• Journal of Navigation and Port Research
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• v.27 no.5
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• pp.505-511
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• 2003

In this paper, a driving amplifier stage with 1 Watt output has been designed and fabricated, which is operating at UHF band( 470 ∼ 806 MHz) for digital TV repeater. In the driving amplifier stage, preamplifier and 1 Watt unit amplifier are integrated by one electric substrate which is 2.53 in dielectric constant and 0.8 mm thickness. When the driving amplifier stage is flown by bias voltage of 28 V DC and current of 900 mA. it has the gain of more than 53.5 dB. the gain flatness of $\pm$0.5 dB and return loss of less than -15 dB in 470 ∼ 806 MHz. Also, when two signals at 2 MHz frequency interval are input port into the driving amplifier stage with 1 Watt output, it resulted in excellent characteristics to designed specification with showing intermodulation distortion characteristics of more than 48 dBc.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.3 no.3
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• pp.517-531
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• 1999

This paper presents the development of the 2-mode variable gain high power amplifier for a transmitter of INMARSAT-M operating at L-band(1626.5-1646.5 MHz). This SSPA(Solid State Power Amplifier) is amplified 42 dBm in high power mode and 36 dBm in low power mode for INMARSAT-M. The allowable error sets +1 dBm of an upper limit and -2 dBm of a lower limit, respectively. To simplify the fabrication process, the whole system is designed by two parts composed of a driving amplifier and a high power amplifier, The HP's MGA-64135 and Motorola's MRF-6401 are used for driving amplifier, and the ERICSSON's PTE-10114 and PTF-10021 are used the high power amplifier. The SSPA was fabricated by the circuits of RF, temperature compensation and 2-mode gain control circuit in aluminum housing. The gain control method was proposed by controlling the voltage for the 2-mode. In addition, It has been experimentally verified that the gain is controlled for single tone signal as well as two tone signals. The realized SSPA has 42 dB and 36 dB for small signal gain within 20 MHz bandwidth, and the VSWR of input and output port is less than 1.5:1 The minimum value of the 1 dB compression point gets 5 dBm for 2-mode variable gain high power amplifier. A typical two tone intermodulation point has 32.5 dBc maximum which is single carrier backed off 3 dB from 1 dB compression point. The maximum output power of 43 dBm was achieved at the 1636.5 MHz. These results reveal a high power of 20 Watt, which was the design target.the design target.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.23 no.8
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• pp.966-974
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• 2019

In this study, we propose a CMOS power amplifier (PA) using a bypass technique to enhance the efficiency in the low-power region. For the bypass structure, the common-gate (CG) transistor of the cascode structure of the driver stage is divided in two parallel branches. One of the CG transistors is designed to drive the power stage for high-power mode. The other CG transistor is designed to bypass the power stage for low-power mode. Owing to a turning-off of the power stage, the power consumption is decreased in low-power mode. The measured maximum output power is 20.35 dBm with a power added efficiency of 12.10%. At a measured output power of 11.52 dBm, the PAE is improved from 1.90% to 7.00% by bypassing the power stage. Based on the measurement results, we verified the functionality of the proposed bypass structure.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.23 no.6
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• pp.719-725
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• 2019

We propose a 2.4-GHz CMOS power amplifier (PA) with a bypass structure to improve the power-added efficiency (PAE) in the low-power region. The primary winding of the output transformer is split into two parts. One of the primary windings is connected to the output of the power stage for high-power mode. The other primary winding is connected to the output of the driver stage for low-power mode. Operation of the high power mode is similar to conventional PAs. On the other hand, the output power of the driver stage becomes the output power of the overall PA in the low power mode. Owing to a turning-off of the power stage, the power consumption is decreased in low-power mode. We designed the CMOS PA using a 180-nm RFCMOS process. The measured maximum output power is 27.78 dBm with a PAE of 20.5%. At a measured output power of 16 dBm, the PAE is improved from 2.5% to 12.7%.

• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.45-49
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• 1975

후막 HIC는 computer 회로뿐만 아니라, 자동차의 전압 조정기 고출력, 증폭단, 텔레비젼 CRT관의 전력 구동단등의 고출력 회로와, 텔레비젼 또는 산엽용 전자 장치의 VHF, UHF, 회로 구성에 많이 이용된다. 국내에서는 전자시계 제작에 수개 업체에서 HIC 기술을 이용하고 있다. 더 높은 주파수대인 마이크로-웨이브대 (파장이 cm대에서 mm대에 이른다)장치의 소형화는 박막 HIC에 의하여 실현되고 있다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.23 no.9
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• pp.1079-1086
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• 2012

In this paper, X-band 60 W Solid-State Power Amplifier with sequential control circuit and pulse width variation circuit for improve bias of SSPA module was designed. The sequential control circuit operate in regular sequence drain bias switching of GaAs FET. The distortion and efficiency of output signals due to SSPA nonlinear degradation is increased by making operate in regular sequence the drain bias wider than that of RF input signals pulse width if only input signal using pulsed width variation. The GaAs FETs are used for the 60 W SSPA module which is consists of 3-stage modules, pre-amplifier stage, driver-amplifier stage and main-power amplifier stage. The main power amplifier stage is implemented with the power combiner, as a balanced amplifier structure, to obtain the power greater than 60 W. The designed SSPA modules has 50 dB gain, pulse period 1 msec, pulse width 100 us, 10 % duty cycle and 60 watts output power in the frequency range of 9.2~9.6 GHz and it can be applied to solid-state pulse compression radar using pulse SSPA.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.5 no.1
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• pp.13-25
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• 1968

A detailed analysis of the transistor wide-band feedback amplifiers using the hybrid-$\pi$ equivalent circuit has been made. It is considered both for the low freqnency and for the high frequency. The expressions of the gain, bandwidth. input impedance and output impedance have been presented. It is shown that a series feedback amplifier should be driven from the voltage source and should drive into the low resistance load, and a shunt feedback amplifier should be driven from the current source and should drive into the high resistance load. It is also shown that these stages can be coupled without use of the buffer stage or coupling transformer.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.3 no.2
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• pp.281-290
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• 1999

This paper presents the development of a high power amplifier for a transmitter of INMARSAT-C operating at L-band(1626.5∼1646.5 MHz). To simplify the fabrication process, the whole system is designed of two parts composed of a driving amplifier and a high power amplifier The HP's AT-41486 is used for driving part and the SGS-THOMSON microelectronics' STM1645 is used the high power amplifier. The SSPA(Solid State Power Amplifier) was fabricated by the both circuits of RF and temperature compensation in aluminum housing. The realized SSPA has more than 36 dB for small signal within 20MHz bandwidth, and the voltage standing wave ratios(VSWR) of input and output Port are less than 1.5:1, respectively. The output Power of 42.2 dBm is achieved at the 1636.5 MHz. These results reveal a high power amplifier of 20 Watt which is the design target.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07a
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• pp.342-345
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• 2003

본 논문에서는 90W/sub avg/급 디지털 TV 중계기에 사용되는 140W/sub avg/급 전력증폭기를 설계 및 구현하였다. 중계기 규격의 기반이 되는 미국 FCC(Federal Communications Commission) 의 규격과 KBS(한국방송공사)가 제시하는 사양에 적합한 전력증폭기의 설계 및 구현을 목표로 하였다. 전력증폭기는 4단으로 구성하였으며, 전치증폭기는 A 급, 구동증폭기와 종단증폭기는 AB 급으로 동작시켰다. 구동증폭기에서는 3W/sub avg/의 출력을 얻었으며, 3 개의 전력증폭용 모듈이 병렬 연결된 종단증폭기에서는 140W/sub avg/ 의 출력을 얻을 수 있었다. 사용주파수의 대역을 넓히고 입력 및 출력의 VSWR 을 개선시키기 위하여 발룬과 sage wireline coupler 를 이용하여 전력증폭용 모듈을 설계하였다. 모든 전력증폭용 모듈은 방송용 전력증폭기의 규격사양인 isolator 로 종단 처리하여, 종단 임피던스의 갑작스런 변화시에도 장비가 보호될 수 있도록 설계하였다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.25 no.11A
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• pp.1661-1671
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• 2000

본 고에서는 한국통신(Korea Telecom) IMT-2000 시험시스템(이하: Trial system 라고 함) 단말기용 전력증폭단으로 적용하기 위한 다단구동증폭기 및 전력증폭기를 GaAs MMIC로 설계 구현하는 기술을 제시하였다. 설계된 구동증폭기는 3단으로구성하여 RF(Radia Frequency) 송신신호(1955$\pm$70MHz)대역에서 2단 (중간단)의 이득 조정범위가 40 dB이상이 될 수 있도록 능동부품인 MESFET를 Cascade 형으로 구성하고 MESFET의 게이트(gate)에 조정전압을 인가하는 증폭기를 설계하여 GaAs MMIC화 1 침(크기4$\times$5 mm)으로 제작하였다. 아울러, 본 논문에서는 제시한 구동증폭기는 동작주파수 대역폭 범위기 3.5배이고 출력전력은 15dBmm 이며, 출력전력이득이 25~27dB이고 반사계수는 -15~20dB이며 이득평탄도 3dB(동작주파수 대역폭내)로써 Trial system용 단말기의 최종단인 전력증폭단의 출력단 특성을 효과적으로 나타내었다. 그리고, 전력 증폭기는 2개의 입력단에서 출력되는 신호를 분배하는 전력분배기와 병렬구조인 4개의 증폭단에서 출력되는 출력신호를 외부에서 접속하는 전력결합기를 접소하여 구성하였으며 RF(Radio Frequency) 주파수(1955 $\pm$70NHz)에서 대역폭을 4배로 설계하여 광대역인 대역폭을 구현하였고 출력전력은 570mW이며, 출력부가효율(PAE; Power Added Efficency)가 -15$\pm$20dB이고, 이득 평탄도(Gain flatness)는 동작주파수 대역내에서 0.5dB이며 입출력 전압정재파비(Input & Output VSWR)가 13이하인 고출력 전력증포기를 GaAs MMIC화 1칩 (크기; 3$\times$4mm)으로 제작하였다.의 다양성이나 편리성으로 변화하는 것이 국적을 바꾸는 것보다 어려운 시 대가 멀지 않은 미래에 도래할 것이다. 신세기 통신 과 SK 텔레콤에는 현재 1,300만명이 넘 는 고객이 있으며. 이들 고객은 어 이상 음성통화 중심의 이동전화 고객이 아니라 신세기 통신과 SK텔레콤이 함께 구축해 나갈 거대란 무선 네트워크 사회에서 정보화 시대를 살아 갈 회원들이다. '컨텐츠의 시대'가 개막되는 것이며, 신세기통신과 SK텔레콤은 선의의 경쟁 과 협력을 통해 이동인터넷 서비스의 컨텐츠를 개발해 나가게 될 것이다. 3배가 높았다. 효소 활성에 필수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의 회수 및 재사용이 가능하게 해준다.해준다.다. TN5 세포주를 0.2 L 규모 (1 L spinner flask)oJl에서 세포간의 응집현상 없이 부유배양에 적응,배양시킨 후 세포성장 시기에 따른 발현을 조사한 결과 1 MOI의 감염조건 하에서는 $0.6\times10^6$cell/mL의 early exponential시기의 세포밀도에서 72시간 배양하였을 대 최대 발현양을 나타내었다. 나타내었다. $\beta$4 integrin의 표현이 침투 능력을 높이는 역할을 하나 이때에는 laminin과 같은 리간드와의 특이