제안하고, 이 시스템을 생산라인에서 가공과 동시에 검사하는 In-process측정이 가능한 특정 시스템의 개발을 최종목표로 하고 있다.

DUPIC 핵연료 제작 조건 및 연소 조건에서 산소포텐샬 변화

  • 박광헌;양명승;박현수
    • 한국원자력학회:학술대회논문집
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    • 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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    • pp.715-720
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    • 1995
  • DUPIC 핵연료의 제작 조건, 특히 소결 조건에서 필요한 O/M값에 따른 산소포텐샬을 점결함모형을 이용하여 구하였다. 산소포텐샬 값은 순수 우라니아에서보다 크게 나타났고 주요 점결함 형태의 변화로 온도에 따라 엔트로피 값의 변화가 보였다. 연소중 DUPIC핵연료의 산소포텐샬 변화는 핵연료를 닫힌 계로 보고 물질 보존 및 평형법칙을 기초로 하여 구하였다. 산소포텐샬은 초기에 급격히 증가하지만 곧 일정한 값에서 매우 완만히 증가하게 된다. O/M값도 거의 변화가 없는데, 이는 Mo의 완충작용 때문이다. 따라서 초기 Mo의 화학적 형태- 금속 또는 산화물-가 DUPIC핵연료 O/M값 변화에 큰 영향을 미칠 것으로 예측되며 DUPIC핵연료 제작시 소결 조건에 유의할 필요가 있다.

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태양전지용 규소 기판에 존재하는 기계적 손상의 gettering 공정에의 활용 (Utilization of the surface damage as gettering sink in the silicon wafers useful for the solar cell fabrication)

  • 김대일;김영관
    • 한국결정성장학회지
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    • 제16권2호
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    • pp.66-70
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    • 2006
  • 실리콘웨이퍼 표면에 기계적인 손상을 가한 후 산화 열처리 공정을 실시하면 온도와 기계적인 손상의 크기에 따라 여러 가지 결정 결함이 발생된다. 기계적인 손상이 크고 열처리 온도가 증가함에 따라 dislocation loop 등의 대형 결함들이 발생되고 열처리 온도가 낮거나 손상의 크기가 작을수록 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)등의 소형 결함들이 많이 발생된다. Minority carrier lifetime을 측정하여본 결과 결함의 크기가 작을수록 minority carrier lifetime이 높은 것으로 밝혀졌다. 더욱이 dislocation loop 등의 결정 결함보다는 결함 발생 이전 단계인 strained layer등이 금속불순물에 대한 gettering의 효과가 더욱 높음을 알 수 있었다.

중수소 결합 형성 방법에 따른 다결정 실리콘 광검출기의 광반응 특성 (Photo-response of Polysilicon-based Photodetector depending on Deuterium Incorporation Method)

  • 이재성
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권11호
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    • pp.29-35
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    • 2015
  • 다결정 실리콘으로 구성된 금속-반도체-금속(MSM) 구조의 광검출기의 광 응답 특성을 개선시키기 위해 중수소를 사용한 후속 공정을 행하였다. 다결정 실리콘 내 중수소 결합 형성 방법에 따른 광검출기의 특성 변화를 전기적 측정을 통해 비교하였다. 광검출기는 Schottky 접합 특성을 갖기 위해 Al/Ti 전극 금속이 사용되었다. 본 연구에서는 광 흡수 영역인 다결정 실리콘 내에 중수소 결합을 형성시켜 다결정 실리콘 내에 존재하는 결함을 효과적으로 passivation하여 결함밀도를 감소시키고자 한다. 후속 중수소 공정으로는 열처리 확산 방법과 이온 주입 방법을 각각 사용하였다. 중수소 열처리 확산 방법을 통해서 중수소는 다결정 실리콘의 표면 근처에 대부분 존재하였다. 다결정 실리콘의 표면은 광 흡수가 일어나는 부분이므로 중수소의 결합을 통해 광 응답 특성이 개선됨을 확인하였다. 중수소 이온 주입 방법을 통해서는 중수소를 다결정 실리콘 내부로 쉽게 분포시킬 수 있지만 다결정 실리콘 표면 근처에 결함을 만들 수 있어 광 응답 특성을 저하시키는 원인이 되었다.

Al-1%Si 박막 금속화의 신뢰도 향상을 위한 연구 (A Study for the Increased Reliability of Al-1%Si Thin Film Metallizations)

  • 최재승;김진영
    • 한국진공학회지
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    • 제1권3호
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    • pp.382-388
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    • 1992
  • Electromigration은 인가된 전계하에서 발생하는 전자풍력에 의한 금속 이온의 현 상이며, 반도체 디바이스의 주요 결함 원인으로 보고되어 왔다. 선폭 1$mu extrm{m}$의 Al-1%Si 금속 박막전도체에 대한 electromigration 수명 실험을 위해 인가된 d.c. 전류밀도는 10MA/cm2 이었고, electromigration에 대한 활성화 에너지 측정을 위한 분위기 온도는 $80^{\circ}C$, 10$0^{\circ}C$ 그리고 $120^{\circ}C$이었다. 평균수명 및 신뢰성에 대한 보호 절연막 효과를 위해 두께 3000 $\AA$의 SiO2 산화막을 sputtering 진공증착기를 사용하여 Al-1%Si 금속 박막 전도체 위에 증착하였 다. 주요 연구 결과는 다음과 같다. Al-1%Si 금속 박막 전도체의 electromigration에 대한 활성화 에너지값은 0.75eV이었고 온도가 증가함에 따라 Al-1%Si의 수명은 감소하였고 신 뢰성은 향상되었다. SiO2 보호막은 electromigration에 대한 저항성을 크게 함으로써 평균수 명을 향상시켰으며, electromigration failure는 lognormal failure distribution은 갖는 것으로 나타났다.

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불규칙 표면 시편을 이용한 Flexible 위상배열초음파기술 적용 연구 (Feasibility Study of Flexible Phased Array Ultrasonic Technology Using Irregular Surface Specimen)

  • 이승표;문용식;정남두
    • 비파괴검사학회지
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    • 제35권1호
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    • pp.52-60
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    • 2015
  • 원자력발전소에는 탄소강과 스테인리스강 용접을 위해 alloy600 용접재를 적용한 이종금속용접부가 다수 존재하며, 전 세계적으로 이종금속용접부에서 결함 발생 보고가 지속되고 있다. 주기적인 건전성 평가를 위해 이종금속용접부 초음파검사 일반절차서 (KPD-UT-10)를 적용하여 검사를 수행하고 있으며, 검사절차서에서는 탐촉자와 검사체 표면 사이의 간격을 최대 1/32"(0.8mm) 이내로 제한하고 있다. 국내의 일부 이종금속용접부는 테이퍼진 형상과 불규칙한 표면 형상을 가지고 있어, 가변형 위상배열초음파기술을 적용하여 검사 신뢰성을 높이고자 본 연구를 수행하였다. 연구 결과, 검사체 표면이 불규칙한 시편 내부의 인공결함에 대한 검출이 양호하였고, 이를 통해, 가변형 위상배열초음파기술의 현장 적용 가능성을 확인하였다.