• Title/Summary/Keyword: 광 소자

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Development of Photonic Quantum Ring Device with Different Oscillation Characteristics for Driving with Secondary Battery (이차전지로 구동하기 위한 다른 발진 특성을 나타내는 조명용 광양자테 소자 개발)

  • Kim, Kyoung-Bo;Lee, Jongpil;Kim, Moojin
    • Journal of Digital Convergence
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    • v.19 no.11
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    • pp.341-349
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    • 2021
  • We studies to verify results similar to those of previous experiments, and their potential as a lighting device through optical characteristics experiments and resonance and optical characteristics simulations of array devices. The photonic quantum ring (PQR) device having a mesa diameter of 40 ㎛ and an internal hole diameter of 3 ㎛ was fabricated. Through the near-field observation of the fabricated device, it was found that the PQR device operates even at ㎂, and also that the mesa and hole devices are driven independently of each other. As a result of measuring the wavelength spectrum of the device according to the location, the coupling phenomenon due to mesa and holes was confirmed.

Fabrication of n-ITO/p-PSL heterojunction type photodetectors and their characteristics (n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자의 제조 및 그 특성)

  • Kim, Hang-Kyoo;Shin, Jang-Kyoo;Lee, Jong-Hyun;Song, Jae-Won
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.4 no.1
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    • pp.3-8
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    • 1995
  • n-ITO/p-PSL heterojunction photodetector have been fabricated on the Si wafer by using ITO(indium tin oxide) and PSL(porous silicon layer). They were anodized selectively by using silicon nitride and Ni-Cr/Au and were passivated by using ITO as well as being isolated by using mesa structure. With white light from 0 to 3000 Lux, the photocurrent varied linearly with incident light intensity. The reverse characteristics of fabricated devices were very stable up to a bias voltage of -40V and dark current density was about $40nA/mm^{2}$. When the device was exposed by Xe lamp whose wavelength range from 400nm to 1100nm, the maximum photo responsivity was about 0.6A/W between 600 and 700nm. Variation of the characteristics of fabricated devices after 5 weeks was negligible.

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Power-Dependent Characteristics of $n^+$-p and $p^+$-n GaAs Solar Cells

  • Kim, Seong-Jun;Kim, Yeong-Ho;No, Sam-Gyu;Kim, Jun-O;Lee, Sang-Jun;Kim, Jong-Su;Lee, Gyu-Seok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.236-236
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    • 2010
  • 단일접합 $n^+-p/p^+$ (p-emitter) 및 $p^+-n/n^+$ (n-emitter) GaAs 태양전지 (Solar Cell)를 각각 제작하여, 그 소자특성을 비교 분석하였다. AM 1.5 (1 sun, $100\;mW/cm^2$) 표준광을 조사할 경우, p-emitter/n-emitter 소자의 개방회로전압 (Voc), 단락회로전류 (Jsc), 충전율 (FF), 효율 (Eff)은 각각 0.910/0.917 V, $15.9/16.1\;mA/cm^2$, 78.7/78.9, 11.4/12.1%로서, n-emitter 소자가 다소 크지만 거의 비슷한 값을 가지고 있었다. 태양전지의 집광 특성을 분석하기 위하여 조사광의 출력에 따른 태양전지의 소자 특성을 측정하였다. 조사광 강도가 높아짐에 따라 p-emitter 소자의 특성은 점진적으로 증가하는 반면, n-emitter는 1.3 sun에서 약 1.4 배의 최대 효율 (17%)을 나타내고 조사광이 더 증가함에 따라 급격히 감소하는 특성을 보여 주었다. (그림 참고) 본 연구에서 사용한 2종류 소자의 층구조는 서로 반대되는 대칭구조로서, 모두 가까이에 위치하고 있는 표면전극 (surface finger) 방향으로 소수전하 (minority carrier)가 이동하고 다수전하 (majority carrier)는 기판 (두께 $350\;{\mu}m$)을 통한 먼 거리의 후면전극 (back electrode)으로 표류 (drift)되도록 설계되어 있다. 이때, n-emitter에서는 이동도 (mobility)와 확산길이 (diffusion length)가 높은 전자가 후면전극으로 이동하기 때문에 적정밀도의 전자-정공 쌍 (EHP)이 여기될 경우에는 Jsc와 Eff가 극대화되지만, 조사광 강도 또는 EHP가 더 높아질 경우에는 직렬저항의 증가와 함께 전류-전압 (I-V)의 이상인자 (ideality factor)가 커짐으로서 FF와 효율이 급격히 감소한 결과로 분석된다. 현재 전산모사를 통한 자세한 분석을 진행하고 있으며, 본 결과는 효율 극대화를 위한 최적 층구조 및 도핑 밀도 설계에 활용할 수 있을 것으로 판단된다.

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녹색과 적색 양자점 색변환층을 가지는 백색 유기발광 소자의 색안정성 연구

  • Jeon, Yeong-Pyo;Kim, Gi-Hyeon;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.396.1-396.1
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    • 2014
  • 백색 유기발광소자는 빠른 응답속도, 높은 색재현율 및 높은 색안정성의 특성으로 차세대 친환경 백색 광원으로 많은 주목을 받고 있다. 유기발광소자와 양자점을 혼합하여 사용한 백색 유기발광소자는 양자점의 높은 색순도와 고효율의 장점을 가지고 있기 때문에 연구가 활발하게 진행되고 있다. 녹색 및 적색 양자점을 색변환층으로 이용한 백색 유기발광소자는 두 양자점의 혼합 비율에 따라 연색성 및 색안정성이 변화하기 때문에 이에 관련 된 연구가 필요하다. 본 연구에서는 높은 색안정성을 가지는 백색 유기발광소자를 제작하기 위해 청색 유기발광소자 위에 용액 공정으로 녹색 및 적색 빛을 방출하는 CdSe/ZnS 양자점을 포함하는 색변환층을 도포했다. 녹색 및 적색 양자점은 250 nm부터 500 nm의 넓은 광 흡수대역을 가지고 있기 때문에 465 nm의 청색 발광소자의 빛을 흡수하여 각각 적색과 녹색 발광을 할 수 있다. 녹색 및 적색 양자점의 혼합 비율에 따른 광발광 스펙트럼 측정 결과를 통해 녹색 및 적색 양자점의 최적 혼합 비율이 7:3임을 확인하였다. 최적의 혼합 비율을 사용하여 제작 된 백색 유기발광소자의 전기적 및 광학적 특성을 전류-전압 측정과 전계발광 측정으로 비교 분석하였다. 9 V에서 14 V로 전압이 변화하는 동안 백색 유기발광소자의 색좌표의 변화는 (0.35, 0.33)에서 (0.35, 0.32)로 높은 색안정성을 나타냈다. 본 연구 결과는 유기발광소자와 양자점을 혼합하여 사용한 백색 유기발광소자의 높은 색안정성에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

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웨어러블 전자소자용 스트레처블 유기태양전지 연구개발 동향

  • 김건우;박진수;김범준
    • Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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    • v.9 no.1
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    • pp.9-20
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    • 2023
  • 유기태양전지는 차세대 신재생 에너지소자로 크게 주목받아 왔으며, 특히 최근에는 높은 신축성과 기계적 안정성이 요구되는 웨어러블 및 휴대용 전자소자의 에너지 공급원으로 연구되고 있다. 이를 위해 전기적/기계적 성능 양 측면에서 모두 뛰어난 신규 전도성 소재 및 소자의 개발이 매우 필수적인데, 두 성질은 일반적으로 Trade-Off 관계를 가지고 있어 두 가지 특성을 모두 확보하는 것이 매우 어렵다. 본 원고에서는 높은 전기적/기계적 특성을 동시에 지니는 전도성 고분자 소재에 관한 분자 설계 전략과 기존의 경직 소자 및 플렉서블 소자와 완전히 다른 기계적 성질을 요구하는 신축형 유기태양전지 소자 플랫폼 기술로의 비약적인 발전을 포함한 기술 동향을 요약하여 소개하고자 한다.

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Fabrication and analysis of traveling-wave electroabsorption modulator for $1.55{\mu}m$ operation ($1.55{\mu}m$용 진행파형 전계 흡수 광 변조기의 마이크로파 특성분석과 제작)

  • Ok Seong-Hae;Koo Min-Ju;Choi Young-Wan
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 2003.08a
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    • pp.35-37
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    • 2003
  • 본 논문에서는 진행파형 전계 흡수 광 변조기를 3차원 FDTD를 이용하여 도파관의 폭과 진성영역의 두께 그리고 N-도핑층의 도핑수준을 변화시키면서 최적화된 구조를 설계하였다. 제작된 소자의 구조는 진성영역의 두께는 $0.9{\mu}m$, 도파관의 폭은 $6{\mu}m$이며 전체 소자의 길이는 $700{\mu}m$ 이다. 제작된 소자의 마이크로파 특성을 측정하였으며 마이크로파 특성과 광 특성을 사용하여 주파수 응답특성을 추정하였다. 소자의 길이가 $400{\mu}m$ 일 때 17.8 GHz의 주파수 응답특성을 얻었다.

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화학기상증착 방법으로 성장된 $SnO_2$ 나노선의 특성 분석: 성장 온도와 산소유량에 따른 구조와 전기특성

  • Kim, Yun-Cheol;Ha, Jeong-Suk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.71-71
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    • 2010
  • 최근 나노선의 우수한 전기적, 광학적 특성을 다양한 종류의 전자소자, 광소자, 그리고 센서에 응용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 $SnO_2$ 나노선은 n-type의 전기특성과 우수한 광 특성을 보이며, 전자소자, 광소자 뿐 아니라 다양한 종류의 가스 센서 제작에 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition)으로 $SnO_2$ 나노선을 성장하여 전계방출효과 트랜지스터 (field effect transistor: FET)를 제작하여 전기적 특성을 측정하였다. 나노선의 성장 조건 (온도와 산소 유량) 에 따른 나노선의 구조, 화학조성, 전기적 특성을 체계적으로 조사하였다. 산소의 유량이 낮을 때는 온도에 따라 나노선의 크기와 전기 특성에 변화가 없었으나, 산소의 유량을 높이면 온도에 따라 나노선의 두께와 전기적 특성이 크게 변화하였다. 본 연구에서는 특히, FET 구조에서 on/off current ratio 가 $10^5$ 이상으로 매우 높은 나노선 제작이 가능하였다. 전기적 특성과 나노선의 결정구조, 화학적 조성을 함께 비교하여 성장 메커니즘을 이해하고자 한다.

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Effectiveness of Beam-propagation-method Simulations for the Directional Coupling of Guided Modes Evaluated by Fabricating Silica Optical-waveguide Devices (광도파로 모드 간의 방향성 결합현상에 대한 빔 진행 기법 설계의 효율성 및 실리카 광도파로 소자 제작을 통한 평가)

  • Jin, Jinung;Chun, Kwon-Wook;Lee, Eun-Su;Oh, Min-Cheol
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.33 no.4
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    • pp.137-145
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    • 2022
  • A directional coupler device, one of the fundamental components of photonic integrated circuits, distributes optical power by evanescent field coupling between two adjacent optical waveguides. In this paper, the design process for manufacturing a directional coupler device is reviewed, and the accuracy of the design results, as seen from the characteristics of the actual fabricated device, is confirmed. When designing a directional coupler device through a two-dimensional (2D) beam-propagation-method (BPM) simulation, an optical structure is converted to a two-dimensional planar structure through the effective index method. After fabricating the directional coupler device array, the characteristics are measured. To supplement the 2D-BPM results that are different from the experimental results, a 3D-BPM simulation is performed. Although 3D-BPM simulation requires more computational resources, the simulation result is closer to the experimental results. Furthermore, the waveguide core refractive index used in 3D-BPM is adjusted to produce a simulation result consistent with the experimental results. The proposed design procedure enables accurate design of directional coupler devices, predicting the experimental results based on 3D-BPM.