• 제목/요약/키워드: 구리 전기도금

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펄스 전해증착으로 합성된 나노쌍정구리박막 물성의 온도의존성 (Temperature Dependency on property of Electrodeposited nanotwin copper)

  • 박상우;서성호;진상현;유봉영
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.161-161
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    • 2015
  • 펄스 전해 증착으로 합성된 구리는 고밀도의 나노쌍정경계를 지닌 미세구조에 따라 높은 인장강도와 낮은 전기 저항을 동시에 얻을 수 있는 특징이 있다. 이러한 특성들은 반도체 공정의 copper 배선, 리튬이온전지의 집전체, PCB, FPCB 전도체로 사용되고 있는 전해구리박막에서 요구되고 있는 신뢰성 문제 해결에 도움을 줄 수 있다. 본 연구에서는 도금용액의 온도 감소에 따라 변화하는 변수들과 물성의 상관관계를 분석하였다. 펄스전해도금에서 도금용액의 온도가 떨어질수록 인장강도와 연신율은 증가하였으며, $0^{\circ}C$도금조건에서 펄스 전해증착으로 합성된 구리박막은 인장강도 837MPa, 연신율 3.37%를 기록하였다.

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웨이퍼 범프 도금을 위한 고속용 구리 필러 및 저알파선 주석-은 솔더 도금액 (High Speed Cu Pillar and Low Alpha Sn-Ag Solder Plating Solution for Wafer Bump)

  • 김동현;이성준;노기룡;김건호
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.31-31
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    • 2015
  • 본 연구는, TAB(Tape Automated Bonding)접속이나 Flip Chip 접속에 의한 패캐징을 실현시키기 위해, 실리콘 웨이퍼 표면에 구리 필러 및 주석 합금을 전기 도금법으로 형성하는 전기 접점용 범프에 관한 것이다. 본 연구에서는, 균일 범프 두께, 범프 표면의 균일화, 범프 내의 보이드 발생 문제 해결, 균일한 합금 조성 및 도금 속도의 고속화를 위해, Cu 도금액 및 Sn-Ag 도금액의 첨가제에 의한 표면 형상의 제어를 중심으로 그 성능에 대해 보고한다.

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PCB 구리 에칭 용액의 에칭 특성에 대한 전기화학적 고찰 (Electrochemical Evaluation of Etching Characteristics of Copper Etchant in PCB Etching)

  • 이서향;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.77-82
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    • 2022
  • PCB 기판의 구리 식각 시 전기도금된 배선과 기지층의 전도층은 다른 에칭 특성을 가지며 이로 인한 배선의 과에칭과 배선기저부의 언터컷 현상이 보고되고 있다. 본 연구에서는 구리 에칭의 조성 변화에 따른 구리 에칭 특성에 대하여 연구하였다. 분극법과 OCV (open circuit voltage)를 이용하여 에칭액의 전기도금 구리와 기지층 구리의 최적 과산화수소와 황산의 농도를 얻었다. OCV와 ZRA (zero resistance ammeter)분석법을 이용하여 억제재의 효과를 비교하였다. 구리배선과 기지층간의 갈바닉 전류를 ZRA 방법을 이용하여 측정 비교하였다. 갈바닉 전류를 최소화하는 억제재를 ZRA를 이용한 갈바닉 쌍으로부터 선택할 수 있었다.

무전해 도금법을 이용한 Sn-Cu 범프 형성에 관한 연구 (Fabrication of Sn-Cu Bump using Electroless Plating Method)

  • 문윤성;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.17-21
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    • 2008
  • Sn-Cu계 솔더 범프에서 무전해도금법을 이용한 범프 형성에 대한 연구를 하였다. $20{\mu}m$ via에 전기도금법으로 구리를 채운 웨이퍼 위에 ball형태의 범프를 형성하기 위하여 구리와 주석을 도금하여 약 $10{\mu}m$높이의 범프를 형성하였다. 구리 범프 형성 시 via위에 선택적으로 도금하기 위하여 활성화 처리 후 산세처리를 실시하고 무전해 도금액에 안정제를 첨가하였다. 무전해도금법을 이용하여 주석 범프 형성 시 도금층이 구리 범프에 비해 표면의 균일도가 벌어지는 것으로 관찰되었지만 reflow공정을 실시한 후 ball 형태의 균일한 Sn-Cu 범프를 형성하였다.

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반도체공정에서 구리기둥주석범프의 전해도금 형성과 특성 (Formation and Properties of Electroplating Copper Pillar Tin Bump on Semiconductor Process)

  • 왕리;정원철;조일환;홍상진;황재룡;소대화
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 추계학술대회
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    • pp.726-729
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    • 2010
  • 고밀도집적을 위하여 전기도금과 무전해도금법을 적용하여 구리기둥주석범프(CPTB)를 제작하고, 그 특성을 분석하였다. CPTB는 ${\sim}100{\mu}m$의 피치를 갖도록 KM-1250 건식감광필름(DFR)을 사용하여 먼저 구리 기둥범프(CPB)를 도금 전착시킨 다음, 구리의 산화억제를 위하여 그 위에 주석을 무전해 도금하였다. 열-압력에 따른 산화효과와 접합특성을 위하여 전기저항계수와 기계적 층밀림전단강도를 측정하였다. 전기저항계수는 산화두께의 증가에 따라서 증가하였고, 전단강도는 $330^{\circ}C$에서 500 N의 열-압력일 때 최고치를 나타냈다. 시뮬레이션 결과에 따르면, CPTB는 크기 감소의 결과를 나타냈으며, 그것은 구리의 산화에 의해 크게 영향을 받는 것으로 확인되었다.

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구리 전해 도금 과정에서 첨가제로 사용되는 bis-(3-sulfopropyl)-disulfide (SPS)의 분해와 이에 대한 전기화학적 모니터링 (Decomposition of bis-(3-sulfopropyl)-disulfide (SPS) during Cu electrodeposition and its monitoring via electrochemical method)

  • 최승회;김명준;김광환;김회철;전영근;김수길;김재정
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.159-160
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    • 2015
  • 본 연구에서는 구리 도금액 구동 과정에서 SPS의 분해와 분해 산물의 영향에 대해 고찰하였고 이를 실시간으로 관찰하기 위한 전기화학적 모니터링법을 제시하였다.

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구리 전해도금 박막의 미세조직에 따른 에칭 특성 (Microstructure and Etching Morphology of Copper Electrodeposits)

  • 박채민;송영석;김상혁;신한균;이효종
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.132-133
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    • 2014
  • 구리도금 및 적절한 어닐링 공정을 통해 수nm 크기의 초기 도금 미세조직과 수${\mu}m$정도의 결정립 크기를 갖는 재결정이 진행된 결정립이 병존하는 도금막 샘플을 제작하였다. 전기 비저항 측정과 EBSD를 통해 결정립 성장 분율을 측정하였으며 다양한 사이즈와 결정 방향을 갖는 결정립에 대해 질산용액을 이용하여 화학적 에칭방법을 통해 간접적으로 각 구리원자의 화학적 안정성을 평가할 수 있었다. 결과적으로 결정립이 클수록 에칭속도가 느린 것을 확인하였으며, 주요 원인으로 결정립계면이 우선적으로 에칭되는 것이 관찰되었다. 즉, 결정립의 크기가 작을수록 결정립계면의 비율이 커서 에칭속도가 증가하고 Nanosize의 초기 결정립이 빨리 에칭되는 것이 확인되었다.

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황산동 전기도금육중 유기첨가제의 영향 (Effects of organic additives in copper sulfate electroplating baths)

  • 강치오;이주성
    • 한국표면공학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.160-172
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    • 1983
  • 티오요소류, 폴리에테르류, 염료와 같은 유기화합물이 첨가된 황산동 전기도금욕에서 석출된 구리의 광택, 평활력효과를 무첨가욕과 기존 광택제가 첨가된 도금욕에서와 각각 비교하여 이들 유기첨가제가 구리의 석출상태와 음극분극에 미치는 영향을 Hull cell 실험과 현미경관찰, 전기화학적 측정방법에 의해 고찰하였다. 황산동 전기도금욕에서 thiourea, 2-mercapto-2-imidazoline, 1-acetyl-2-thiourea와 같은 유기 황화합물은 비교적 고전류 밀도 범위에서 결정성장이 억제되고 입자가 미세한 구리석출을 일으켜 양호한 광택효과와 평활력을 가져오나, 특히 저전류밀도에서는 해로운 줄무늬가 발생한다는 점에서 많은 개선의 여지가 필요하다. 그러나 이들 유기 황화합물에 1,3-dioxolane polymer와 소량의 염소 이온을 혼합 첨가할 것 같으며 넓은 전류밀도 범위에서 양호한 광택과 평활력이 있는 동석출을 얻을 수 있었다.

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반도체 소자용 구리 배선 형성을 위한 전해 도금 (Electrodeposition for the Fabrication of Copper Interconnection in Semiconductor Devices)

  • 김명준;김재정
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제52권1호
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    • pp.26-39
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    • 2014
  • 전자 소자의 구리 금속 배선은 전해 도금을 포함한 다마신 공정을 통해 형성한다. 본 총설에서는 배선 형성을 위한 구리 전해 도금 및 수퍼필링 메카니즘에 대해 다루고자 한다. 수퍼필링 기술은 전해 도금의 전해질에 포함된 유기 첨가제의 영향에 의한 결과이며, 이는 유기 첨가제의 표면 덮임율을 조절하여 웨이퍼 위에 형성된 패턴의 바닥 면에서의 전해 도금 속도를 선택적으로 높임으로써 가능하다. 소자의 집적도를 높이기 위해 금속 배선의 크기는 계속적으로 감소하여 현재 그 폭이 수십 nm 수준으로 줄어들었다. 이러한 배선 폭의 감소는 구리 배선의 전기적 특성 감소, 신뢰성의 저하, 그리고 수퍼필링의 어려움 등 여러 가지 문제를 야기하고 있다. 본 총설에서는 상기 기술한 문제점을 해결하기 위해 구리의 미세 구조 개선을 위한 첨가제의 개발, 펄스 및 펄스-리벌스 전해 도금의 적용, 고 신뢰성 배선 형성을 위한 구리 기반 합금의 수퍼필링, 그리고 수퍼필링 특성 향상에 관한 다양한 연구를 소개한다.