• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.11a
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• pp.290-291
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• 2002

스틸 판재 4KW CO2 레이저 용접시 발생되는 플라즈마 특성 연구를 위하여 용접 품질에 중요한 요인이 되는 용접속도, 주입가스 양, 판재사이의 갭을 변화시키면서 실험을 하였다 발생된 분광학적 스펙트럼을 측정하였고 플라즈마광의 세기를 광파이버를 이용하여 측정하였다 플라즈마 패턴 특성을 알기 위하여 1000 frame/sec의 고속 디지털 카메라를 이용하여 플라즈마 영상을 측정하였다 그 결과, 용접속도가 빠를수록 상단에서 발생되는 플라즈마 광의 세기는 커졌으며, 주입가스의 양이 적을수록 플라즈마광의 세기가 강하게 측정되었다. 또한 판재 사이가 넓을수록 발생된 플라즈마가 판재 사이로 분출이 되면서 그 세기가 감소되는 현상을 보여주었다. 이러한 결과는 2차원 플라즈마 영상실험의 결과와 일치함을 보여주었다. 따라서 표면에서 발생되는 플라즈마 광의 세기는 레이저 용접시 중요한 요인이 되는 침투깊이를 추정하는데 중요한 정보가 되며 레이저 용접 품질에 대한 실시간 모니퍼링이 가능함을 확인하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.252-253
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• 2003

광굴절 물질은 광학적 위상공액 및 신호처리, 홀로그램 기록소자 및 광정보처리를 포함한 다양한 분야에 응용되고 있다. 또한 광굴절 결정의 광굴절 특성도 실험 및 이론적으로 활발하게 연구되고 있다. 그리고 본 연구에서 사용한 BaTiO$_3$ 결정은 외부에서 인가하는 전기장 없이도 매우 높은 전기광학계수(electrooptic coefficient)를 가지고 있어서 다양한 응용이 기대되는 광굴절 매질이다. 광굴절 결합계수를 측정하게 될 때, BaTiO$_3$ 결정에서의 두 빔의 결합에 대한 이득(gain)의 변화는 물질의 외부적인 특성, 즉 전기광학 텐서와 트랩의 농도 등에 의존할 뿐만 아니라, 외부적으로 조정될 수 있는 변수들, 예를 들면 매질에 입사되는 두 빔사이의 각도, 매질의 광축과 격자벡터 사이의 각도, 그리고 입사된 두 빔의 세기의 비 등에 의존하게 된다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.106-107
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• 2000

현대 사회의 정보서비스 수요 증가는 1990년대 초반 2.5Gbps급 광통신 상용 시스템에서 10 Gbps 광통신 시스템 시험운영 단계를 지나, 21세기의 정보처리 수요를 해결하기 위해 파장다중(WDM; Wavelength Division Multiplexing) 광통신을 이용한 THz급 광통신 시스템 및 이에 관련된 소자의 연구를 필요로 하고 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.8 no.3
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• pp.236-240
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• 1997

We compare feedback wavelength-dependent performances of all-optical gain-clamped 980-nm pumped erbium-doped fiber amplifiers. In a 2.5-Gbps 8-channel WDM system, we have measured and compared gain compressions, signal power variations due to cross-saturation, power penalties caused by relaxation oscillations and noise figures for three different feedback wavelengths - 1532, 1543, and 1565 nm.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.655-657
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• 2004

채널 레벨 컨트롤러는 DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing) 방식의 OXC(Optical Cross Connect), OADM(Optical Add/Drop Multiplexer), 광 증폭기(EDFA : Erbium Doped Fiber Amplifier) 둥의 시스템에서 채널별 광신호의 세기를 조절하여 시스템의 신뢰성을 높이는 중요한 제어기다. 본 논문에서는 12채널 VOA(Variable Optical Attenuator) 4개를 사용하여 40채널의 광 신호 레벨을 제어할 수 있는 컨트롤러를 구현하였다. 각 채널의 광 신호 레벨을 제어하는데 하나의 마이크로 프로세서가 5개의 채널을 제어하고 총 8개의 마이크로프로세서로 40채널을 분산 제어하도록 구성하였다. 또한 외부와 통신을 하고 사용자로부터의 명령을 각각의 마이크로프로세서에 전달하기 위한 마이크로프로세서를 추가하였으며, 출력되는 광 신호의 세기를 측정하여 VOA를 제어하는데 있어서 VOA 출력에서 바로 PD(Photo Detector)로 입력하여 AWC(Arrayed Waveguide Grating) 출력에서 광 신호를 다시 분파하여 PD에 입력하는 번거로움을 개선하였다.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.27 no.9
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• pp.1006-1015
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• 2005

We investigated the effect of hydroxyl radicals on the photolysis of triclosan (TCS), which is a potent broad-spectrum antimicrobial agent. TCS degradation during the initial reaction time of 5 min followed a pseudo-first order kinetic model ai all light intensities at a wavelength of 365 nm and at the low light intensities at a wavelength of 254 nm. The photodegradation rate significantly increased with decreasing wavelength and increasing the UV intensities. The activity of hydroxyl radicals was suppressed when methanol was used as the solvent instead of water. An increase in the photon effect was observed when the UV intensity was higher than $5.77{\times}10^{-5}$ einstein $L^{-1}min^{-1}$ at 254 nm, and lower than $1.56{\times}10^{-4}$ einstein $L^{-1}min^{-1}$ at 365 nm. The quantum yield efficiency for the photolysis of TCS was higher at 365 nm than at 254 nm among the above mentioned UV intensities. Dibenzodichloro-p-dioxin (DCDD) and dibenzo-p-dioxin were detected as intermediates at both UV intensities of $1.37{\times}10^{-4}$ and $1.56{\times}10^{-4}$ einstein $L^{-1}min^{-1}$ at 365 nm. Dichlorophenol and phenol were also detected in all cases. Based on our findings, we presented a possible mechanism of TCS photolysis.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.426-426
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• 2012

본 연구에서는 GaAs p-i-n 접합 구조에 InAs 양자점을 삽입한 양자점 태양전지(Quantum Dot Solar Cell; QDSC)의 내부 전기장(internal electric field)을 조사하기 위하여 Photoreflectance (PR) 방법을 이용하였다. QDSC 구조는 GaAs p-i-n 구조의 공핍층 내에 8주기의 InAs 양자점 층을 삽입하였으며 각 양자점 층은 40 nm 두께의 i-GaAs로 분리하였다. InAs/GaAs QDSC는 분자선박막 성장장치(molecular beam epitaxy; MBE)를 이용하여 성장하였다. 이 때 양자점의 형성은 InAs 2.0 ML(monolayer)를 기판온도 $470^{\circ}C$에서 증착하였다. QDSC 구조에서 여기광원의 세기에 따른 전기장의 변화를 조사하였다. 아울러 양자점 층 사이의 i-GaAs 층 내에 6.0 nm의 AlGaAs 퍼텐셜 장벽(potential barrier)을 삽입하여 퍼텐셜 장벽 유무에 따른 전기장 변화를 조사하였다. PR 측정에서 여기광원으로는 633 nm의 He-Ne 레이저를 이용하였으며 여기광의 세기는 $2mW/cm^2$에서 $90mW/cm^2$까지 변화를 주어 여기광세기 의존성실험을 수행하였다. 여기광의 세기가 증가할수록 photovoltaic effect에 의한 내부 전기장의 변화를 관측할 수 있었다. PR 결과로부터 p-i-n 구조의 p-i 영역과 i-n 접합 계면의 junction field를 검출하였다. p-i-n의 i-영역에 양자점을 삽입한 경우 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주파수가 p-i-n 구조와 비교하여 변조됨을 관측하였다. 이러한 FKO 주파수성분은 fast Fourier transform (FFT)을 이용하여 검출하였다. FKO의 주파수 성분들은 고전기장하에서 electron-heavyhole (e-hh)과 electron-lighthole (e-lh) 전이에 의해 나타나는 성분으로 확인되었다.

• 전기의세계
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• v.42 no.6
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• pp.38-45
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• 1993

앞으로 21세기 기술선도사업으로 고속성 및 병렬성의 장점을 지닌 퓨리에 광 신호처리 기술은 광통신 기술, 광소자 기술등과 병행하여 미래의 종합 정보통신 시스템에서 커다란 비중을 차지할 것으로 예상되며 특히, 자동감시, 로보트 비젼등 산업적 응용분야뿐만 아니라, 미사일 유도, 자동표적 인식 및 추적등의 분야에서 첨단기술로서 그 응용이 크게 기대되어 이에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.3
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• pp.222-227
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• 1995

A single mode, 100-mW diode laser was injection-locked by the master laser which was spectrally narrowed with Littman-type grating feedback. In the incomplete-injection-locking, we observed that two frequencies were simultaneously generated from the slave laser. The power ratio and frequency shift of two frequency components were proportional to the square of injected laser intensity. When the ratio of the injection intensity to the slave laser intensity was about $10^{-3}$, the injection-locking bandwidth was to be about 1.4 GHz. The bandwidth proportionally increased to the square root of the injection intensity, which was in good agreement with the theoretical predictions. The Iinewidth of the locked-laser was about 2.5 MHz, which was five times as narrow as that of free-running operation. ation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.256.1-256.1
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• 2014

21세기 정보화 시대의 도래와 함께 반도체 및 디스플레이 분야는 고부가가치산업으로 급격히 성장하였고, 현재까지도 미래의 지속적인 시장 창출을 위하여 기술개발과 투자로 초미세화, 고효율, 대면적화에 대한 원천기술 확보가 중요시되고 있다. 반도체 및 디스플레이의 대면적화가 진행됨에 따라 플라즈마 공정장비의 대면적화도 활발히 기술개발이 진행되고 있으며, 대면적화에 있어 플라즈마의 공간균일도는 생산수율 및 공정균일화를 위해 기본적으로 평가되어야 하는 중요한 지표가 되었다. 하지만 종래의 진단법들은 대면적 플라즈마 진단에 매우 제한적이기 때문에 본 연구에서는 대면적 플라즈마의 공간균일도 평가를 위해 플라즈마의 방출광 측정을 기초로 하는 진단계를 개발하였다. 플라즈마 방출광을 이용한 진단은 플라즈마에 섭동을 주지 않고 전자온도의 변화 및 공간균일도를 평가할 수 있다. 이 진단법은 두 마주보는 한쪽 면이 평평한 볼록렌즈(plano-convex lens)로 이루어진 수광시스템과 역변환 알고리즘을 통해 선 적분된 방출광으로부터 플라즈마 방출광의 국지적 정보를 측정하는 것이다. 플라즈마와 같이 크기가 큰 광원의 경우 렌즈 광학계에서 필연적으로 수반되는 선적분된(chord-integrated) 방출광을 제거하기 위해 구조에 따른 시스템 함수를 이용한 푸리에 변환 알고리즘을 개발하였고, 이를 통해 렌즈 초점거리의 정확한 방출광 세기만 재구성하였다. 이러한 재구성 방법을 이용하여 렌즈의 거리를 움직이며 대면적 플라즈마의 방출광 분포측정을 수행하였고, 이에 대한 결과를 발표하고자 한다.